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STMicroelectronics N沟道MDmesh K6功率MOSFET
STMicroelectronics N沟道MDmesh K6功率MOSFET
07/22/2024
该模块的击穿电压为800V，齐纳保护，100%雪崩测试，非常适用于反激式转换器和LED灯。
STMicroelectronics STripFET F8N通道功率MOSFET
STMicroelectronics STripFET F8N通道功率MOSFET
12/01/2023
符合AEC-Q101标准，提供30V至150V的全面封装解决方案
STMicroelectronics STP80N1K1K6 N沟道功率MOSFET
STMicroelectronics STP80N1K1K6 N沟道功率MOSFET
10/01/2023
采用MDmesh K6技术，利用了20年的超级结技术经验。
STMicroelectronics SH63N65DM6AG功率MOSFET
STMicroelectronics SH63N65DM6AG功率MOSFET
08/18/2023
汽车级N通道MDmesh DM6半桥拓扑功率MOSFET具有650V阻断电压。
STMicroelectronics STL120N10F8 100V N沟道STripFET MOSFET
STMicroelectronics STL120N10F8 100V N沟道STripFET MOSFET
05/08/2023
该器件采用ST的STripFET F8技术，具有增强型沟道栅极结构。
STMicroelectronics STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6功率MOSFET
STMicroelectronics STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6功率MOSFET
01/25/2023
高电压N通道功率MOSFET，具有齐纳保护功能以及100%通过雪崩测试。
STMicroelectronics STP80N450K6 800V N沟道功率MOSFET
STMicroelectronics STP80N450K6 800V N沟道功率MOSFET
10/19/2022
采用终极MDmesh K6技术设计的高压N沟道功率MOSFET。
STMicroelectronics STL325N4LF8AG N通道功率MOSFET
STMicroelectronics STL325N4LF8AG N通道功率MOSFET
06/24/2022
采用STripFET F8技术，具有增强型沟槽栅极结构。
STMicroelectronics STL320N4LF8 N沟道STripFET F8功率MOSFET
STMicroelectronics STL320N4LF8 N沟道STripFET F8功率MOSFET
06/21/2022
采用STripFET F8沟槽式MOSFET技术制造而成。
STMicroelectronics STP60N043DM9 MDmesh DM9功率MOSFET
STMicroelectronics STP60N043DM9 MDmesh DM9功率MOSFET
05/27/2022
适用于中/高压，具有非常低的单位面积RDS(on)，联接有快速恢复二极管。
STMicroelectronics STP65N045M9 MDmesh M9功率MOSFET
STMicroelectronics STP65N045M9 MDmesh M9功率MOSFET
05/25/2022
设计用于中/高压MOSFET，具有非常低的单位面积RDS(on)。
STMicroelectronics STD80N240K6 800V 16A MDmesh K6功率MOSFET
STMicroelectronics STD80N240K6 800V 16A MDmesh K6功率MOSFET
05/04/2022
具有出色的RDS(on) x 面积和低Qg，可实现高开关速度和低损耗。
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IXYS X4-Class Power MOSFETs
IXYS X4-Class Power MOSFETs
02/02/2026
Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.
onsemi NVBYST0D6N08X 80 V N沟道功率MOSFET
onsemi NVBYST0D6N08X 80 V N沟道功率MOSFET
12/26/2025
该器件具有低QRR和软恢复体二极管，采用TCPAK1012 (TopCool) 封装。
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80V功率MOSFET
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80V功率MOSFET
12/23/2025
凭借广泛的产品组合确立了行业性能基准。
onsemi NVMFD5877NL双N沟道MOSFET
onsemi NVMFD5877NL双N沟道MOSFET
12/19/2025
专为紧凑高效的设计而打造，具有优异的热性能。
onsemi FDC642P-F085小信号MOSFET
onsemi FDC642P-F085小信号MOSFET
11/25/2025
采用高性能沟槽技术，具备极低RDS(on)和快速开关速度。
onsemi NTTFS007P02P8 P沟道低/中压MOSFET
onsemi NTTFS007P02P8 P沟道低/中压MOSFET
11/25/2025
采用PowerTrench技术打造，具备极低RDS(on)、快速开关性能及耐用性。
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
11/24/2025
Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.
onsemi NVD6824NL单N沟道MOSFET
onsemi NVD6824NL单N沟道MOSFET
11/20/2025
具备低RDS(on)，可将导通损耗降至最低，同时兼具大电流能力。
onsemi NVD5867NL单N沟道功率MOSFET
onsemi NVD5867NL单N沟道功率MOSFET
11/20/2025
具有60V漏源电压、39mΩ漏源导通电阻，并通过AEC-Q101认证。
onsemi NVMFS5830NL单N沟道功率MOSFET
onsemi NVMFS5830NL单N沟道功率MOSFET
11/19/2025
一款高效的单N沟道功率MOSFET，专为高要求电源管理应用而设计。
onsemi NVMFS5832NL单N沟道功率MOSFET
onsemi NVMFS5832NL单N沟道功率MOSFET
11/19/2025
专为低电压应用设计的高性能MOSFET，可实现高效的电源切换。
Diodes Incorporated 2N7002 N沟道增强模式场效应晶体管
Diodes Incorporated 2N7002 N沟道增强模式场效应晶体管
10/31/2025
具有快速开关性能和低栅极电荷特性，最大漏源电压为60V。
Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW双N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW双N沟道增强模式MOSFET
10/31/2025
将两个MOSFET集成到单个PowerDI® 5mm x 6mm封装中，具有优异的散热性能。
Diodes Incorporated DMN1057UCA3 N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMN1057UCA3 N沟道增强模式MOSFET
10/21/2025
具有卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
Toshiba TPH2R70AR5 N沟道MOSFET
Toshiba TPH2R70AR5 N沟道MOSFET
10/17/2025
该器件适用于高功效的直流-直流转换器，采用SOP Advance (N)封装。
ROHM Semiconductor RD3x汽车N沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RD3x汽车N沟道功率MOSFET
10/16/2025
AEC-Q101 MOSFET具有正向电压低、恢复时间快、浪涌能力高等特性。
onsemi NVNJWS200N031L单N沟道功率MOSFET
onsemi NVNJWS200N031L单N沟道功率MOSFET
10/14/2025
该器件具有低RDS(on) 和低栅极阈值特性，采用可湿性侧翼封装。
onsemi NTK3139P P沟道单通道功率MOSFET
onsemi NTK3139P P沟道单通道功率MOSFET
10/14/2025
封装占位面积比SC-89小44%，厚度比SC-89薄38%。
IXYS MMIX1T500N20X4 200V X4-Class 功率MOSFET
IXYS MMIX1T500N20X4 200V X4-Class 功率MOSFET
10/08/2025
基于陶瓷的隔离封装提高了整体Rth(j-s) 和功率处理能力。
onsemi T10低/中压MOSFET
onsemi T10低/中压MOSFET
10/06/2025
40V和80V单通道N沟道MOSFET，具备更优性能与更高系统效率。 
Infineon Technologies OptiMOS™ 7优化40V功率MOSFET
Infineon Technologies OptiMOS™ 7优化40V功率MOSFET
10/02/2025
为驱动器、电源和园艺工具中的高效电源转换提供定制解决方案。
Infineon Technologies N沟道OptiMOS™ 7功率MOSFET
Infineon Technologies N沟道OptiMOS™ 7功率MOSFET
09/30/2025
高性能N沟道晶体管专为要求苛刻的电源转换应用而设计。
Nexperia MLPAK33-WF封装的BUK7Q N沟道MOSFET
Nexperia MLPAK33-WF封装的BUK7Q N沟道MOSFET
09/29/2025
采用沟槽9技术，符合AEC-Q101要求。
Nexperia BUK9Q N沟道沟槽MOSFET
Nexperia BUK9Q N沟道沟槽MOSFET
09/09/2025
逻辑级兼容，开关速度快，完全符合AEC-Q101标准，工作温度为175°C。
onsemi NTK3134N单N沟道功率MOSFET
onsemi NTK3134N单N沟道功率MOSFET
09/08/2025
优化用于高效开关应用的强大20V、890mA N沟道功率MOSFET。
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