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Nexperia MLPAK33-WF封装的BUK7Q N沟道MOSFET
Nexperia MLPAK33-WF封装的BUK7Q N沟道MOSFET
09/29/2025
采用沟槽9技术，符合AEC-Q101要求。
Nexperia BUK9Q N沟道沟槽MOSFET
Nexperia BUK9Q N沟道沟槽MOSFET
09/09/2025
逻辑级兼容，开关速度快，完全符合AEC-Q101标准，工作温度为175°C。
Nexperia BUK6Q66-60PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q66-60PJ MOSFET
08/27/2025
P沟道FET搭载Trench MOSFET技术，采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装。 
Nexperia BUK6Q8R2-30PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q8R2-30PJ MOSFET
08/27/2025
MLPAK33（SOT8002-3）SMD塑料封装中的P沟道 FET采用沟槽MOSFET技术。
Nexperia MJPEx双极结型晶体管 (BJT)
Nexperia MJPEx双极结型晶体管 (BJT)
08/26/2025
CFP15B封装为采用DPAK封装中的MJD系列提供了紧凑并且经济高效的替代方案。
Nexperia BUK6Q12-40PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q12-40PJ MOSFET
08/19/2025
采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装的P沟道FET，使用沟槽MOSFET技术。 
Nexperia BUK6Q26-40PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q26-40PJ MOSFET
08/19/2025
采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装的P沟道FET，使用沟槽MOSFET技术。 
Nexperia BUK6Q21-30PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q21-30PJ MOSFET
08/19/2025
30V、P沟道FET采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装，使用了沟槽MOSFET技术。 
Nexperia GANB1R2-040QBA和GANB012-040CBA GaN HEMT
Nexperia GANB1R2-040QBA和GANB012-040CBA GaN HEMT
07/03/2025
40V、1.2mΩ 或12mΩ 、双向氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。
Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100V GaN FET
Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100V GaN FET
07/03/2025
常闭电子模式设备，具有卓越的性能和极低的导通电阻。
Nexperia PSC20120x碳化硅 (SiC) 肖特基二极管
Nexperia PSC20120x碳化硅 (SiC) 肖特基二极管
06/02/2025
设计用于超高性能、低损耗、高效率的电源转换应用。
Nexperia ES2D超快恢复整流器
Nexperia ES2D超快恢复整流器
05/07/2025
200V、2A整流器，具有高正向浪涌能力，采用SOD1002-1 SMB封装。
Nexperia ES3D超快恢复整流器
Nexperia ES3D超快恢复整流器
05/07/2025
具有高正向浪涌能力的200V、3A整流器，采用SOD1003-1 SMC封装。
Nexperia ES1D超快恢复整流器
Nexperia ES1D超快恢复整流器
05/07/2025
200V、1A整流器，具有高正向浪涌能力，采用SOD1001-1 SMA封装。
Nexperia ES1B超高速恢复整流器
Nexperia ES1B超高速恢复整流器
05/02/2025
具有高正向浪涌能力的100V、1A整流器，采用SOD1001-1 SMA封装。
Nexperia ES1J超快恢复整流器
Nexperia ES1J超快恢复整流器
05/02/2025
具有高正向浪涌能力的600V、1A整流器，采用SOD1001-1 SMA封装。
Nexperia GS10M恢复整流器
Nexperia GS10M恢复整流器
04/28/2025
1000V、10A整流器，具有高正向浪涌能力，采用SOD1003-1 SMC封装。
Nexperia GS8M恢复整流器
Nexperia GS8M恢复整流器
04/28/2025
1000V、8A整流器，具有高正向浪涌能力，采用SOD1003-1 SMC封装。
Nexperia FR2JA快速恢复整流器
Nexperia FR2JA快速恢复整流器
04/28/2025
具有高正向浪涌能力的600V、2A整流器，采用SOD1001-1 SMA封装。
Nexperia MURS160B超快恢复整流器
Nexperia MURS160B超快恢复整流器
04/28/2025
一款具有高正向浪涌能力的600V、1A整流器。该器件采用SOD1002-1 SMB封装。
Nexperia GS1M恢复整流器
Nexperia GS1M恢复整流器
04/28/2025
具有高正向浪涌能力的1000V、1A整流器，采用SOD1001-1 SMA封装。
Nexperia US1M超快恢复整流器
Nexperia US1M超快恢复整流器
04/28/2025
一款具有高正向浪涌能力的1000V、1A整流器。该器件采用SOD1001-1 SMA封装。
Nexperia GS5MB恢复整流器
Nexperia GS5MB恢复整流器
04/28/2025
具有高正向浪涌能力的1000V、5A整流器，采用SOD1002-1 SMB封装。
Nexperia MURS160A超快恢复整流器
Nexperia MURS160A超快恢复整流器
04/28/2025
具有高正向浪涌能力的600V、1A整流器，采用SOD1001-1 SMA封装。
Nexperia US1J超快恢复整流器
Nexperia US1J超快恢复整流器
04/28/2025
一款具有高正向浪涌能力的600V、1A 整流器。该器件采用SOD1001-1 SMA封装。
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    onsemi EMD4DXV6 Digital Transistors ( BRTs)
    onsemi EMD4DXV6 Digital Transistors ( BRTs)
    07/30/2026
    Designed to replace a single device and its external resistor bias network.
    onsemi NVNJWS1K6N061L N-Channel MOSFET
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    07/30/2026
    Features low RDS(on) and low gate threshold with integrated ESD protection.
    ROHM Semiconductor 600V超接合点（SJ）MOSFET
    ROHM Semiconductor 600V超接合点（SJ）MOSFET
    07/21/2026
    紧凑、扁平封装选项，提供出色的散热性能。
    IXYS DK010S3ARP 1000V 10A整流器
    IXYS DK010S3ARP 1000V 10A整流器
    07/20/2026
    该整流器采用玻璃钝化结，稳定性更强，采用DO-214AB封装组装。
    IXYS DK610S3RP 1600V通用整流器二极管
    IXYS DK610S3RP 1600V通用整流器二极管
    07/20/2026
    节省空间，非常适合用于自动化组装，也适合直流相控应用。
    onsemi GaNEXUS™ GaN FET
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    07/08/2026
    宽带隙材料特性，可实现低栅极和输出电荷、快速开关和效率提升。 
    Bourns CDDFN2表面贴装TVS二极管
    Bourns CDDFN2表面贴装TVS二极管
    07/07/2026
    为电子设备外部端口提供ESD、EFT和浪涌保护，从而限制严重损坏。
    Semtech RCLAMP2891PQ TVS二极管
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    06/30/2026
    超低电容单线，28V TVS二极管，保护高速信号线免受ESD和EOS的影响。
    Diotec Semiconductor SI02C120SMA Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode
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    06/29/2026
    Offers a repetitive reverse voltage rating of 1200V and a forward current capability of 2A.
    Littelfuse TVS SPA二极管阵列
    Littelfuse TVS SPA二极管阵列
    06/26/2026
    TVS二极管阵列用于保护数据和电源接口免受ESD、EFT和浪涌事件的影响。
    Bourns CDSOD323-T24LC-Q汽车级TVS二极管
    Bourns CDSOD323-T24LC-Q汽车级TVS二极管
    06/26/2026
    双向汽车级TVS二极管，采用紧凑型SOD-323封装。
    Bourns CDSOD323-TxxSC-Q TVS二极管
    Bourns CDSOD323-TxxSC-Q TVS二极管
    06/25/2026
    采用双向配置，提供3V至36V的多种电压选项。
    Diodes Incorporated D3V3ZF1BD2CSP双向TVS二极管
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    06/22/2026
    专为保护高速差动线路而设计的低电容设备。
    Vishay MXP075 MaxSiC® 750V N沟道MOSFET
    Vishay MXP075 MaxSiC® 750V N沟道MOSFET
    06/19/2026
    具有750V漏源电压、快速开关速度以及小于3μs的短路耐受时间。
    Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
    Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
    06/18/2026
    Based on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.
    Infineon Technologies EasyPACK™ S模块
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    06/12/2026
    紧凑型、易于集成的封装设计，适用于现代电源设计，可实现高效电源转换。
    Infineon Technologies OptiMOS™ 7 100V车规级功率MOSFET
    Infineon Technologies OptiMOS™ 7 100V车规级功率MOSFET
    05/27/2026
    先进的N沟道设备，专为高效功率开关而设计。
    Texas Instruments 2N7002L 6V N沟道MOSFET
    Texas Instruments 2N7002L 6V N沟道MOSFET
    05/18/2026
    旨在最大限度地降低导通电阻，同时保持快速的开关性能。
    Bourns CDSOT23-SM712-Q表面贴装TVS二极管
    Bourns CDSOT23-SM712-Q表面贴装TVS二极管
    05/12/2026
    符合IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4和IEC 61000-4-5标准，为数据端口提供保护。
    Infineon Technologies CIPOS™ Prime汽车级CoolSiC™电源模块
    Infineon Technologies CIPOS™ Prime汽车级CoolSiC™电源模块
    05/06/2026
    电源模块设计用于为xEV应用提供高性能。
    Littelfuse TP1KSMB-FL FlatSuppressX™ TVS二极管
    Littelfuse TP1KSMB-FL FlatSuppressX™ TVS二极管
    05/04/2026
    专为保护敏感的 电子设备免受电压瞬变影响而设计。
    Littelfuse TP5.0SMD-FL FlatSuppressX™ TVS二极管
    Littelfuse TP5.0SMD-FL FlatSuppressX™ TVS二极管
    05/04/2026
    使用10/1000µs波形提供5000W峰值脉冲功率能力，耗散功率为6.5W。
    Littelfuse AK-FL TVS二极管
    Littelfuse AK-FL TVS二极管
    05/04/2026
    轴向引线式、FlatSuppressX™扁平低钳位双向TVS二极管。
    Littelfuse QVx35xHx高温交变型三端双向可控硅
    Littelfuse QVx35xHx高温交变型三端双向可控硅
    04/24/2026
    额定电流为35A，提供TO-220AB、TO-220隔离型及TO-263封装。
    Littelfuse SJx08x高温SCR
    Littelfuse SJx08x高温SCR
    04/24/2026
    电压高达800V，浪涌电流能力高达100A，额定温度为+150°C。
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