APC-E 最新分立半导体

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APC-E Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes
APC-E Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes
05/06/2025
Delivers superior power handling, high-frequency/-temp operation, and reduced capacitive charge.
APC-E Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
APC-E Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
05/06/2025
Delivers high power, high frequency, and unmatched performance for demanding applications.
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Texas Instruments ESD2CANFD24W-Q1 ESD Protection Diodes
Texas Instruments ESD2CANFD24W-Q1 ESD Protection Diodes
08/04/2026
Automotive ESD protection diodes for CAN, CAN FD, CAN SIC, and CAN XL networks.
onsemi EMD4DXV6数字晶体管（BRT）
onsemi EMD4DXV6数字晶体管（BRT）
07/30/2026
设计用于替代单个设备及其外部电阻偏置网络。
onsemi NVNJWS1K6N061L N 沟道 MOSFET
onsemi NVNJWS1K6N061L N 沟道 MOSFET
07/30/2026
具有低RDS(on)和低栅极阈值，且集成ESD保护。
ROHM Semiconductor 600V超接合点（SJ）MOSFET
ROHM Semiconductor 600V超接合点（SJ）MOSFET
07/21/2026
紧凑、扁平封装选项，提供出色的散热性能。
IXYS DK610S3RP 1600V通用整流器二极管
IXYS DK610S3RP 1600V通用整流器二极管
07/20/2026
节省空间，非常适合用于自动化组装，也适合直流相控应用。
IXYS DK010S3ARP 1000V 10A整流器
IXYS DK010S3ARP 1000V 10A整流器
07/20/2026
该整流器采用玻璃钝化结，稳定性更强，采用DO-214AB封装组装。
onsemi GaNEXUS™ GaN FET
onsemi GaNEXUS™ GaN FET
07/08/2026
宽带隙材料特性，可实现低栅极和输出电荷、快速开关和效率提升。 
Bourns CDDFN2表面贴装TVS二极管
Bourns CDDFN2表面贴装TVS二极管
07/07/2026
为电子设备外部端口提供ESD、EFT和浪涌保护，从而限制严重损坏。
Semtech RCLAMP2891PQ TVS二极管
Semtech RCLAMP2891PQ TVS二极管
06/30/2026
超低电容单线，28V TVS二极管，保护高速信号线免受ESD和EOS的影响。
Diotec Semiconductor SI02C120SMA Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode
Diotec Semiconductor SI02C120SMA Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode
06/29/2026
Offers a repetitive reverse voltage rating of 1200V and a forward current capability of 2A.
Bourns CDSOD323-T24LC-Q汽车级TVS二极管
Bourns CDSOD323-T24LC-Q汽车级TVS二极管
06/26/2026
双向汽车级TVS二极管，采用紧凑型SOD-323封装。
Littelfuse TVS SPA二极管阵列
Littelfuse TVS SPA二极管阵列
06/26/2026
TVS二极管阵列用于保护数据和电源接口免受ESD、EFT和浪涌事件的影响。
Bourns CDSOD323-TxxSC-Q TVS二极管
Bourns CDSOD323-TxxSC-Q TVS二极管
06/25/2026
采用双向配置，提供3V至36V的多种电压选项。
Diodes Incorporated D3V3ZF1BD2CSP双向TVS二极管
Diodes Incorporated D3V3ZF1BD2CSP双向TVS二极管
06/22/2026
专为保护高速差动线路而设计的低电容设备。
Vishay MXP075 MaxSiC® 750V N沟道MOSFET
Vishay MXP075 MaxSiC® 750V N沟道MOSFET
06/19/2026
具有750V漏源电压、快速开关速度以及小于3μs的短路耐受时间。
Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
06/18/2026
Based on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.
Infineon Technologies EasyPACK™ S模块
Infineon Technologies EasyPACK™ S模块
06/12/2026
紧凑型、易于集成的封装设计，适用于现代电源设计，可实现高效电源转换。
Infineon Technologies OptiMOS™ 7 100V车规级功率MOSFET
Infineon Technologies OptiMOS™ 7 100V车规级功率MOSFET
05/27/2026
先进的N沟道设备，专为高效功率开关而设计。
Texas Instruments 2N7002L 6V N沟道MOSFET
Texas Instruments 2N7002L 6V N沟道MOSFET
05/18/2026
旨在最大限度地降低导通电阻，同时保持快速的开关性能。
Bourns CDSOT23-SM712-Q表面贴装TVS二极管
Bourns CDSOT23-SM712-Q表面贴装TVS二极管
05/12/2026
符合IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4和IEC 61000-4-5标准，为数据端口提供保护。
Infineon Technologies CIPOS™ Prime汽车级CoolSiC™电源模块
Infineon Technologies CIPOS™ Prime汽车级CoolSiC™电源模块
05/06/2026
电源模块设计用于为xEV应用提供高性能。
Littelfuse TP1KSMB-FL FlatSuppressX™ TVS二极管
Littelfuse TP1KSMB-FL FlatSuppressX™ TVS二极管
05/04/2026
专为保护敏感的 电子设备免受电压瞬变影响而设计。
Littelfuse TP5.0SMD-FL FlatSuppressX™ TVS二极管
Littelfuse TP5.0SMD-FL FlatSuppressX™ TVS二极管
05/04/2026
使用10/1000µs波形提供5000W峰值脉冲功率能力，耗散功率为6.5W。
Littelfuse AK-FL TVS二极管
Littelfuse AK-FL TVS二极管
05/04/2026
轴向引线式、FlatSuppressX™扁平低钳位双向TVS二极管。
RECOM Power IC、变压器及分立器件解决方案
RECOM Power IC、变压器及分立器件解决方案
04/24/2026
提供适用于能源、工业和医疗应用的理想元器件。
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