分离式半导体类型

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Nexperia 400V/650V DPAK回流整流器
Nexperia 400V/650V DPAK回流整流器
08/12/2026
适用于高压电源转换的超快和特快DPAK回流整流器。
Nexperia MLPAK33-WF封装的BUK7Q N沟道MOSFET
Nexperia MLPAK33-WF封装的BUK7Q N沟道MOSFET
09/29/2025
采用沟槽9技术,符合AEC-Q101要求。
Nexperia BUK9Q N沟道沟槽MOSFET
Nexperia BUK9Q N沟道沟槽MOSFET
09/09/2025
逻辑级兼容,开关速度快,完全符合AEC-Q101标准,工作温度为175°C。
Nexperia BUK6Q8R2-30PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q8R2-30PJ MOSFET
08/27/2025
MLPAK33(SOT8002-3)SMD塑料封装中的P沟道 FET采用沟槽MOSFET技术。
Nexperia BUK6Q66-60PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q66-60PJ MOSFET
08/27/2025
P沟道FET搭载Trench MOSFET技术,采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装。 
Nexperia MJPEx双极结型晶体管 (BJT)
Nexperia MJPEx双极结型晶体管 (BJT)
08/26/2025
CFP15B封装为采用DPAK封装中的MJD系列提供了紧凑并且经济高效的替代方案。
Nexperia BUK6Q12-40PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q12-40PJ MOSFET
08/19/2025
采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装的P沟道FET,使用沟槽MOSFET技术。 
Nexperia BUK6Q26-40PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q26-40PJ MOSFET
08/19/2025
采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装的P沟道FET,使用沟槽MOSFET技术。 
Nexperia BUK6Q21-30PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q21-30PJ MOSFET
08/19/2025
30V、P沟道FET采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装,使用了沟槽MOSFET技术。 
Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100V GaN FET
Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100V GaN FET
07/03/2025
常闭电子模式设备,具有卓越的性能和极低的导通电阻。
Nexperia GANB1R2-040QBA和GANB012-040CBA GaN HEMT
Nexperia GANB1R2-040QBA和GANB012-040CBA GaN HEMT
07/03/2025
40V、1.2mΩ 或12mΩ 、双向氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。
Nexperia PSC20120x碳化硅 (SiC) 肖特基二极管
Nexperia PSC20120x碳化硅 (SiC) 肖特基二极管
06/02/2025
设计用于超高性能、低损耗、高效率的电源转换应用。
Nexperia ES2D超快恢复整流器
Nexperia ES2D超快恢复整流器
05/07/2025
200V、2A整流器,具有高正向浪涌能力,采用SOD1002-1 SMB封装。
Nexperia ES3D超快恢复整流器
Nexperia ES3D超快恢复整流器
05/07/2025
具有高正向浪涌能力的200V、3A整流器,采用SOD1003-1 SMC封装。
Nexperia ES1D超快恢复整流器
Nexperia ES1D超快恢复整流器
05/07/2025
200V、1A整流器,具有高正向浪涌能力,采用SOD1001-1 SMA封装。
Nexperia ES1J超快恢复整流器
Nexperia ES1J超快恢复整流器
05/02/2025
具有高正向浪涌能力的600V、1A整流器,采用SOD1001-1 SMA封装。
Nexperia ES1B超高速恢复整流器
Nexperia ES1B超高速恢复整流器
05/02/2025
具有高正向浪涌能力的100V、1A整流器,采用SOD1001-1 SMA封装。
Nexperia US1M超快恢复整流器
Nexperia US1M超快恢复整流器
04/28/2025
一款具有高正向浪涌能力的1000V、1A整流器。该器件采用SOD1001-1 SMA封装。
Nexperia GS8M恢复整流器
Nexperia GS8M恢复整流器
04/28/2025
1000V、8A整流器,具有高正向浪涌能力,采用SOD1003-1 SMC封装。
Nexperia FR2M快速恢复整流器
Nexperia FR2M快速恢复整流器
04/28/2025
具有高正向浪涌能力的1000V、2A整流器,采用SOD1002-1 SMB封装。
Nexperia US1J超快恢复整流器
Nexperia US1J超快恢复整流器
04/28/2025
一款具有高正向浪涌能力的600V、1A 整流器。该器件采用SOD1001-1 SMA封装。
Nexperia FR2JA快速恢复整流器
Nexperia FR2JA快速恢复整流器
04/28/2025
具有高正向浪涌能力的600V、2A整流器,采用SOD1001-1 SMA封装。
Nexperia US3M超快恢复整流器
Nexperia US3M超快恢复整流器
04/28/2025
一款具有高正向浪涌能力的1000V、3A整流器。该器件采用SOD1003-1 SMC封装。
Nexperia GS5MB恢复整流器
Nexperia GS5MB恢复整流器
04/28/2025
具有高正向浪涌能力的1000V、5A整流器,采用SOD1002-1 SMB封装。
Nexperia GS1M恢复整流器
Nexperia GS1M恢复整流器
04/28/2025
具有高正向浪涌能力的1000V、1A整流器,采用SOD1001-1 SMA封装。
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    ROHM Semiconductor RGA50TxX2EHR Automotive Field Stop Trench IGBTs
    ROHM Semiconductor RGA50TxX2EHR Automotive Field Stop Trench IGBTs
    10/22/2026
    These devices feature low switching and conduction losses.
    ROHM Semiconductor RGA50TxX2HR Automotive Field Stop Trench IGBTs
    ROHM Semiconductor RGA50TxX2HR Automotive Field Stop Trench IGBTs
    10/22/2026
    These devices feature low switching and conduction losses.
    Diodes Incorporated DMN2005K N-Ch E-Mode Field-Effect Transistor
    Diodes Incorporated DMN2005K N-Ch E-Mode Field-Effect Transistor
    10/19/2026
    Features low on-resistance, a very low gate threshold voltage, and fast switching performance.
    Qorvo QPD1000A GaN输入匹配晶体管
    Qorvo QPD1000A GaN输入匹配晶体管
    10/14/2026
    50Ω输入匹配分立式GaN-on-SiC HEMT,采用28V电源轨供电,工作频率范围为30MHz至1215MHz。
    Qorvo QPD2562L GaN射频功率晶体管
    Qorvo QPD2562L GaN射频功率晶体管
    10/06/2026
    该器件是一款200W至300W分立GaN-on-SiC HEMT,工作频率范围为2.5GHz至2.9GHz和2.9GHz至3.3GHz。
    Qorvo QPD1426/QPD1426L GaN射频晶体管
    Qorvo QPD1426/QPD1426L GaN射频晶体管
    10/06/2026
    220W分立式GaN-on-SiC HEMT,工作频率为1.2GHz至1.4GHz。
    Littelfuse LTKAK1.5-L TVS二极管
    Littelfuse LTKAK1.5-L TVS二极管
    10/05/2026
    钳位电压低于MOV和GDT等替代技术。 
    Littelfuse AK6-FB轴向引线式TVS二极管
    Littelfuse AK6-FB轴向引线式TVS二极管
    10/05/2026
    专为满足交流及直流线路保护应用中严苛的浪涌测试环境而设计。 
    Littelfuse AK8-FB轴向引线式TVS二极管
    Littelfuse AK8-FB轴向引线式TVS二极管
    10/05/2026
    专为满足交流及直流线路保护应用中严苛的浪涌测试环境而设计。 
    Infineon Technologies HybridPACK™ HD CoolSiC™ MOSFET模块
    Infineon Technologies HybridPACK™ HD CoolSiC™ MOSFET模块
    10/02/2026
    适用于电动商用车牵引逆变器的1400V CoolSiC MOSFET模块。
    Littelfuse SP4315-01WTG TVS二极管阵列
    Littelfuse SP4315-01WTG TVS二极管阵列
    10/01/2026
    超低电容、双向设计,保护电子设备免受破坏性ESD的影响。
    Littelfuse DSxARP车规级硅基肖特基势垒二极管
    Littelfuse DSxARP车规级硅基肖特基势垒二极管
    09/22/2026
    正向压降低,电气性能稳定。
    IXYS IXBOD2击穿二极管模块
    IXYS IXBOD2击穿二极管模块
    09/22/2026
    在要求严格的电力电子应用中提供快速可靠的过压保护。
    onsemi NVMTS1D1N08X N通道功率 MOSFET
    onsemi NVMTS1D1N08X N通道功率 MOSFET
    09/17/2026
    80V汽车级MOSFET,具有低导通电阻和软恢复本体二极管。
    Vishay SQD50P04-09L 40V汽车级P沟道功率MOSFET
    Vishay SQD50P04-09L 40V汽车级P沟道功率MOSFET
    09/16/2026
    该器件非常适合汽车、电源分配和工业功率控制应用。
    STMicroelectronics TVS221SC-1T2单向单线TVS
    STMicroelectronics TVS221SC-1T2单向单线TVS
    09/15/2026
    设计用于保护电源线或其他低速I/O免受ESD和小型浪涌瞬变的影响。
    MACOM MLP7102-0503 PIN Diode
    MACOM MLP7102-0503 PIN Diode
    09/14/2026
    Designed for use in passive or active limiters from 100MHz to beyond 20GHz frequency range.
    onsemi ESDM1021 ESD保护二极管
    onsemi ESDM1021 ESD保护二极管
    09/14/2026
    用于GPIO和低压电源线保护的紧凑型2V双向ESD二极管。
    Littelfuse AK1-A轴向引线式TVS二极管
    Littelfuse AK1-A轴向引线式TVS二极管
    09/10/2026
    专为满足交流及直流线路保护应用中严苛的浪涌测试环境而设计。 
    Littelfuse TP7.0SMD-XC汽车级TVS二极管
    Littelfuse TP7.0SMD-XC汽车级TVS二极管
    09/10/2026
    保护敏感的电子设备免受雷击引起的瞬态电压的影响。
    Littelfuse AK10-FB轴向引线式TVS二极管
    Littelfuse AK10-FB轴向引线式TVS二极管
    09/10/2026
    专为满足交流及直流线路保护应用中严苛的浪涌测试环境而设计。 
    Littelfuse AK3-FB轴向引线式TVS二极管
    Littelfuse AK3-FB轴向引线式TVS二极管
    09/10/2026
    专为满足交流及直流线路保护应用中严苛的浪涌测试环境而设计。 
    Littelfuse AK3-A轴向引线式TVS二极管
    Littelfuse AK3-A轴向引线式TVS二极管
    09/10/2026
    专为满足交流及直流线路保护应用中严苛的浪涌测试环境而设计。 
    Texas Instruments JFE2325双低功耗N沟道JFET
    Texas Instruments JFE2325双低功耗N沟道JFET
    09/09/2026
    旨在与驻极体电容器麦克风 (ECM)等极高阻抗传感器配合使用。
    IXYS IXSH110N120L3KHV SiC MOSFET
    IXYS IXSH110N120L3KHV SiC MOSFET
    09/02/2026
    1200V、18mΩ和112A SiC MOSFET,推荐用于工业开关电源。
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