RF晶体管

结果: 919
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数量 RoHS 产品类型
安装风格
封装 / 箱体
晶体管类型
技术
工作频率
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
增益
资格
封装
Central Semiconductor 射频(RF)双极晶体管 20Vcbo 15Vceo 2.5Vebo 50mA 250mW
数据表
30,000工厂有库存
更多信息可用
最低： 9,000
倍数： 3,000
: 3,000

RF Bipolar Transistors SMD/SMT SOT-523-3 Bipolar Si 1.45 GHz - 65 C + 150 C Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
数据表
无库存交货期 7 周
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT H-36265-2 Si 960 MHz to 1.6 GHz 200 W + 225 C 18.5 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
数据表
无库存交货期 12 周
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT H-36275-4 Si 1.2 GHz to 1.4 GHz 700 W + 225 C 16 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
Mini-Circuits 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMIC AMPLIFIER
数据表
交货期 22 周
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 500

RF MOSFET Transistors SMD/SMT MCLP-4 GaAs 45 MHz to 6 GHz 20.7 dBm - 40 C + 85 C 18.6 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 750 W 40 MHz T1
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Screw Mount Si 40 MHz 750 W - 55 C + 175 C 17 dB

Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 25
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Through Hole TO-247-3 Si Tube

Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 25
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Through Hole TO-247-3 Si 45 MHz 300 W - 55 C + 150 C 16 dB Tube
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz T3
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 10
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Si
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 300 W 150 MHz T3C
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 10
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Screw Mount Si 100 MHz 400 W - 55 C + 175 C 16 dB
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M208
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT SOE-4 Si 175 MHz 300 W - 65 C + 150 C 16 dB
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 140 V 150 W 175 MHz M174
数据表
交货期 22 周
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Screw Mount Si 175 MHz 150 W - 65 C + 150 C 22 dB
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch, 25V 5A 3Pin Transistor, LDMOST
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 600
倍数： 600
: 600

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Si 1 GHz 8 W - 65 C + 150 C 11.5 dB Reel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Si 1 GHz 3 W - 65 C + 150 C 17 dB Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 600
倍数： 600
: 600

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Si 1 GHz 15 W - 65 C + 150 C 14 dB Reel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Trans N-Channel
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 600
倍数： 600
: 600

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-2 Si 500 MHz 25 W + 165 C 14.5 dB Reel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 600
倍数： 600
: 600

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Si 1 GHz 18 W - 65 C + 150 C 16.5 dB Reel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 600
倍数： 600
: 600

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Si 1 GHz 18 W - 65 C + 150 C 16.5 dB Reel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 400
倍数： 400

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Si 1 GHz 30 W - 65 C + 150 C 14 dB Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 400
倍数： 400

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Si 1 GHz 45 W - 65 C + 150 C 13 dB Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 400
倍数： 400

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Si 1 GHz 60 W - 65 C + 150 C 14.3 dB Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 600
倍数： 600
: 600

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Si 1 GHz 60 W - 65 C + 150 C 14.3 dB Reel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 400
倍数： 400

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Si 1 GHz 35 W - 65 C + 150 C 14.9 dB Tube
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 600
倍数： 600
: 600

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Si 1 GHz 35 W - 65 C + 150 C 14.9 dB Reel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 200 W, 28 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 100
倍数： 100
: 100

RF MOSFET Transistors SMD/SMT LBB-5 Si 860 MHz 200 W + 200 C 17.5 dB Reel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 180 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 120
倍数： 120
: 120

RF MOSFET Transistors SMD/SMT B2-3 Si 1.47 GHz 180 W + 200 C 17.5 dB Reel