分离式半导体类型
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IXYS X4级功率MOSFET
IXYS X4级功率MOSFET
02/02/2026
导通电阻和导通损耗低，效率更高。
IXYS DP高压快速恢复二极管
IXYS DP高压快速恢复二极管
01/20/2026
600V或1200V SCHOTTKY二极管，具有低反向漏电流和快速恢复时间。
IXYS MMIX1T500N20X4 200V X4-Class 功率MOSFET
IXYS MMIX1T500N20X4 200V X4-Class 功率MOSFET
10/08/2025
基于陶瓷的隔离封装提高了整体Rth(j-s) 和功率处理能力。
IXYS IXSxNxL2Kx碳化硅 (SiC) MOSFET
IXYS IXSxNxL2Kx碳化硅 (SiC) MOSFET
09/19/2025
这些器件具有高阻断电压和低导通电阻[RDS(ON)]。
IXYS IXSJxN120R1K 1200V SiC功率MOSFET
IXYS IXSJxN120R1K 1200V SiC功率MOSFET
08/27/2025
高达1200V的阻断电压，具有18mΩ或36mΩ低RDS(on) 。
IXYS Dx系列汽车用硅整流器
IXYS Dx系列汽车用硅整流器
04/14/2025
采用玻璃钝化结，确保稳定工作和高可靠性。
IXYS DCK SiC SCHOTTKY 二极管
IXYS DCK SiC SCHOTTKY 二极管
04/03/2025
具有高频工作和高浪涌电流能力。
IXYS MCMA140PD1800TB晶闸管二极管模块
IXYS MCMA140PD1800TB晶闸管二极管模块
03/25/2025
140A二极管模块，集成了平面钝化芯片，具有长期稳定性。
IXYS IXFP34N65X2W功率MOSFET
IXYS IXFP34N65X2W功率MOSFET
03/17/2025
650V、100mΩ、X2级HiPerFET™ 功率MOSFET，具有N沟道增强模式。
IXYS IXSA80N120L2-7 SiC MOSFET
IXYS IXSA80N120L2-7 SiC MOSFET
03/06/2025
单开关MOSFET，设有1200V、30mΩ 、79A工业级器件，采用TO263-7L封装。
IXYS IXSA40N120L2-7 SiC MOSFET
IXYS IXSA40N120L2-7 SiC MOSFET
03/06/2025
单开关MOSFET，设有1200V、80mΩ 、41A工业级器件，采用TO263-7L封装。
IXYS IXFH46N65X2W功率MOSFET
IXYS IXFH46N65X2W功率MOSFET
02/27/2025
650V、69mΩ、X2级HiPerFET™ 功率MOSFET，具有N沟道增强模式。
IXYS IXFH34N65X2W功率MOSFET
IXYS IXFH34N65X2W功率MOSFET
02/27/2025
650V、100mΩ、X2级HiPerFET™ 功率MOSFET，具有N沟道增强模式。
IXYS IXSH40N120L2KHV SiC MOSFET
IXYS IXSH40N120L2KHV SiC MOSFET
02/18/2025
1200V、80mΩ和41A MOSFET，建议用于工业开关模式电源。
IXYS IXSH80N120L2KHV SiC MOSFET
IXYS IXSH80N120L2KHV SiC MOSFET
02/18/2025
1200V、30mΩ和79A MOSFET，建议用于工业开关模式电源。
IXYS IXTNx00N20X4 miniBLOC MOSFET
IXYS IXTNx00N20X4 miniBLOC MOSFET
11/28/2024
提供200V额定电压、340A至500A电流范围，采用SOT-227B封装。
IXYS DPF100C1200HB 1200V、2x 50A快速恢复二极管
IXYS DPF100C1200HB 1200V、2x 50A快速恢复二极管
11/22/2024
两个通用电源开关二极管，采用共阴极配置和TO-247封装。
IXYS Gen5 XPT IGBT
IXYS Gen5 XPT IGBT
07/25/2024
具有650V额定电压、35A至220A电流范围以及低栅极电荷。 
IXYS DPF30U200FC 200V 30A 3相桥式整流器
IXYS DPF30U200FC 200V 30A 3相桥式整流器
07/22/2024
该器件通常用作开关模式电源（SMPS）中的整流器。
IXYS DSEP60-06AZ 600V 60A快速恢复二极管
IXYS DSEP60-06AZ 600V 60A快速恢复二极管
07/08/2024
高性能、低损耗、软恢复单二极管，采用TO-268AA（D3PAK-HV）封装。
IXYS SRU6008DS2RP敏感型SCR
IXYS SRU6008DS2RP敏感型SCR
02/19/2024
600V高正向阻断SCR，非常适合用于高压电容放电应用。
IXYS MPA 95-06DA FRED模块
IXYS MPA 95-06DA FRED模块
01/18/2024
采用平面钝化芯片，开关损耗低，适用于高频开关器件。
IXYS MCMA140P1600TA-NI晶闸管模块
IXYS MCMA140P1600TA-NI晶闸管模块
01/18/2024
采用平面钝化芯片和直接铜键AI2O3材质，适用于线路频率应用。
IXYS DMA80I1600HA单二极管整流器
IXYS DMA80I1600HA单二极管整流器
08/11/2022
采用平面钝化芯片，具有低漏电流和低正向压降。
IXYS STP802U2SRP 1.5A敏感型双通道
IXYS STP802U2SRP 1.5A敏感型双通道
08/10/2022
高静态dv/dt，关断时间 (tq) 短，导通电流为1.5ARMS。
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    Taiwan Semiconductor TESDA1L2B17P1Q1 ESD Protection Diode
    Taiwan Semiconductor TESDA1L2B17P1Q1 ESD Protection Diode
    02/19/2026
    Safeguards power interfaces, control lines, or low‑speed data lines within electronic systems.
    Semtech TDS5311P SurgeSwitch™ 1-Line 53V EOS Protection IC
    Semtech TDS5311P SurgeSwitch™ 1-Line 53V EOS Protection IC
    02/18/2026
    Provides high-energy EOS protection with superior temperature and clamping characteristics.
    Vishay SE45124/SE50124 SMD高压整流器
    Vishay SE45124/SE50124 SMD高压整流器
    02/17/2026
    此系列设备具有出色的散热性能和高浪涌电流能力。
    Vishay KBPE0480单相直列桥式整流器
    Vishay KBPE0480单相直列桥式整流器
    02/16/2026
    此系列设备具有低正向压降，采用KBP封装。
    Vishay SE050N6/SE080N6/SE100N6/SE120N6 SMD整流器
    Vishay SE050N6/SE080N6/SE100N6/SE120N6 SMD整流器
    02/10/2026
    这些设备采用高度仅为0.88mm的薄型封装。
    Littelfuse CMA160E1600HF单晶闸管
    Littelfuse CMA160E1600HF单晶闸管
    02/06/2026
    高性能160A、1600V器件，在PLUS247封装内采用平面被动芯片结构。
    TDK-Lambda i1R ORing MOSFET模块
    TDK-Lambda i1R ORing MOSFET模块
    02/05/2026
    高效低损耗的功率设备，旨在取代传统的二极管。
    Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode
    Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode
    02/03/2026
    Offers a sharp Zener voltage breakdown and a low leakage current.
    Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    02/03/2026
    Designed for demanding power conversion applications
    Vishay 功率碳化矽肖特基二极管
    Vishay 功率碳化矽肖特基二极管
    02/03/2026
    可在要求苛刻的电力电子设备应用中提供卓越的效率、坚固性和可靠性。
    Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    02/03/2026
    Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.
    Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
    Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
    02/03/2026
    Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.
    IXYS X4级功率MOSFET
    IXYS X4级功率MOSFET
    02/02/2026
    导通电阻和导通损耗低，效率更高。
    IXYS DP高压快速恢复二极管
    IXYS DP高压快速恢复二极管
    01/20/2026
    600V或1200V SCHOTTKY二极管，具有低反向漏电流和快速恢复时间。
    Qorvo QPD1014A GaN输入匹配晶体管
    Qorvo QPD1014A GaN输入匹配晶体管
    01/20/2026
    一款输出功率 (P3dB)为15W、输入阻抗匹配为50Ω的分立式GaN-on-SiC HEMT，其工作频率范围为30MHz至1.2GHz。
    Qorvo QPD1011A GaN输入匹配晶体管
    Qorvo QPD1011A GaN输入匹配晶体管
    01/19/2026
    一款输出功率(P3dB)为7W、输入阻抗匹配特性为50Ω的分立式GaN-on-SiC HEMT，其工作频率范围为30MHz至1.2GHz。
    Qorvo QPD1004A GaN输入匹配晶体管
    Qorvo QPD1004A GaN输入匹配晶体管
    01/19/2026
    25W、50Ω输入匹配分立式GaN-on-SiC HEMT，在50V电源轨下运行，工作频率范围为30MHz至1400MHz。
    Littelfuse SM15KPA-HRA与SM30KPA-HRA高可靠性二极管
    Littelfuse SM15KPA-HRA与SM30KPA-HRA高可靠性二极管
    01/13/2026
    保护航空电子设备、航空和eVTOL应用中的I/O接口、VCC总线和其他电路。
    Littelfuse SP432x-01WTGTVS二极管
    Littelfuse SP432x-01WTGTVS二极管
    01/08/2026
    提供超低电容、双向传输和电平保护。
    onsemi NVBYST0D6N08X 80 V N沟道功率MOSFET
    onsemi NVBYST0D6N08X 80 V N沟道功率MOSFET
    12/26/2025
    该器件具有低QRR和软恢复体二极管，采用TCPAK1012 (TopCool) 封装。
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80V功率MOSFET
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80V功率MOSFET
    12/23/2025
    凭借广泛的产品组合确立了行业性能基准。
    Infineon Technologies CoolSiC™车规级750V G2 MOSFET
    Infineon Technologies CoolSiC™车规级750V G2 MOSFET
    12/19/2025
    专为满足电动汽车 (EV) 应用的严格要求而设计。
    onsemi NVMFD5877NL双N沟道MOSFET
    onsemi NVMFD5877NL双N沟道MOSFET
    12/19/2025
    专为紧凑高效的设计而打造，具有优异的热性能。
    STMicroelectronics SGT080R70ILB电子模式PowerGaN晶体管
    STMicroelectronics SGT080R70ILB电子模式PowerGaN晶体管
    12/04/2025
    电子模式PowerGaN晶体管设计用于高效电源转换应用。
    onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
    onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
    12/04/2025
    具有低有效输出电容和超低栅极电荷特性。
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