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ROHM Semiconductor 600V超接合点（SJ）MOSFET
ROHM Semiconductor 600V超接合点（SJ）MOSFET
07/21/2026
紧凑、扁平封装选项，提供出色的散热性能。
ROHM Semiconductor 高密度SiC电源模块
ROHM Semiconductor 高密度SiC电源模块
04/10/2026
TRCDRIVE pack™、DOT-247及HSDIP20封装有助于实现高效能电源转换。
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™with Molded Modules
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™with Molded Modules
03/17/2026
该器件额定电压为1200V，外形尺寸为41.6mm × 52.5mm ，搭载第四代SiC MOSFET元件。
ROHM Semiconductor RJ1P10BAT P沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RJ1P10BAT P沟道功率MOSFET
11/18/2025
该MOSFET的VDSS额定值为-100V，ID额定值（VDS=10V）为±105A。
ROHM Semiconductor RH7G03BBJFRA P沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH7G03BBJFRA P沟道功率MOSFET
11/18/2025
该功率MOSFET的VDSS额定值为-40V，ID额定值（VDS =-10V）为±22A。
ROHM Semiconductor 750V N沟道SiC MOSFET
ROHM Semiconductor 750V N沟道SiC MOSFET
10/17/2025
这款设备可提升开关频率，减少所需的电容器、电抗器以及其他组件。
ROHM Semiconductor RD3x汽车N沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RD3x汽车N沟道功率MOSFET
10/16/2025
AEC-Q101 MOSFET具有正向电压低、恢复时间快、浪涌能力高等特性。
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1700V N沟道SiC功率MOSFET
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1700V N沟道SiC功率MOSFET
08/21/2025
一款额定漏源电压 (VDSS) 为1700V、额定漏极连续电流 (ID) 为3.9A的SiC MOSFET。
ROHM Semiconductor RQxAT P沟道MOSFET
ROHM Semiconductor RQxAT P沟道MOSFET
08/21/2025
采用表面贴装封装，具有低导通电阻，且100%经过Rg和UIS测试。
ROHM Semiconductor RJ1x10BBG功率MOSFET
ROHM Semiconductor RJ1x10BBG功率MOSFET
08/21/2025
N沟道功率MOSFET，采用大功率封装，具有低导通电阻特性。
ROHM Semiconductor RH7L03 60 V N沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH7L03 60 V N沟道功率MOSFET
08/19/2025
一款额定VDSS 为60V、额定ID 为±35A的车规级MOSFET，符合AEC-Q101认证要求。
ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100V N沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100V N沟道功率MOSFET
08/19/2025
一款车规级MOSFET，其额定VDSS 为100V，额定ID 为±40A，符合AEC-Q101认证要求。
ROHM Semiconductor RH7G04 40 V N通道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH7G04 40 V N通道功率MOSFET
08/19/2025
该设备为车规级MOSFET，额定VDSS 为40V，额定ID为±40A，符合AEC-Q101认证要求。
ROHM Semiconductor RQ5G040AT -40V P沟道小信号MOSFET
ROHM Semiconductor RQ5G040AT -40V P沟道小信号MOSFET
08/19/2025
一款额定漏源电压 (VDSS) 为-40V，额定漏极连续电流 (ID) 为±4.0A的MOSFET。
ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60V P沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60V P沟道功率MOSFET
08/19/2025
一款车规级MOSFET，额定VDSS 为-60V，额定ID 为±36A，符合AEC-Q101认证要求。
ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40V N沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40V N沟道功率MOSFET
08/19/2025
一款车规级MOSFET，额定VDSS 为40V，额定ID 为±12A，符合AEC-Q101认证要求。
ROHM Semiconductor RH7L04 60 V N通道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH7L04 60 V N通道功率MOSFET
08/19/2025
车规级MOSFET，额定VDSS 为60V，额定ID 为±40A，符合AEC-Q101认证要求。
ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA -30V P沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA -30V P沟道功率MOSFET
08/19/2025
一款车规级MOSFET，额定VDSS 为-30V、额定ID 为±40A，符合AEC-Q101认证要求。
ROHM Semiconductor 2SAR579D3 PNP 1.5A 160V功率晶体管
ROHM Semiconductor 2SAR579D3 PNP 1.5A 160V功率晶体管
08/06/2025
一款低VCE(sat) 功率晶体管，适合用作低频放大器。
ROHM Semiconductor AG508EGD3 -40V -40A P沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor AG508EGD3 -40V -40A P沟道功率MOSFET
08/06/2025
此MOSFET是一款符合AEC-Q101标准的汽车级功率MOSFET。
ROHM Semiconductor 2SCR579D3 NPN 1.5A 160V功率晶体管
ROHM Semiconductor 2SCR579D3 NPN 1.5A 160V功率晶体管
08/06/2025
一款低VCE(sat) 功率晶体管，适合用作低频放大器。
ROHM Semiconductor RQ3P270BLFRA功率MOSFET
ROHM Semiconductor RQ3P270BLFRA功率MOSFET
08/04/2025
HSMT8AG封装符合AEC-Q101标准的汽车级MOSFET。
ROHM Semiconductor RxL120BLFRA功率MOSFET
ROHM Semiconductor RxL120BLFRA功率MOSFET
07/22/2025
符合AEC-Q101标准的车规级MOSFET，适用于ADAS、信息娱乐、照明和车身等应用。
ROHM Semiconductor RxP120BLFRA功率MOSFET
ROHM Semiconductor RxP120BLFRA功率MOSFET
07/22/2025
符合AEC-Q101标准的车规级MOSFET，非常适合用于汽车应用。
ROHM Semiconductor 车规级40V/60V LV-MOSFET
ROHM Semiconductor 车规级40V/60V LV-MOSFET
07/18/2025
集高性能和高可靠性于一体，可满足车辆应用的严格要求。
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    IXYS IXSH100N120L3KHV SiC MOSFET
    IXYS IXSH100N120L3KHV SiC MOSFET
    09/02/2026
    1200V、21mΩ和102A SiC MOSFET，推荐用于工业开关电源。
    IXYS IXSH150N120L3KHV SiC MOSFET
    IXYS IXSH150N120L3KHV SiC MOSFET
    09/02/2026
    1200V、13.5mΩ和147A SiC MOSFET，推荐用于工业开关电源。
    IXYS IXSH65N120L3KHV SiC MOSFET
    IXYS IXSH65N120L3KHV SiC MOSFET
    09/02/2026
    适用于工业开关电源的1200V、35mΩ和67A SiC MOSFET。
    IXYS IXSH110N120L3KHV SiC MOSFET
    IXYS IXSH110N120L3KHV SiC MOSFET
    09/02/2026
    1200V、18mΩ和112A SiC MOSFET，推荐用于工业开关电源。
    IXYS IXSH50N120L3KHV SiC MOSFET
    IXYS IXSH50N120L3KHV SiC MOSFET
    09/02/2026
    1200V、55mΩ和48.3A SiC MOSFET，推荐用于工业开关电源。
    Microchip Technology HV-D3 mSiC® Power Modules
    Microchip Technology HV-D3 mSiC® Power Modules
    09/01/2026
    Simplifies and accelerates adoption of SSTs in data centers & other high-voltage power applications.
    onsemi 80V单N沟道功率MOSFET
    onsemi 80V单N沟道功率MOSFET
    08/25/2026
    具有低RDS(on)，可最大限度降低导通损耗，同时具备低QG和低电容，可最大限度减少驱动器损耗。
    onsemi NXH011F120M3F2碳化硅MOSFET
    onsemi NXH011F120M3F2碳化硅MOSFET
    08/25/2026
    全桥EliteSiC MOSFET模块，导通电阻为11mΩ，额定电压为1200V。
    STMicroelectronics STGI15C60S三相逆变器和IGBT SLLIMM
    STMicroelectronics STGI15C60S三相逆变器和IGBT SLLIMM
    08/19/2026
    该器件非常适用于工作频率高达20kHz的硬开关电路的电机驱动。
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET
    08/12/2026
    Automotive 200V N-channel MOSFET with SuperQ technology and TO-220 packaging.
    STMicroelectronics SGT1D5R10MEA PowerGaN晶体管
    STMicroelectronics SGT1D5R10MEA PowerGaN晶体管
    08/11/2026
    具有极低的导通损耗、大电流能力和超快的开关操作速度。
    STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaN晶体管
    STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaN晶体管
    08/10/2026
    设计用于高效大功率开关应用。
    STMicroelectronics STH4N150-2AG N沟道功率MOSFET
    STMicroelectronics STH4N150-2AG N沟道功率MOSFET
    08/10/2026
    专为确保汽车应用的高电压和可靠性而设计。
    onsemi EMD4DXV6数字晶体管（BRT）
    onsemi EMD4DXV6数字晶体管（BRT）
    07/30/2026
    设计用于替代单个设备及其外部电阻偏置网络。
    onsemi NVNJWS1K6N061L N 沟道 MOSFET
    onsemi NVNJWS1K6N061L N 沟道 MOSFET
    07/30/2026
    具有低RDS(on)和低栅极阈值，且集成ESD保护。
    ROHM Semiconductor 600V超接合点（SJ）MOSFET
    ROHM Semiconductor 600V超接合点（SJ）MOSFET
    07/21/2026
    紧凑、扁平封装选项，提供出色的散热性能。
    onsemi GaNEXUS™ GaN FET
    onsemi GaNEXUS™ GaN FET
    07/08/2026
    宽带隙材料特性，可实现低栅极和输出电荷、快速开关和效率提升。 
    Vishay MXP075 MaxSiC® 750V N沟道MOSFET
    Vishay MXP075 MaxSiC® 750V N沟道MOSFET
    06/19/2026
    具有750V漏源电压、快速开关速度以及小于3μs的短路耐受时间。
    Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
    Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
    06/18/2026
    Based on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.
    Infineon Technologies EasyPACK™ S模块
    Infineon Technologies EasyPACK™ S模块
    06/12/2026
    紧凑型、易于集成的封装设计，适用于现代电源设计，可实现高效电源转换。
    Infineon Technologies OptiMOS™ 7 100V车规级功率MOSFET
    Infineon Technologies OptiMOS™ 7 100V车规级功率MOSFET
    05/27/2026
    先进的N沟道设备，专为高效功率开关而设计。
    Texas Instruments 2N7002L 6V N沟道MOSFET
    Texas Instruments 2N7002L 6V N沟道MOSFET
    05/18/2026
    旨在最大限度地降低导通电阻，同时保持快速的开关性能。
    Infineon Technologies CIPOS™ Prime汽车级CoolSiC™电源模块
    Infineon Technologies CIPOS™ Prime汽车级CoolSiC™电源模块
    05/06/2026
    电源模块设计用于为xEV应用提供高性能。
    onsemi NVBYST0D8N08X单N沟道功率MOSFET
    onsemi NVBYST0D8N08X单N沟道功率MOSFET
    04/14/2026
    针对高压运行进行了优化，并可承受快速开关及大电流应力。
    ROHM Semiconductor 高密度SiC电源模块
    ROHM Semiconductor 高密度SiC电源模块
    04/10/2026
    TRCDRIVE pack™、DOT-247及HSDIP20封装有助于实现高效能电源转换。
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