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Nexperia 400V/650V DPAK回流整流器
Nexperia 400V/650V DPAK回流整流器
08/12/2026
适用于高压电源转换的超快和特快DPAK回流整流器。
Nexperia MLPAK33-WF封装的BUK7Q N沟道MOSFET
Nexperia MLPAK33-WF封装的BUK7Q N沟道MOSFET
09/29/2025
采用沟槽9技术，符合AEC-Q101要求。
Nexperia BUK9Q N沟道沟槽MOSFET
Nexperia BUK9Q N沟道沟槽MOSFET
09/09/2025
逻辑级兼容，开关速度快，完全符合AEC-Q101标准，工作温度为175°C。
Nexperia BUK6Q66-60PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q66-60PJ MOSFET
08/27/2025
P沟道FET搭载Trench MOSFET技术，采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装。 
Nexperia BUK6Q8R2-30PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q8R2-30PJ MOSFET
08/27/2025
MLPAK33（SOT8002-3）SMD塑料封装中的P沟道 FET采用沟槽MOSFET技术。
Nexperia MJPEx双极结型晶体管 (BJT)
Nexperia MJPEx双极结型晶体管 (BJT)
08/26/2025
CFP15B封装为采用DPAK封装中的MJD系列提供了紧凑并且经济高效的替代方案。
Nexperia BUK6Q26-40PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q26-40PJ MOSFET
08/19/2025
采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装的P沟道FET，使用沟槽MOSFET技术。 
Nexperia BUK6Q21-30PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q21-30PJ MOSFET
08/19/2025
30V、P沟道FET采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装，使用了沟槽MOSFET技术。 
Nexperia BUK6Q12-40PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q12-40PJ MOSFET
08/19/2025
采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装的P沟道FET，使用沟槽MOSFET技术。 
Nexperia GANB1R2-040QBA和GANB012-040CBA GaN HEMT
Nexperia GANB1R2-040QBA和GANB012-040CBA GaN HEMT
07/03/2025
40V、1.2mΩ 或12mΩ 、双向氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。
Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100V GaN FET
Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100V GaN FET
07/03/2025
常闭电子模式设备，具有卓越的性能和极低的导通电阻。
Nexperia PSC20120x碳化硅 (SiC) 肖特基二极管
Nexperia PSC20120x碳化硅 (SiC) 肖特基二极管
06/02/2025
设计用于超高性能、低损耗、高效率的电源转换应用。
Nexperia ES3D超快恢复整流器
Nexperia ES3D超快恢复整流器
05/07/2025
具有高正向浪涌能力的200V、3A整流器，采用SOD1003-1 SMC封装。
Nexperia ES1D超快恢复整流器
Nexperia ES1D超快恢复整流器
05/07/2025
200V、1A整流器，具有高正向浪涌能力，采用SOD1001-1 SMA封装。
Nexperia ES2D超快恢复整流器
Nexperia ES2D超快恢复整流器
05/07/2025
200V、2A整流器，具有高正向浪涌能力，采用SOD1002-1 SMB封装。
Nexperia ES1J超快恢复整流器
Nexperia ES1J超快恢复整流器
05/02/2025
具有高正向浪涌能力的600V、1A整流器，采用SOD1001-1 SMA封装。
Nexperia ES1B超高速恢复整流器
Nexperia ES1B超高速恢复整流器
05/02/2025
具有高正向浪涌能力的100V、1A整流器，采用SOD1001-1 SMA封装。
Nexperia GS10M恢复整流器
Nexperia GS10M恢复整流器
04/28/2025
1000V、10A整流器，具有高正向浪涌能力，采用SOD1003-1 SMC封装。
Nexperia US1M超快恢复整流器
Nexperia US1M超快恢复整流器
04/28/2025
一款具有高正向浪涌能力的1000V、1A整流器。该器件采用SOD1001-1 SMA封装。
Nexperia MURS160B超快恢复整流器
Nexperia MURS160B超快恢复整流器
04/28/2025
一款具有高正向浪涌能力的600V、1A整流器。该器件采用SOD1002-1 SMB封装。
Nexperia GS5MB恢复整流器
Nexperia GS5MB恢复整流器
04/28/2025
具有高正向浪涌能力的1000V、5A整流器，采用SOD1002-1 SMB封装。
Nexperia GS1M恢复整流器
Nexperia GS1M恢复整流器
04/28/2025
具有高正向浪涌能力的1000V、1A整流器，采用SOD1001-1 SMA封装。
Nexperia US3M超快恢复整流器
Nexperia US3M超快恢复整流器
04/28/2025
一款具有高正向浪涌能力的1000V、3A整流器。该器件采用SOD1003-1 SMC封装。
Nexperia MURS160A超快恢复整流器
Nexperia MURS160A超快恢复整流器
04/28/2025
具有高正向浪涌能力的600V、1A整流器，采用SOD1001-1 SMA封装。
Nexperia FR2JA快速恢复整流器
Nexperia FR2JA快速恢复整流器
04/28/2025
具有高正向浪涌能力的600V、2A整流器，采用SOD1001-1 SMA封装。
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    IXYS IXSH150N120L3KHV SiC MOSFET
    IXYS IXSH150N120L3KHV SiC MOSFET
    09/02/2026
    1200V、13.5mΩ和147A SiC MOSFET，推荐用于工业开关电源。
    IXYS IXSH100N120L3KHV SiC MOSFET
    IXYS IXSH100N120L3KHV SiC MOSFET
    09/02/2026
    1200V、21mΩ和102A SiC MOSFET，推荐用于工业开关电源。
    IXYS IXSH50N120L3KHV SiC MOSFET
    IXYS IXSH50N120L3KHV SiC MOSFET
    09/02/2026
    1200V、55mΩ和48.3A SiC MOSFET，推荐用于工业开关电源。
    IXYS IXSH65N120L3KHV SiC MOSFET
    IXYS IXSH65N120L3KHV SiC MOSFET
    09/02/2026
    适用于工业开关电源的1200V、35mΩ和67A SiC MOSFET。
    IXYS IXSH110N120L3KHV SiC MOSFET
    IXYS IXSH110N120L3KHV SiC MOSFET
    09/02/2026
    1200V、18mΩ和112A SiC MOSFET，推荐用于工业开关电源。
    Microchip Technology HV-D3 mSiC® Power Modules
    Microchip Technology HV-D3 mSiC® Power Modules
    09/01/2026
    Simplifies and accelerates adoption of SSTs in data centers & other high-voltage power applications.
    IXYS SK002xSx敏感型SCR
    IXYS SK002xSx敏感型SCR
    08/27/2026
    具有微处理器驱动支持和高抗噪的敏感型SCR。
    onsemi 80V单N沟道功率MOSFET
    onsemi 80V单N沟道功率MOSFET
    08/25/2026
    具有低RDS(on)，可最大限度降低导通损耗，同时具备低QG和低电容，可最大限度减少驱动器损耗。
    onsemi NXH011F120M3F2碳化硅MOSFET
    onsemi NXH011F120M3F2碳化硅MOSFET
    08/25/2026
    全桥EliteSiC MOSFET模块，导通电阻为11mΩ，额定电压为1200V。
    STMicroelectronics STGI15C60S三相逆变器和IGBT SLLIMM
    STMicroelectronics STGI15C60S三相逆变器和IGBT SLLIMM
    08/19/2026
    该器件非常适用于工作频率高达20kHz的硬开关电路的电机驱动。
    Diotec Semiconductor BAS40-06-AQ SMD Small Signal Schottky Diode
    Diotec Semiconductor BAS40-06-AQ SMD Small Signal Schottky Diode
    08/17/2026
    Offers a very high switching speed, low leakage current, and a low junction capacitance.
    Diotec Semiconductor ESD9BL24P-AQ ESD Protection Diode
    Diotec Semiconductor ESD9BL24P-AQ ESD Protection Diode
    08/17/2026
    Features a low junction capacitance and low leakage current in a miniature case outline.
    Diotec Semiconductor P6KE47CA-AQ Transient Voltage Suppressor Diode
    Diotec Semiconductor P6KE47CA-AQ Transient Voltage Suppressor Diode
    08/14/2026
    Provide reliable protection against transient voltage spikes, ESD, and other overvoltage events.
    Diotec Semiconductor ESD3B36WS-AQ ESD Protection Diode
    Diotec Semiconductor ESD3B36WS-AQ ESD Protection Diode
    08/14/2026
    Features high peak-pulse power and bidirectional clamping.
    Diotec Semiconductor SKL12-AQ SMD Schottky Barrier Rectifier Diode
    Diotec Semiconductor SKL12-AQ SMD Schottky Barrier Rectifier Diode
    08/14/2026
    Features a low forward voltage drop in a low-profile package.
    Nexperia 400V/650V DPAK回流整流器
    Nexperia 400V/650V DPAK回流整流器
    08/12/2026
    适用于高压电源转换的超快和特快DPAK回流整流器。
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET
    08/12/2026
    Automotive 200V N-channel MOSFET with SuperQ technology and TO-220 packaging.
    STMicroelectronics SGT1D5R10MEA PowerGaN晶体管
    STMicroelectronics SGT1D5R10MEA PowerGaN晶体管
    08/11/2026
    具有极低的导通损耗、大电流能力和超快的开关操作速度。
    STMicroelectronics STH4N150-2AG N沟道功率MOSFET
    STMicroelectronics STH4N150-2AG N沟道功率MOSFET
    08/10/2026
    专为确保汽车应用的高电压和可靠性而设计。
    STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaN晶体管
    STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaN晶体管
    08/10/2026
    设计用于高效大功率开关应用。
    Texas Instruments ESD2CANFD24W-Q1 ESD 保护二极管
    Texas Instruments ESD2CANFD24W-Q1 ESD 保护二极管
    08/04/2026
    用于CAN、CAN FD、CAN SIC和CAN XL网络的汽车级ESD保护二极管。
    onsemi NVNJWS1K6N061L N 沟道 MOSFET
    onsemi NVNJWS1K6N061L N 沟道 MOSFET
    07/30/2026
    具有低RDS(on)和低栅极阈值，且集成ESD保护。
    onsemi EMD4DXV6数字晶体管（BRT）
    onsemi EMD4DXV6数字晶体管（BRT）
    07/30/2026
    设计用于替代单个设备及其外部电阻偏置网络。
    ROHM Semiconductor 600V超接合点（SJ）MOSFET
    ROHM Semiconductor 600V超接合点（SJ）MOSFET
    07/21/2026
    紧凑、扁平封装选项，提供出色的散热性能。
    IXYS DK010S3ARP 1000V 10A整流器
    IXYS DK010S3ARP 1000V 10A整流器
    07/20/2026
    该整流器采用玻璃钝化结，稳定性更强，采用DO-214AB封装组装。
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