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Nexperia MLPAK33-WF封装的BUK7Q N沟道MOSFET
Nexperia MLPAK33-WF封装的BUK7Q N沟道MOSFET
09/29/2025
采用沟槽9技术，符合AEC-Q101要求。
Nexperia BUK9Q N沟道沟槽MOSFET
Nexperia BUK9Q N沟道沟槽MOSFET
09/09/2025
逻辑级兼容，开关速度快，完全符合AEC-Q101标准，工作温度为175°C。
Nexperia BUK6Q8R2-30PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q8R2-30PJ MOSFET
08/27/2025
MLPAK33（SOT8002-3）SMD塑料封装中的P沟道 FET采用沟槽MOSFET技术。
Nexperia BUK6Q66-60PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q66-60PJ MOSFET
08/27/2025
P沟道FET搭载Trench MOSFET技术，采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装。 
Nexperia BUK6Q21-30PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q21-30PJ MOSFET
08/19/2025
30V、P沟道FET采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装，使用了沟槽MOSFET技术。 
Nexperia BUK6Q26-40PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q26-40PJ MOSFET
08/19/2025
采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装的P沟道FET，使用沟槽MOSFET技术。 
Nexperia BUK6Q12-40PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q12-40PJ MOSFET
08/19/2025
采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装的P沟道FET，使用沟槽MOSFET技术。 
Nexperia PXNx N沟道逻辑电平沟槽式MOSFET
Nexperia PXNx N沟道逻辑电平沟槽式MOSFET
04/14/2025
60V和100V MOSFET，专为各种应用中的高效电源管理而设计。
Nexperia NX5020x N沟道增强模式FET
Nexperia NX5020x N沟道增强模式FET
04/01/2025
这些设备采用沟槽MOSFET技术，具有非常低的阈值电压和非常快的开关速度。
Nexperia 专用功率MOSFET
Nexperia 专用功率MOSFET
01/21/2025
综合成熟的MOSFET专业技术和对广泛的应用的理解，形成不断壮大的产品系列。
Nexperia 用于热插拔和软启动的CCPAK ASFET
Nexperia 用于热插拔和软启动的CCPAK ASFET
01/08/2025
在单个器件中提供可靠的线性模式、增强的SOA和低RDS(on) 。
Nexperia BUK7J2R4-80M N沟道MOSFET
Nexperia BUK7J2R4-80M N沟道MOSFET
08/30/2024
基于沟槽14低阻值分离栅极技术，采用LFPAK56E封装。
Nexperia NSF0x0120 N通道碳化硅MOSFET
Nexperia NSF0x0120 N通道碳化硅MOSFET
07/01/2024
采用标准7引脚TO-263塑料封装，具有出色的RDS(on) 温度稳定性。
Nexperia PSMNxRx-80YSF NextPower N沟道MOSFET
Nexperia PSMNxRx-80YSF NextPower N沟道MOSFET
06/24/2024
80V、标准电平栅极驱动MOSFET，具有低Qrr，实现更高效率和更低尖峰。
Nexperia 2N7002AK沟道沟槽式MOSFET
Nexperia 2N7002AK沟道沟槽式MOSFET
04/04/2024
采用沟槽MOSFET技术的小型AEC-Q101合规SMD塑料封装。
Nexperia BSS138AK沟道沟槽式MOSFET
Nexperia BSS138AK沟道沟槽式MOSFET
04/04/2024
通过AEC-Q101认证的N沟道增强模式场效应晶体管（FET）采用小型SMD封装。
Nexperia PSMN047-100NSE N沟道ASFET
Nexperia PSMN047-100NSE N沟道ASFET
04/04/2024
100V、53mΩ ASFET将增强SOA结合在紧凑的2mmx2mm占位面积中，
Nexperia PSMN071-100NSE N沟道ASFET
Nexperia PSMN071-100NSE N沟道ASFET
02/28/2024
设计用于继电器替代、浪涌管理和电池管理应用。
Nexperia EMC优化的NextPowerS3 MOSFET
Nexperia EMC优化的NextPowerS3 MOSFET
02/28/2024
采用节省空间的LFPAK56封装，非常适合无刷直流电机控制应用。 
Nexperia BUK7Y1R0-40N和BUK7Y3R1-80M N沟道MOSFET
Nexperia BUK7Y1R0-40N和BUK7Y3R1-80M N沟道MOSFET
02/23/2024
设计和测试符合AEC-Q101的要求，具有高性能和高耐用性。
Nexperia PSMN028 N沟道MOSFET
Nexperia PSMN028 N沟道MOSFET
05/19/2023
双标准电平N沟道MOSFET，采用LFPAK56D（双电源SO8）封装。
Nexperia PSMN025 N沟道MOSFET
Nexperia PSMN025 N沟道MOSFET
05/19/2023
双标准电平N沟道MOSFET，采用LFPAK56D（双电源SO8）封装。
Nexperia PSMN1R9和PSMN2R3 N沟道MOSFET
Nexperia PSMN1R9和PSMN2R3 N沟道MOSFET
02/27/2023
设计用于实现超高性能和可靠性。
Nexperia SOT8015表面贴装封装产品
Nexperia SOT8015表面贴装封装产品
07/26/2022
采用塑料、无引线、超薄小外形封装，具有侧面可湿性侧翼 (SWF)。
Nexperia SOT23表面贴装封装产品
Nexperia SOT23表面贴装封装产品
07/26/2022
采用塑料、表面贴装、三个端子、1.9mm脚距、2.9mm x 1.3mm x 1mm封装。
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    onsemi NVBYST0D8N08X单N沟道功率MOSFET
    onsemi NVBYST0D8N08X单N沟道功率MOSFET
    04/14/2026
    针对高压运行进行了优化，并可承受快速开关及大电流应力。
    iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
    iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
    04/07/2026
    Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.
    onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
    onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
    04/06/2026
    一款双N沟道MOSFET，采用低Rg设计，适用于快速开关应用。
    STMicroelectronics STL059N4S8AG功率MOSFET
    STMicroelectronics STL059N4S8AG功率MOSFET
    03/31/2026
    一款采用Smart STripFET F8技术设计的40V N沟道增强模式功率MOSFET。
    Toshiba N沟道/P沟道功率MOSFET
    Toshiba N沟道/P沟道功率MOSFET
    03/31/2026
    适用于高速开关、电源管理开关、DC-DC转换器和电机驱动器。   
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60V功率MOSFET
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60V功率MOSFET
    03/27/2026
    凭借强大的功率MOSFET技术，为OptiMOS 5提供卓越的性能。 
    Infineon Technologies N沟道OptiMOS™ 7 25V功率MOSFET
    Infineon Technologies N沟道OptiMOS™ 7 25V功率MOSFET
    03/27/2026
    性能针对应用而优化，可为数据中心、服务器及人工智能提供最佳性能。
    iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
    iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
    03/24/2026
    Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.
    Infineon Technologies OptiMOS™ 8功率MOSFET
    Infineon Technologies OptiMOS™ 8功率MOSFET
    03/17/2026
    该系列为N沟道标准电平80V或100VMOSFET，具有极低的导通电阻（RDS(ON)）。
    onsemi NVMFD5873NL双N沟道功率MOSFET
    onsemi NVMFD5873NL双N沟道功率MOSFET
    03/13/2026
    专为紧凑高效的设计打造，兼具卓越的热性能。
    Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET
    Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET
    03/10/2026
    Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.
    Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET
    Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET
    03/10/2026
    Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.
    Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET
    Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET
    03/10/2026
    Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.
    Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET
    Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET
    03/10/2026
    Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.
    Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET
    Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET
    03/06/2026
    Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.
    Infineon Technologies N沟道OptiMOS™ 7 80V功率MOSFET
    Infineon Technologies N沟道OptiMOS™ 7 80V功率MOSFET
    03/05/2026
    80V N沟道标准电平设备，热阻优异，PG‑TDSON‑8封装。
    iDEAL Semiconductor iS20M5R5S1T 200V N-channel SuperQ™ Power MOSFETs
    iDEAL Semiconductor iS20M5R5S1T 200V N-channel SuperQ™ Power MOSFETs
    02/19/2026
    Features low switching losses, QSW, and EOSS, suitable for high-efficiency SMPS and motor drives.
    IXYS X4级功率MOSFET
    IXYS X4级功率MOSFET
    02/02/2026
    导通电阻和导通损耗低，效率更高。
    onsemi NVBYST0D6N08X 80V N沟道功率MOSFET
    onsemi NVBYST0D6N08X 80V N沟道功率MOSFET
    12/26/2025
    该器件具有低QRR和软恢复体二极管，采用TCPAK1012 (TopCool) 封装。
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80V功率MOSFET
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80V功率MOSFET
    12/23/2025
    凭借广泛的产品组合确立了行业性能基准。
    onsemi NVMFD5877NL双N沟道MOSFET
    onsemi NVMFD5877NL双N沟道MOSFET
    12/19/2025
    专为紧凑高效的设计而打造，具有优异的热性能。
    onsemi NTTFS007P02P8 P沟道低/中压MOSFET
    onsemi NTTFS007P02P8 P沟道低/中压MOSFET
    11/25/2025
    采用PowerTrench技术打造，具备极低RDS(on)、快速开关性能及耐用性。
    onsemi FDC642P-F085小信号MOSFET
    onsemi FDC642P-F085小信号MOSFET
    11/25/2025
    采用高性能沟槽技术，具备极低RDS(on)和快速开关速度。
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFET
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFET
    11/24/2025
    Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.
    onsemi NVD6824NL单N沟道MOSFET
    onsemi NVD6824NL单N沟道MOSFET
    11/20/2025
    具备低RDS(on)，可将导通损耗降至最低，同时兼具大电流能力。
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