GaN HEMTs GaN 场效应晶体管

结果: 36
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描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt
数据表
产品评论
660库存量
最低： 10
倍数： 10

SMD/SMT Die N-Channel 120 V 750 mA 1.6 Ohms - 3 V
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt
数据表
产品评论
20库存量
最低： 10
倍数： 10

SMD/SMT Die N-Channel 4 Channel 100 V 2 A 600 mOhms - 3 V
ROHM Semiconductor GaN 场效应晶体管 GaN 场效应晶体管 650V, 23A, 70m
数据表
416库存量
最低： 1
倍数： 1
: 3,500
SMD/SMT DFN8080CK-8 N-Channel 1 Channel 650 V 27.2 A 98 mOhms - 10 V, + 6.5 V 2.5 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 169 W Enhancement
ROHM Semiconductor GaN 场效应晶体管 GaN 场效应晶体管 650V, 14.5A, 130m, Pd 91W
数据表
1,574库存量
最低： 1
倍数： 1
: 3,500
SMD/SMT DFN8080CK-8 N-Channel 1 Channel 650 V 14.5 A 182 mOhms - 10 V, + 6.5 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 91 W Enhancement
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt
数据表
2,315库存量
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 1.5 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt
数据表
170库存量
640在途量
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 3 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt
数据表
87库存量
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 6 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 100 Watt
数据表
73库存量
225预期 2026/12/31
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440193 N-Channel 150 V 8.7 A 2.3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt
数据表
4库存量
175在途量
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 10 Watt
数据表
66库存量
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 1.5 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
数据表
927在途量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT 440109 N-Channel 120 V 750 mA - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
数据表
1,948在途量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 200

SMD/SMT QFN-6 N-Channel 120 V 750 mA - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 35 Watt
数据表
782在途量
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 4.5 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt
数据表
21预期 2026/9/25
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440199 N-Channel 2 Channel 120 V 24 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
数据表
694在途量
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440166 N-Channel 100 V 4.2 A 2.3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 10W, 4.0GHz, 830120P, GaN HEMT, PILL
数据表
117预期 2026/11/17
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440196 N-Channel 120 V 1.5 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 90 Watt
数据表
交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440199 N-Channel 2 Channel 120 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 25 Watt
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 80
倍数： 80

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 3 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 15 Watt
数据表
产品评论
无库存交货期 26 周
最低： 100
倍数： 10

SMD/SMT Die N-Channel 120 V 1.5 A 1 Ohms - 3 V
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt
数据表
产品评论
无库存交货期 26 周
最低： 10
倍数： 10

SMD/SMT Die N-Channel 2 Channel 120 V 3 A 500 mOhms - 3 V
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 250 Watt
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440162 N-Channel 150 V 18 A - 3 V - 40 C + 130 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 500 Watt
数据表
交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440117 N-Channel 150 V 36 A - 3 V - 40 C + 130 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt
数据表
产品评论
无库存交货期 26 周
最低： 10
倍数： 10

SMD/SMT Die N-Channel 100 V 800 mA 2.3 Ohms - 3 V
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt
数据表
产品评论
无库存交货期 26 周
最低： 50
倍数： 10

SMD/SMT Die N-Channel 2 Channel 50 V 3.2 A
MACOM CGH35240F
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 3.1-3.5GHz, 240 Watt
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440201 N-Channel 120 V 24 A - 3 V - 40 C + 150 C