CoolSiC™ MOSFET

英飞凌CoolSiC™ MOSFET采用先进的沟槽半导体工艺构建，经过优化，可实现最低的应用损耗和最高的运行可靠性。该款分立式CoolSiC产品组合采用TO和SMD外壳，有650V、1200V和1700V电压等级可供选择，额定导通电阻范围为27mΩ 至1000mΩ 。CoolSiC沟槽式技术可实现灵活的参数集，用于在各自的产品组合中实现特定应用的特性。这些特性包括栅极-源极电压、雪崩规格、短路能力或额定用于硬换向的内部体二极管。

结果: 30
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
数据表
1,148库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 26 A 125 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 23 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
数据表
345库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 83 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 34 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
数据表
651库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 47 A 45 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 46 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
444库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 142 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
数据表
1,530库存量
4,000预期 2026/3/2
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 5.2 A 1 Ohms - 10 V, + 20 V 4.5 V 5 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
数据表
1,827库存量
1,250预期 2026/3/19
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 9.8 A 450 mOhms - 10 V, + 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
数据表
179库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 41 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 63 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
数据表
594库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 18 A 189 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 13.4 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
数据表
824库存量
1,000预期 2026/2/26
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 4.7 A 468 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 5.9 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
数据表
176库存量
240预期 2026/3/5
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 40 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 63 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
数据表
1,180库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 26 A 117 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 21 nC - 55 C + 150 C 115 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
数据表
1,004库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 13 A 289 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
数据表
840库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 40 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 63 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
222库存量
720预期 2026/7/30
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 59 A 34 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 63 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
332库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
153库存量
240预期 2026/2/23
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 34 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 62 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
数据表
57库存量
1,000预期 2026/2/18
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 13 A 294 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 9.4 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
数据表
255库存量
240预期 2026/8/20
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 78 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 31 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
数据表
422库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 19 A 182 mOhms - 7 V, + 23 V 3.5 V 13 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
数据表
68库存量
240预期 2026/2/16
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 4.7 A 455 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 5.3 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
300库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 26 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
251库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 142 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
数据表
173库存量
960预期 2026/5/7
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 78 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 31 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
数据表
159库存量
240预期 2026/2/12
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 19 A 182 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 13 nC - 55 C + 150 C 94 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
数据表
80库存量
480预期 2026/8/5
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 13 A 220 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC