STMicroelectronics 最新二极管与整流器

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STMicroelectronics STGI15C60S三相逆变器和IGBT SLLIMM
STMicroelectronics STGI15C60S三相逆变器和IGBT SLLIMM
08/19/2026
该器件非常适用于工作频率高达20kHz的硬开关电路的电机驱动。
STMicroelectronics SGT1D5R10MEA PowerGaN晶体管
STMicroelectronics SGT1D5R10MEA PowerGaN晶体管
08/11/2026
具有极低的导通损耗、大电流能力和超快的开关操作速度。
STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaN晶体管
STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaN晶体管
08/10/2026
设计用于高效大功率开关应用。
STMicroelectronics STH4N150-2AG N沟道功率MOSFET
STMicroelectronics STH4N150-2AG N沟道功率MOSFET
08/10/2026
专为确保汽车应用的高电压和可靠性而设计。
STMicroelectronics STL059N4S8AG功率MOSFET
STMicroelectronics STL059N4S8AG功率MOSFET
03/31/2026
一款采用Smart STripFET F8技术设计的40V N沟道增强模式功率MOSFET。
STMicroelectronics SGT080R70ILB电子模式PowerGaN晶体管
STMicroelectronics SGT080R70ILB电子模式PowerGaN晶体管
12/04/2025
电子模式PowerGaN晶体管设计用于高效电源转换应用。
STMicroelectronics SGT070R70HTO增强模式PowerGaN晶体管
STMicroelectronics SGT070R70HTO增强模式PowerGaN晶体管
11/07/2025
基于GaN技术打造，专为高要求电源转换应用而设计。
STMicroelectronics SGT350R70GTK电子模式PowerGaN晶体管
STMicroelectronics SGT350R70GTK电子模式PowerGaN晶体管
10/28/2025
电子模式PowerGaN晶体管针对高要求应用中的高效电源转换进行了优化。
STMicroelectronics M2TP80M12W2-2LA汽车电源模块
STMicroelectronics M2TP80M12W2-2LA汽车电源模块
09/26/2025
该电源模块为混合动力与电动汽车的OBC提供带有集成NTC的三相四线PFC拓扑结构。
STMicroelectronics M2P45M12W2-1LA 汽车电源模块
STMicroelectronics M2P45M12W2-1LA 汽车电源模块
09/26/2025
该器件为电动汽车OBC（车载充电器）的DC/DC转换器级提供带有NTC的六块拓扑结构 。
STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1600V IH2系列IGBT
STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1600V IH2系列IGBT
05/22/2025
采用先进、专有的沟槽式栅极场终止型结构打造。
STMicroelectronics ESDAxWY汽车单向ESD保护
STMicroelectronics ESDAxWY汽车单向ESD保护
01/10/2025
专为保护恶劣环境下的敏感电子设备而设计的TVS。
STMicroelectronics TN8050H-12WL高温可控硅晶闸管
STMicroelectronics TN8050H-12WL高温可控硅晶闸管
01/01/2025
适用于需要高抗扰度和低栅极电流的工业应用。
STMicroelectronics STGSH50M120D ACEPACK SMIT IGBT（带二极管）
STMicroelectronics STGSH50M120D ACEPACK SMIT IGBT（带二极管）
12/24/2024
在半桥拓扑中集成了2个IGBT和二极管。
STMicroelectronics ESDZX168B-1BF4双向单线TVS二极管
STMicroelectronics ESDZX168B-1BF4双向单线TVS二极管
10/14/2024
该器件设计用于保护数据线或其他I/O端口免受静电放电瞬变的影响。
STMicroelectronics STTH120RQ06-M2Y 600V超快桥接模块
STMicroelectronics STTH120RQ06-M2Y 600V超快桥接模块
10/08/2024
适合用于集成到车辆或充电站中的充电器应用。
STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG汽车级IGBT
STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG汽车级IGBT
09/12/2024
设计采用先进、专有的沟槽式栅极场终止型结构。
STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG汽车级IGBT
STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG汽车级IGBT
09/12/2024
采用先进的沟槽式栅极场终止型结构进行开发。
STMicroelectronics ESDA5WY车用单向ESD保护
STMicroelectronics ESDA5WY车用单向ESD保护
09/10/2024
汽车用单向瞬态电压抑制器 (TVS)，设计用于恶劣环境。
STMicroelectronics STBR3012L2Y-TR汽车用高压整流器
STMicroelectronics STBR3012L2Y-TR汽车用高压整流器
08/09/2024
高品质设计，具有始终如一的可重现特性和内在坚固性。
STMicroelectronics N沟道MDmesh K6功率MOSFET
STMicroelectronics N沟道MDmesh K6功率MOSFET
07/22/2024
该模块的击穿电压为800V，齐纳保护，100%雪崩测试，非常适用于反激式转换器和LED灯。
STMicroelectronics GWA40MS120DF4AG汽车级MS系列IGBT
STMicroelectronics GWA40MS120DF4AG汽车级MS系列IGBT
07/03/2024
1200V、40A、低损耗、低热阻，采用TO-247长引线封装。
STMicroelectronics STripFET F8N通道功率MOSFET
STMicroelectronics STripFET F8N通道功率MOSFET
12/01/2023
符合AEC-Q101标准，提供30V至150V的全面封装解决方案
STMicroelectronics STGD4H60DF 600V 4A高速H系列IGBT
STMicroelectronics STGD4H60DF 600V 4A高速H系列IGBT
10/31/2023
设计用于先进的沟槽式栅极场终止型结构。
STMicroelectronics M1F45M12W2-1LA ACEPACK DMT‑32电源模块
STMicroelectronics M1F45M12W2-1LA ACEPACK DMT‑32电源模块
10/19/2023
设计用于混合动力和电动汽车的直流/直流转换器级。
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    IXYS SK002xSx Sensitive SCRs
    IXYS SK002xSx Sensitive SCRs
    08/27/2026
    Sensitive SCRs with microprocessor drive support and high noise immunity.
    onsemi NXH011F120M3F2 SiC MOSFETs
    onsemi NXH011F120M3F2 SiC MOSFETs
    08/25/2026
    Full-bridge EliteSiC MOSFET modules with 11mΩ on-resistance and 1200V rating.
    onsemi 80V Single N-Channel Power MOSFETs
    onsemi 80V Single N-Channel Power MOSFETs
    08/25/2026
    Offer low RDS(on) to minimize conduction losses & low QG and capacitance to minimize driver losses.
    STMicroelectronics STGI15C60S三相逆变器和IGBT SLLIMM
    STMicroelectronics STGI15C60S三相逆变器和IGBT SLLIMM
    08/19/2026
    该器件非常适用于工作频率高达20kHz的硬开关电路的电机驱动。
    Diotec Semiconductor ESD9BL24P-AQ ESD Protection Diode
    Diotec Semiconductor ESD9BL24P-AQ ESD Protection Diode
    08/17/2026
    Features a low junction capacitance and low leakage current in a miniature case outline.
    Diotec Semiconductor BAS40-06-AQ SMD Small Signal Schottky Diode
    Diotec Semiconductor BAS40-06-AQ SMD Small Signal Schottky Diode
    08/17/2026
    Offers a very high switching speed, low leakage current, and a low junction capacitance.
    Diotec Semiconductor ESD3B36WS-AQ ESD Protection Diode
    Diotec Semiconductor ESD3B36WS-AQ ESD Protection Diode
    08/14/2026
    Features high peak-pulse power and bidirectional clamping.
    Diotec Semiconductor SKL12-AQ SMD Schottky Barrier Rectifier Diode
    Diotec Semiconductor SKL12-AQ SMD Schottky Barrier Rectifier Diode
    08/14/2026
    Features a low forward voltage drop in a low-profile package.
    Diotec Semiconductor P6KE47CA-AQ Transient Voltage Suppressor Diode
    Diotec Semiconductor P6KE47CA-AQ Transient Voltage Suppressor Diode
    08/14/2026
    Provide reliable protection against transient voltage spikes, ESD, and other overvoltage events.
    Nexperia 400V/650V DPAK回流整流器
    Nexperia 400V/650V DPAK回流整流器
    08/12/2026
    适用于高压电源转换的超快和特快DPAK回流整流器。
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET
    08/12/2026
    Automotive 200V N-channel MOSFET with SuperQ technology and TO-220 packaging.
    STMicroelectronics SGT1D5R10MEA PowerGaN晶体管
    STMicroelectronics SGT1D5R10MEA PowerGaN晶体管
    08/11/2026
    具有极低的导通损耗、大电流能力和超快的开关操作速度。
    STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaN晶体管
    STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaN晶体管
    08/10/2026
    设计用于高效大功率开关应用。
    STMicroelectronics STH4N150-2AG N沟道功率MOSFET
    STMicroelectronics STH4N150-2AG N沟道功率MOSFET
    08/10/2026
    专为确保汽车应用的高电压和可靠性而设计。
    Texas Instruments ESD2CANFD24W-Q1 ESD 保护二极管
    Texas Instruments ESD2CANFD24W-Q1 ESD 保护二极管
    08/04/2026
    用于CAN、CAN FD、CAN SIC和CAN XL网络的汽车级ESD保护二极管。
    onsemi EMD4DXV6数字晶体管（BRT）
    onsemi EMD4DXV6数字晶体管（BRT）
    07/30/2026
    设计用于替代单个设备及其外部电阻偏置网络。
    onsemi NVNJWS1K6N061L N 沟道 MOSFET
    onsemi NVNJWS1K6N061L N 沟道 MOSFET
    07/30/2026
    具有低RDS(on)和低栅极阈值，且集成ESD保护。
    ROHM Semiconductor 600V超接合点（SJ）MOSFET
    ROHM Semiconductor 600V超接合点（SJ）MOSFET
    07/21/2026
    紧凑、扁平封装选项，提供出色的散热性能。
    IXYS DK610S3RP 1600V通用整流器二极管
    IXYS DK610S3RP 1600V通用整流器二极管
    07/20/2026
    节省空间，非常适合用于自动化组装，也适合直流相控应用。
    IXYS DK010S3ARP 1000V 10A整流器
    IXYS DK010S3ARP 1000V 10A整流器
    07/20/2026
    该整流器采用玻璃钝化结，稳定性更强，采用DO-214AB封装组装。
    onsemi GaNEXUS™ GaN FET
    onsemi GaNEXUS™ GaN FET
    07/08/2026
    宽带隙材料特性，可实现低栅极和输出电荷、快速开关和效率提升。 
    Bourns CDDFN2表面贴装TVS二极管
    Bourns CDDFN2表面贴装TVS二极管
    07/07/2026
    为电子设备外部端口提供ESD、EFT和浪涌保护，从而限制严重损坏。
    Semtech RCLAMP2891PQ TVS二极管
    Semtech RCLAMP2891PQ TVS二极管
    06/30/2026
    超低电容单线，28V TVS二极管，保护高速信号线免受ESD和EOS的影响。
    Diotec Semiconductor SI02C120SMA Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode
    Diotec Semiconductor SI02C120SMA Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode
    06/29/2026
    Offers a repetitive reverse voltage rating of 1200V and a forward current capability of 2A.
    Littelfuse TVS SPA二极管阵列
    Littelfuse TVS SPA二极管阵列
    06/26/2026
    TVS二极管阵列用于保护数据和电源接口免受ESD、EFT和浪涌事件的影响。
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