分离式半导体类型
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ROHM Semiconductor 750V N沟道SiC MOSFET
ROHM Semiconductor 750V N沟道SiC MOSFET
10/17/2025
这款设备可提升开关频率，减少所需的电容器、电抗器以及其他组件。
ROHM Semiconductor RD3x汽车N沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RD3x汽车N沟道功率MOSFET
10/16/2025
AEC-Q101 MOSFET具有正向电压低、恢复时间快、浪涌能力高等特性。
ROHM Semiconductor RNxMFH汽车等级PIN二极管
ROHM Semiconductor RNxMFH汽车等级PIN二极管
08/21/2025
汽车等级二极管采用超小型封装，适用于高频开关。
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1700V N沟道SiC功率MOSFET
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1700V N沟道SiC功率MOSFET
08/21/2025
一款额定漏源电压 (VDSS) 为1700V、额定漏极连续电流 (ID) 为3.9A的SiC MOSFET。
ROHM Semiconductor RF202LB2S超快恢复二极管
ROHM Semiconductor RF202LB2S超快恢复二极管
08/21/2025
一款硅外延平面型超快恢复二极管，具有低VF 和低开关损耗特性。
ROHM Semiconductor RJ1x10BBG功率MOSFET
ROHM Semiconductor RJ1x10BBG功率MOSFET
08/21/2025
N沟道功率MOSFET，采用大功率封装，具有低导通电阻特性。
ROHM Semiconductor RQxAT P沟道MOSFET
ROHM Semiconductor RQxAT P沟道MOSFET
08/21/2025
采用表面贴装封装，具有低导通电阻，且100%经过Rg和UIS测试。
ROHM Semiconductor RN242SM PIN二极管
ROHM Semiconductor RN242SM PIN二极管
08/20/2025
采用超小型模塑封装，具有低电容，适用于高频开关应用。
ROHM Semiconductor JMZV8.2B 5mA齐纳二极管
ROHM Semiconductor JMZV8.2B 5mA齐纳二极管
08/19/2025
这些设备采用小功率模塑封装，适用于电压调节应用。
ROHM Semiconductor RH7L04 60 V N通道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH7L04 60 V N通道功率MOSFET
08/19/2025
车规级MOSFET，额定VDSS 为60V，额定ID 为±40A，符合AEC-Q101认证要求。
ROHM Semiconductor RQ5G040AT -40V P沟道小信号MOSFET
ROHM Semiconductor RQ5G040AT -40V P沟道小信号MOSFET
08/19/2025
一款额定漏源电压 (VDSS) 为-40V，额定漏极连续电流 (ID) 为±4.0A的MOSFET。
ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA -30V P沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA -30V P沟道功率MOSFET
08/19/2025
一款车规级MOSFET，额定VDSS 为-30V、额定ID 为±40A，符合AEC-Q101认证要求。
ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60V P沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60V P沟道功率MOSFET
08/19/2025
一款车规级MOSFET，额定VDSS 为-60V，额定ID 为±36A，符合AEC-Q101认证要求。
ROHM Semiconductor RH7G04 40 V N通道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH7G04 40 V N通道功率MOSFET
08/19/2025
该设备为车规级MOSFET，额定VDSS 为40V，额定ID为±40A，符合AEC-Q101认证要求。
ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100V N沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100V N沟道功率MOSFET
08/19/2025
一款车规级MOSFET，其额定VDSS 为100V，额定ID 为±40A，符合AEC-Q101认证要求。
ROHM Semiconductor RH7L03 60 V N沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH7L03 60 V N沟道功率MOSFET
08/19/2025
一款额定VDSS 为60V、额定ID 为±35A的车规级MOSFET，符合AEC-Q101认证要求。
ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40V N沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40V N沟道功率MOSFET
08/19/2025
一款车规级MOSFET，额定VDSS 为40V，额定ID 为±12A，符合AEC-Q101认证要求。
ROHM Semiconductor 2SAR579D3 PNP 1.5A 160V功率晶体管
ROHM Semiconductor 2SAR579D3 PNP 1.5A 160V功率晶体管
08/06/2025
一款低VCE(sat) 功率晶体管，适合用作低频放大器。
ROHM Semiconductor 2SCR579D3 NPN 1.5A 160V功率晶体管
ROHM Semiconductor 2SCR579D3 NPN 1.5A 160V功率晶体管
08/06/2025
一款低VCE(sat) 功率晶体管，适合用作低频放大器。
ROHM Semiconductor AG508EGD3 -40V -40A P沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor AG508EGD3 -40V -40A P沟道功率MOSFET
08/06/2025
此MOSFET是一款符合AEC-Q101标准的汽车级功率MOSFET。
ROHM Semiconductor RQ3P270BLFRA功率MOSFET
ROHM Semiconductor RQ3P270BLFRA功率MOSFET
08/04/2025
HSMT8AG封装符合AEC-Q101标准的汽车级MOSFET。
ROHM Semiconductor RBR40NS肖特基势垒二极管
ROHM Semiconductor RBR40NS肖特基势垒二极管
08/04/2025
设计用在开关电源中，具有100A峰值正向浪涌电流。
ROHM Semiconductor PBZLx齐纳二极管
ROHM Semiconductor PBZLx齐纳二极管
08/04/2025
设计用于电压调节应用，具有1000mW的最大功率耗散。
ROHM Semiconductor RF302LB2S超快恢复二极管
ROHM Semiconductor RF302LB2S超快恢复二极管
07/22/2025
采用DO-214AA封装，提供低正向电压和低开关损耗。
ROHM Semiconductor RxL120BLFRA功率MOSFET
ROHM Semiconductor RxL120BLFRA功率MOSFET
07/22/2025
符合AEC-Q101标准的车规级MOSFET，适用于ADAS、信息娱乐、照明和车身等应用。
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    Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    02/03/2026
    Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.
    Vishay 功率碳化矽肖特基二极管
    Vishay 功率碳化矽肖特基二极管
    02/03/2026
    可在要求苛刻的电力电子设备应用中提供卓越的效率、坚固性和可靠性。
    Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
    Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
    02/03/2026
    Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.
    Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode
    Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode
    02/03/2026
    Offers a sharp zener voltage breakdown and a low leakage current.
    Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    02/03/2026
    Designed for demanding power conversion applications
    IXYS X4-Class Power MOSFETs
    IXYS X4-Class Power MOSFETs
    02/02/2026
    Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.
    Qorvo QPD1014A GaN输入匹配晶体管
    Qorvo QPD1014A GaN输入匹配晶体管
    01/20/2026
    一款输出功率 (P3dB)为15W、输入阻抗匹配为50Ω的分立式GaN-on-SiC HEMT，其工作频率范围为30MHz至1.2GHz。
    IXYS DP高压快速恢复二极管
    IXYS DP高压快速恢复二极管
    01/20/2026
    600V或1200V SCHOTTKY二极管，具有低反向漏电流和快速恢复时间。
    Qorvo QPD1004A GaN输入匹配晶体管
    Qorvo QPD1004A GaN输入匹配晶体管
    01/19/2026
    25W、50Ω输入匹配分立式GaN-on-SiC HEMT，在50V电源轨下运行，工作频率范围为30MHz至1400MHz。
    Qorvo QPD1011A GaN输入匹配晶体管
    Qorvo QPD1011A GaN输入匹配晶体管
    01/19/2026
    一款输出功率(P3dB)为7W、输入阻抗匹配特性为50Ω的分立式GaN-on-SiC HEMT，其工作频率范围为30MHz至1.2GHz。
    Littelfuse SM15KPA-HRA与SM30KPA-HRA高可靠性二极管
    Littelfuse SM15KPA-HRA与SM30KPA-HRA高可靠性二极管
    01/13/2026
    保护航空电子设备、航空和eVTOL应用中的I/O接口、VCC总线和其他电路。
    Littelfuse SP432x-01WTGTVS二极管
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    01/08/2026
    提供超低电容、双向传输和电平保护。
    onsemi NVBYST0D6N08X 80 V N沟道功率MOSFET
    onsemi NVBYST0D6N08X 80 V N沟道功率MOSFET
    12/26/2025
    该器件具有低QRR和软恢复体二极管，采用TCPAK1012 (TopCool) 封装。
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80V功率MOSFET
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80V功率MOSFET
    12/23/2025
    凭借广泛的产品组合确立了行业性能基准。
    Infineon Technologies CoolSiC™车规级750V G2 MOSFET
    Infineon Technologies CoolSiC™车规级750V G2 MOSFET
    12/19/2025
    专为满足电动汽车 (EV) 应用的严格要求而设计。
    onsemi NVMFD5877NL双N沟道MOSFET
    onsemi NVMFD5877NL双N沟道MOSFET
    12/19/2025
    专为紧凑高效的设计而打造，具有优异的热性能。
    onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
    onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
    12/04/2025
    具有低有效输出电容和超低栅极电荷特性。
    STMicroelectronics SGT080R70ILB电子模式PowerGaN晶体管
    STMicroelectronics SGT080R70ILB电子模式PowerGaN晶体管
    12/04/2025
    电子模式PowerGaN晶体管设计用于高效电源转换应用。
    Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7分立晶体管
    Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7分立晶体管
    12/01/2025
    DTO247封装，替代并联连接的多个TO247封装低电流晶体管。
    onsemi FDC642P-F085小信号MOSFET
    onsemi FDC642P-F085小信号MOSFET
    11/25/2025
    采用高性能沟槽技术，具备极低RDS(on)和快速开关速度。
    onsemi NTTFS007P02P8 P沟道低/中压MOSFET
    onsemi NTTFS007P02P8 P沟道低/中压MOSFET
    11/25/2025
    采用PowerTrench技术打造，具备极低RDS(on)、快速开关性能及耐用性。
    Bourns SMLJ-R瞬态电压抑制器二极管
    Bourns SMLJ-R瞬态电压抑制器二极管
    11/24/2025
    设计用于在紧凑型芯片封装DO-214AB（SMC）尺寸格式中提供浪涌和ESD保护。
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
    11/24/2025
    Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.
    Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode
    Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode
    11/24/2025
    Offers 6600 W peak power, fast response, and ISO-16750-2 load-dump test compliance.
    Central Semiconductor 1700V N沟道碳化硅（SiC）MOSFET
    Central Semiconductor 1700V N沟道碳化硅（SiC）MOSFET
    11/20/2025
    These MOSFETS are designed for high-speed switching and fast reverse recovery applications.
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