碳化硅MOSFET

碳化硅MOSFET
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结果: 1,480
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
Central Semiconductor 碳化硅MOSFET 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC
数据表
17库存量
最低： 1
倍数： 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.7 kV 26 A 40 mOhms 20 V 2.4 V - 55 C + 175 C 28 W Depletion
onsemi 碳化硅MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO263-3
数据表
458库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) 1 Channel 650 V 65 A 27 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 25 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
SemiQ 碳化硅MOSFET 1200V, 80mOhm, TO-263-7L MOSFET
数据表
6库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 35 A 77 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 53 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V
数据表
5库存量
240预期 2026/9/3
最低： 1
倍数： 1
Through Hole PG-TO-247-4 1 Channel 750 V 60 A 31 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 202 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
数据表
5库存量
750在途量
最低： 1
倍数： 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 1 Channel 750 V 86 A 25 mOhms -7 V to + 23 V 4.5 V 59 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement CoolSiC
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A
数据表
7库存量
600预期 2027/2/5
最低： 1
倍数： 1
: 600

AEC-Q100
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET Automotive SiC MOSFET 750V G2
数据表
13库存量
1,000在途量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 79 A 40 mOhms - 7 V, + 23 V 4.5 V 59 nC - 55 C + 175 C 282 W Enhancement CoolSiC
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/16MOSICFETG3TO24
数据表
205库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 107 A 21 mOhms - 20 V, + 20 V 4 V 218 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO263 1.2KV 24A N-CH SIC
数据表
1,201库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 24 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 64 nC + 175 C 93 W Enhancement AEC-Q101
Micro Commercial Components (MCC) 碳化硅MOSFET
数据表
产品评论
1,736库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 38 A 85 mOhms - 8 V, + 22 V 3.6 V 41 nC - 55 C + 175 C 220 W Enhancement
onsemi 碳化硅MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO263
数据表
738库存量
最低： 1
倍数： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 43 A 42 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 43 nC - 55 C + 175 C 195 W Enhancement SiC FET
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-268
数据表
23库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT D3PAK-3 1 Channel 1.2 kV 89 A 31 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V 232 nC - 55 C + 175 C 370 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET 650V 39A 165W SIC 60mOhm TO-247N
数据表
产品评论
428库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 39 A 78 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC + 175 C 165 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET Transistor SiC MOSFET 650V 80m 3rd Gen TO-263-7L
数据表
855库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 29 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 48 nC + 175 C 125 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET Nch 1200V 24A SiC TO-247N
数据表
169库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 24 A 137 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 51 nC + 175 C 134 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO247 750V 34A N-CH SIC
数据表
810库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247N-3 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V
数据表
282库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 102 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 510 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART
数据表
224库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 58 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO263-7
数据表
199库存量
最低： 1
倍数： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 27 A 85 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23 nC - 55 C + 175 C 136.4 W Enhancement SiC FET
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET Transistor SiC MOSFET 1200V 280m 2nd Gen TO-247
数据表
产品评论
450库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247N-3 1 Channel 1.2 kV 14 A 364 mOhms - 6 V, + 22 V 4 V 36 nC + 175 C 108 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET 650V 30A 134W SIC 80mOhm TO-247N
数据表
产品评论
366库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247N-3 1 Channel 650 V 30 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 48 nC + 175 C 134 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO263 1.2KV 30A N-CH SIC
数据表
369库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 30 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 60 nC + 175 C 159 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO247 750V 34A N-CH SIC
数据表
311库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM
数据表
450库存量
最低： 1
倍数： 1

TO-247-4 EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO263-7
数据表
795库存量
最低： 1
倍数： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 62 A 27 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 43 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement SiC FET