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Toshiba N沟道/P沟道功率MOSFET
Toshiba N沟道/P沟道功率MOSFET
03/31/2026
适用于高速开关、电源管理开关、DC-DC转换器和电机驱动器。   
Toshiba UMOS 11低压MOSFET
Toshiba UMOS 11低压MOSFET
10/17/2025
专为在紧凑封装中实现高能效和可靠开关性能而开发。
Toshiba XCEZ车用齐纳二极管
Toshiba XCEZ车用齐纳二极管
08/29/2025
具有150mW和300mW的耗散功率，并通过了AEC-Q101认证。
Toshiba TRSx SiC SCHOTTKY势垒二极管
Toshiba TRSx SiC SCHOTTKY势垒二极管
04/04/2025
这些SiC SCHOTTKY势垒二极管的重复峰值反向电压（VRRM）额定值为1200V。
Toshiba L-TOGL™和S-TOGL AEC-Q 40V/80V/100V N沟道MOSFET
Toshiba L-TOGL™和S-TOGL AEC-Q 40V/80V/100V N沟道MOSFET
10/14/2024
采用L-TOGL™软件包，以满足汽车设备中对48V电池日益增长的需求。
Toshiba TKx硅N沟道MOSFET
Toshiba TKx硅N沟道MOSFET
09/13/2024
有U-MOSX-H和DTMOSVI类型可供选择，具有卓越的性能特性。
Toshiba TPH1400CQ5硅N沟道MOSFET
Toshiba TPH1400CQ5硅N沟道MOSFET
09/10/2024
8引脚SMT功率MOSFET，设计采用U-MOSX-H代沟槽工艺。
Toshiba TPH1100CQ5硅N沟道MOSFET
Toshiba TPH1100CQ5硅N沟道MOSFET
08/12/2024
采用8引脚SMT功率MOSFET，设计采用U-MOSX-H代沟槽工艺。
Toshiba UMOS9-H硅N沟道MOSFET
Toshiba UMOS9-H硅N沟道MOSFET
05/13/2024
非常适用于高效直流-直流转换器、开关稳压器和 电机驱动器。
Toshiba XCUZ齐纳二极管
Toshiba XCUZ齐纳二极管
01/23/2024
设计用于汽车应用，功耗为600mW，符合AEC-Q101标准。
Toshiba TRSx65H碳化硅肖特基势垒二极管
Toshiba TRSx65H碳化硅肖特基势垒二极管
07/26/2023
650V器件，基于采用肖特基金属的第三代技术。
Toshiba SSM14N956L MOSFET
Toshiba SSM14N956L MOSFET
06/09/2023
具有低源-源导通电阻，符合RoHS指令。
Toshiba XPQR3004PB 40V 400A车用MOSFET
Toshiba XPQR3004PB 40V 400A车用MOSFET
02/13/2023
其RDS(ON)为0.23mΩ（典型值），阈值电压（Vth）为2V至3V，能力为400A。
Toshiba CSLZ齐纳二极管
Toshiba CSLZ齐纳二极管
11/21/2022
采用小型SL2封装。
Toshiba 650V与1200V第三代碳化硅MOSFET
Toshiba 650V与1200V第三代碳化硅MOSFET
07/11/2022
设计用于400V和800V AC输入AC-DC电源等高功率工业应用。
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Texas Instruments 2N7002L 6V N沟道MOSFET
Texas Instruments 2N7002L 6V N沟道MOSFET
05/18/2026
旨在最大限度地降低导通电阻，同时保持快速的开关性能。
Bourns CDSOT23-SM712-Q表面贴装TVS二极管
Bourns CDSOT23-SM712-Q表面贴装TVS二极管
05/12/2026
为数据端口提供保护，符合IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4和IEC 61000-4-5标准。
Infineon Technologies CIPOS™ Prime汽车级CoolSiC™功率模块
Infineon Technologies CIPOS™ Prime汽车级CoolSiC™功率模块
05/06/2026
电源模块设计用于为xEV应用提供高性能。
Littelfuse TP1KSMB-FL FlatSuppressX™ TVS二极管
Littelfuse TP1KSMB-FL FlatSuppressX™ TVS二极管
05/04/2026
专为保护敏感的 电子设备免受电压瞬变影响而设计。
Littelfuse AK-FL TVS二极管
Littelfuse AK-FL TVS二极管
05/04/2026
轴向引线式、FlatSuppressX™扁平低钳位双向TVS二极管。
Littelfuse TP5.0SMD-FL FlatSuppressX™ TVS二极管
Littelfuse TP5.0SMD-FL FlatSuppressX™ TVS二极管
05/04/2026
使用10/1000µs波形提供5000W峰值脉冲功率能力，耗散功率为6.5W。
RECOM Power ICs, Transformers, & Discrete Solutions
RECOM Power ICs, Transformers, & Discrete Solutions
04/24/2026
Features components ideal for energy, industrial, and medical applications.
Littelfuse SJx08x高温SCR
Littelfuse SJx08x高温SCR
04/24/2026
电压高达800V，浪涌电流能力高达100A，额定温度为+150°C。
Littelfuse QVx35xHx高温交变型三端双向可控硅
Littelfuse QVx35xHx高温交变型三端双向可控硅
04/24/2026
额定电流为35A，提供TO-220AB、TO-220隔离型及TO-263封装。
Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky Diode
Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky Diode
04/16/2026
Designed for high‑speed switching and voltage clamping in space‑constrained applications.
onsemi NVBYST0D8N08X单N沟道功率MOSFET
onsemi NVBYST0D8N08X单N沟道功率MOSFET
04/14/2026
针对高压运行进行了优化，并可承受快速开关及大电流应力。
ROHM Semiconductor 高密度SiC功率模块
ROHM Semiconductor 高密度SiC功率模块
04/10/2026
TRCDRIVE pack™、DOT-247及HSDIP20封装有助于实现高效能电源转换。
Vishay S07x-M 标准恢复型高压整流器
Vishay S07x-M 标准恢复型高压整流器
04/07/2026
玻璃钝化表面贴装整流器，最大VRRM在100V和1000V 之间。
Vishay RS07x快速恢复型整流器
Vishay RS07x快速恢复型整流器
04/07/2026
玻璃钝化表面贴装整流器，最大重复峰值电压 (VRRM) 为100V至800V。
iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
04/07/2026
Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.
onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
04/06/2026
一款双N沟道MOSFET，采用低Rg设计，适用于快速开关应用。
Vishay VS-HOT200C080 200A 80V功率MOSFET模块
Vishay VS-HOT200C080 200A 80V功率MOSFET模块
04/02/2026
相较于标准分立式解决方案，该设备能够减少高达15%的电路板空间占位需求。
Taiwan Semiconductor SMA6FxCAH/SMA6SxCAH TVS Diodes
Taiwan Semiconductor SMA6FxCAH/SMA6SxCAH TVS Diodes
04/02/2026
AEC-Q101 qualified 600W, 12V to 60V surface-mount devices operating at 0.094%/°C maximum VBR.
Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor Diodes
Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor Diodes
04/02/2026
High-efficiency, low-power, 400W, 5V to 75V surface-mount devices ideal for automated placement.
STMicroelectronics STL059N4S8AG功率MOSFET
STMicroelectronics STL059N4S8AG功率MOSFET
03/31/2026
一款采用Smart STripFET F8技术设计的40V N沟道增强模式功率MOSFET。
Toshiba N沟道/P沟道功率MOSFET
Toshiba N沟道/P沟道功率MOSFET
03/31/2026
适用于高速开关、电源管理开关、DC-DC转换器和电机驱动器。   
Infineon Technologies 多用途ESD保护二极管
Infineon Technologies 多用途ESD保护二极管
03/27/2026
该系列二极管采用小巧封装，可提供卓越保护，具备出色的ESD性能。
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60V功率MOSFET
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60V功率MOSFET
03/27/2026
凭借强大的功率MOSFET技术，为OptiMOS 5提供卓越的性能。 
Infineon Technologies N沟道OptiMOS™ 7 25V功率MOSFET
Infineon Technologies N沟道OptiMOS™ 7 25V功率MOSFET
03/27/2026
性能针对应用而优化，可为数据中心、服务器及人工智能提供最佳性能。
iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
03/24/2026
Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.
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