分离式半导体类型
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Toshiba TPH2R70AR5 N沟道MOSFET
Toshiba TPH2R70AR5 N沟道MOSFET
10/17/2025
该器件适用于高功效的直流-直流转换器，采用SOP Advance (N)封装。
Toshiba XCEZ车用齐纳二极管
Toshiba XCEZ车用齐纳二极管
08/29/2025
具有150mW和300mW的耗散功率，并通过了AEC-Q101认证。
Toshiba TRSx SiC SCHOTTKY势垒二极管
Toshiba TRSx SiC SCHOTTKY势垒二极管
04/04/2025
这些SiC SCHOTTKY势垒二极管的重复峰值反向电压（VRRM）额定值为1200V。
Toshiba L-TOGL™和S-TOGL AEC-Q 40V/80V/100V N沟道MOSFET
Toshiba L-TOGL™和S-TOGL AEC-Q 40V/80V/100V N沟道MOSFET
10/14/2024
采用L-TOGL™软件包，以满足汽车设备中对48V电池日益增长的需求。
Toshiba TKx硅N沟道MOSFET
Toshiba TKx硅N沟道MOSFET
09/13/2024
有U-MOSX-H和DTMOSVI类型可供选择，具有卓越的性能特性。
Toshiba TPH1400CQ5硅N沟道MOSFET
Toshiba TPH1400CQ5硅N沟道MOSFET
09/10/2024
8引脚SMT功率MOSFET，设计采用U-MOSX-H代沟槽工艺。
Toshiba TPH1100CQ5硅N沟道MOSFET
Toshiba TPH1100CQ5硅N沟道MOSFET
08/12/2024
采用8引脚SMT功率MOSFET，设计采用U-MOSX-H代沟槽工艺。
Toshiba UMOS9-H硅N沟道MOSFET
Toshiba UMOS9-H硅N沟道MOSFET
05/13/2024
非常适用于高效直流-直流转换器、开关稳压器和 电机驱动器。
Toshiba XCUZ齐纳二极管
Toshiba XCUZ齐纳二极管
01/23/2024
设计用于汽车应用，功耗为600mW，符合AEC-Q101标准。
Toshiba TRSx65H碳化硅肖特基势垒二极管
Toshiba TRSx65H碳化硅肖特基势垒二极管
07/26/2023
650V器件，基于采用肖特基金属的第三代技术。
Toshiba SSM14N956L MOSFET
Toshiba SSM14N956L MOSFET
06/09/2023
具有低源-源导通电阻，符合RoHS指令。
Toshiba XPQR3004PB 40V 400A车用MOSFET
Toshiba XPQR3004PB 40V 400A车用MOSFET
02/13/2023
其RDS(ON)为0.23mΩ（典型值），阈值电压（Vth）为2V至3V，能力为400A。
Toshiba CSLZ齐纳二极管
Toshiba CSLZ齐纳二极管
11/21/2022
采用小型SL2封装。
Toshiba 650V与1200V第三代碳化硅MOSFET
Toshiba 650V与1200V第三代碳化硅MOSFET
07/11/2022
设计用于400V和800V AC输入AC-DC电源等高功率工业应用。
Toshiba TPH9R00CQH硅N沟道MOSFET
Toshiba TPH9R00CQH硅N沟道MOSFET
03/23/2022
可高速开关，具有小输出和低栅极电荷，采用SOP-8封装。
Toshiba 栅极驱动器 + MOSFET（用于5V至24V线路电源多路复用器）
Toshiba 栅极驱动器 + MOSFET（用于5V至24V线路电源多路复用器）
03/11/2022
应对电源多路复用中存在的各种挑战，支持5V至24V的电力线。
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TDK-Lambda i1R ORing MOSFET Modules
TDK-Lambda i1R ORing MOSFET Modules
02/05/2026
High-efficiency and low-loss power devices designed to replace traditional diodes.
Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode
Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode
02/03/2026
Offers a sharp zener voltage breakdown and a low leakage current.
Vishay 功率碳化矽肖特基二极管
Vishay 功率碳化矽肖特基二极管
02/03/2026
可在要求苛刻的电力电子设备应用中提供卓越的效率、坚固性和可靠性。
Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
02/03/2026
Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.
Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
02/03/2026
Designed for demanding power conversion applications
Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
02/03/2026
Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.
IXYS X4-Class Power MOSFETs
IXYS X4-Class Power MOSFETs
02/02/2026
Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.
IXYS DP高压快速恢复二极管
IXYS DP高压快速恢复二极管
01/20/2026
600V或1200V SCHOTTKY二极管，具有低反向漏电流和快速恢复时间。
Qorvo QPD1014A GaN输入匹配晶体管
Qorvo QPD1014A GaN输入匹配晶体管
01/20/2026
一款输出功率 (P3dB)为15W、输入阻抗匹配为50Ω的分立式GaN-on-SiC HEMT，其工作频率范围为30MHz至1.2GHz。
Qorvo QPD1011A GaN输入匹配晶体管
Qorvo QPD1011A GaN输入匹配晶体管
01/19/2026
一款输出功率(P3dB)为7W、输入阻抗匹配特性为50Ω的分立式GaN-on-SiC HEMT，其工作频率范围为30MHz至1.2GHz。
Qorvo QPD1004A GaN输入匹配晶体管
Qorvo QPD1004A GaN输入匹配晶体管
01/19/2026
25W、50Ω输入匹配分立式GaN-on-SiC HEMT，在50V电源轨下运行，工作频率范围为30MHz至1400MHz。
Littelfuse SM15KPA-HRA与SM30KPA-HRA高可靠性二极管
Littelfuse SM15KPA-HRA与SM30KPA-HRA高可靠性二极管
01/13/2026
保护航空电子设备、航空和eVTOL应用中的I/O接口、VCC总线和其他电路。
Littelfuse SP432x-01WTGTVS二极管
Littelfuse SP432x-01WTGTVS二极管
01/08/2026
提供超低电容、双向传输和电平保护。
onsemi NVBYST0D6N08X 80 V N沟道功率MOSFET
onsemi NVBYST0D6N08X 80 V N沟道功率MOSFET
12/26/2025
该器件具有低QRR和软恢复体二极管，采用TCPAK1012 (TopCool) 封装。
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80V功率MOSFET
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80V功率MOSFET
12/23/2025
凭借广泛的产品组合确立了行业性能基准。
Infineon Technologies CoolSiC™车规级750V G2 MOSFET
Infineon Technologies CoolSiC™车规级750V G2 MOSFET
12/19/2025
专为满足电动汽车 (EV) 应用的严格要求而设计。
onsemi NVMFD5877NL双N沟道MOSFET
onsemi NVMFD5877NL双N沟道MOSFET
12/19/2025
专为紧凑高效的设计而打造，具有优异的热性能。
STMicroelectronics SGT080R70ILB电子模式PowerGaN晶体管
STMicroelectronics SGT080R70ILB电子模式PowerGaN晶体管
12/04/2025
电子模式PowerGaN晶体管设计用于高效电源转换应用。
onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
12/04/2025
具有低有效输出电容和超低栅极电荷特性。
Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7分立晶体管
Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7分立晶体管
12/01/2025
DTO247封装，替代并联连接的多个TO247封装低电流晶体管。
onsemi FDC642P-F085小信号MOSFET
onsemi FDC642P-F085小信号MOSFET
11/25/2025
采用高性能沟槽技术，具备极低RDS(on)和快速开关速度。
onsemi NTTFS007P02P8 P沟道低/中压MOSFET
onsemi NTTFS007P02P8 P沟道低/中压MOSFET
11/25/2025
采用PowerTrench技术打造，具备极低RDS(on)、快速开关性能及耐用性。
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
11/24/2025
Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.
Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode
Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode
11/24/2025
Offers 6600 W peak power, fast response, and ISO-16750-2 load-dump test compliance.
Bourns SMLJ-R瞬态电压抑制器二极管
Bourns SMLJ-R瞬态电压抑制器二极管
11/24/2025
设计用于在紧凑型芯片封装DO-214AB（SMC）尺寸格式中提供浪涌和ESD保护。
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