|
|
射频(RF)双极晶体管 2-30MHz 60Watts 12.5Volt Gain 13dB
- MRF455
- MACOM
-
1:
¥1,303.1047
-
交货期 36 周
|
Mouser 零件编号
937-MRF455
|
MACOM
|
射频(RF)双极晶体管 2-30MHz 60Watts 12.5Volt Gain 13dB
|
|
交货期 36 周
|
|
|
¥1,303.1047
|
|
|
¥1,088.9584
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
RF Bipolar Transistors
|
Screw Mount
|
211-07
|
Bipolar Power
|
Si
|
30 MHz
|
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
|
|
Tray
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 Transistor,110W,2.7-2.9GHz,100us,10%
- PH2729-110M
- MACOM
-
20:
¥4,791.1548
-
无库存交货期 22 周
|
Mouser 零件编号
937-PH2729-110M
|
MACOM
|
射频(RF)双极晶体管 Transistor,110W,2.7-2.9GHz,100us,10%
|
|
无库存交货期 22 周
|
|
最低： 20
倍数： 20
|
|
RF Bipolar Transistors
|
Screw Mount
|
Ceramic-2
|
Bipolar
|
Si
|
2.7 GHz to 2.9 GHz
|
110 W
|
|
+ 200 C
|
|
|
|
|
|
|
射频(RF)双极晶体管 Transistor,Bipolar,65W,36V,2.70-2.90GHz
- PH2729-65M
- MACOM
-
20:
¥5,128.4711
-
无库存交货期 28 周
|
Mouser 零件编号
937-PH2729-65M
|
MACOM
|
射频(RF)双极晶体管 Transistor,Bipolar,65W,36V,2.70-2.90GHz
|
|
无库存交货期 28 周
|
|
最低： 20
倍数： 20
|
|
RF Bipolar Transistors
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 40Watts 28Volt Gain 10dB
- UF2840G
- MACOM
-
40:
¥2,657.9182
-
无库存交货期 26 周
|
Mouser 零件编号
937-UF2840G
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 40Watts 28Volt Gain 10dB
|
|
无库存交货期 26 周
|
|
最低： 40
倍数： 40
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
319-07
|
|
Si
|
100 MHz to 500 MHz
|
40 W
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
10 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
- MWT-PH27F
- CML Micro
-
1:
¥154.1659
-
无库存交货期 27 周
|
Mouser 零件编号
938-MWT-PH27F
|
CML Micro
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
|
|
无库存交货期 27 周
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
|
Die
|
|
GaAs
|
26 GHz
|
25 dBm
|
|
+ 150 C
|
16 dB
|
|
Bulk
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
- MWT-PH29F
- CML Micro
-
1:
¥215.2989
-
无库存交货期 27 周
|
Mouser 零件编号
938-MWT-PH29F
|
CML Micro
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
|
|
无库存交货期 27 周
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
|
Die
|
|
GaAs
|
18 GHz
|
28.5 dBm
|
|
+ 150 C
|
13 dB
|
|
Bulk
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
- MWT-PH4F
- CML Micro
-
1:
¥566.0057
-
无库存交货期 27 周
|
Mouser 零件编号
938-MWT-PH4F
|
CML Micro
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
|
|
无库存交货期 27 周
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
|
Die
|
|
GaAs
|
28 GHz
|
21.5 dBm
|
|
+ 150 C
|
14 dB
|
|
Bulk
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
- MWT-PH7F
- CML Micro
-
10:
¥567.147
-
无库存交货期 27 周
|
Mouser 零件编号
938-MWT-PH7F
|
CML Micro
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
|
|
无库存交货期 27 周
|
|
最低： 10
倍数： 10
|
|
RF MOSFET Transistors
|
|
Die
|
|
GaAs
|
28 GHz
|
23 dBm
|
|
+ 150 C
|
15 dB
|
|
Bulk
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G16XS-600AVT/SOT1258/REELDP
- BLC10G16XS-600AVTY
- Ampleon
-
100:
¥730.4659
-
无库存交货期 13 周
|
Mouser 零件编号
94-BLC10G16XS600AVTY
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC10G16XS-600AVT/SOT1258/REELDP
|
|
无库存交货期 13 周
|
|
|
¥730.4659
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 100
倍数： 100
:
100
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT1258-4-7
|
|
LDMOS
|
1.427 GHz to 1.518 GHz
|
600 W
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
17.4 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS trans
- BLC8G21LS-160AVY
- Ampleon
-
100:
¥478.3516
-
无库存交货期 13 周
|
Mouser 零件编号
94-BLC8G21LS-160AVY
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS trans
|
|
无库存交货期 13 周
|
|
最低： 100
倍数： 100
:
100
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
SOT1275-1-7
|
|
LDMOS
|
1.805 GHz to 2.025 GHz
|
160 W
|
|
+ 225 C
|
15 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS trans
- BLC8G21LS-160AVZ
- Ampleon
-
60:
¥632.2011
-
无库存交货期 13 周
|
Mouser 零件编号
94-BLC8G21LS-160AVZ
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS trans
|
|
无库存交货期 13 周
|
|
|
¥632.2011
|
|
|
¥615.0816
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 60
倍数： 60
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
SOT1275-1-7
|
|
LDMOS
|
1.805 GHz to 2.025 GHz
|
160 W
|
|
+ 225 C
|
15 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor
- BLF2425M9L30J
- Ampleon
-
100:
¥1,194.749
-
无库存交货期 16 周
|
Mouser 零件编号
94-BLF2425M9L30J
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor
|
|
无库存交货期 16 周
|
|
|
¥1,194.749
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 100
倍数： 100
:
100
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Screw Mount
|
SOT1135A-3
|
|
LDMOS
|
2.4 GHz to 2.5 GHz
|
30 W
|
|
+ 225 C
|
18.5 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor
- BLF2425M9L30U
- Ampleon
-
60:
¥1,173.5728
-
无库存交货期 16 周
|
Mouser 零件编号
94-BLF2425M9L30U
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor
|
|
无库存交货期 16 周
|
|
|
¥1,173.5728
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 60
倍数： 60
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Screw Mount
|
SOT1135A-3
|
|
LDMOS
|
2.4 GHz to 2.5 GHz
|
30 W
|
|
+ 225 C
|
18.5 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS transistor
- BLF2425M9LS140J
- Ampleon
-
100:
¥868.2694
-
无库存交货期 16 周
|
Mouser 零件编号
94-BLF2425M9LS140J
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS transistor
|
|
无库存交货期 16 周
|
|
|
¥868.2694
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 100
倍数： 100
:
100
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
SOT502B-3
|
|
LDMOS
|
2.4 GHz to 2.5 GHz
|
140 W
|
|
+ 225 C
|
19 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS transistor
- BLF2425M9LS140U
- Ampleon
-
60:
¥878.3603
-
无库存交货期 16 周
|
Mouser 零件编号
94-BLF2425M9LS140U
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS transistor
|
|
无库存交货期 16 周
|
|
|
¥878.3603
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 60
倍数： 60
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
SOT502B-3
|
|
LDMOS
|
2.4 GHz to 2.5 GHz
|
140 W
|
|
+ 225 C
|
19 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor
- BLF2425M9LS30J
- Ampleon
-
100:
¥830.7986
-
无库存交货期 16 周
|
Mouser 零件编号
94-BLF2425M9LS30J
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor
|
|
无库存交货期 16 周
|
|
|
¥830.7986
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 100
倍数： 100
:
100
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
SOT1135B-3
|
|
LDMOS
|
2.4 GHz to 2.5 GHz
|
30 W
|
|
+ 225 C
|
18.5 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor
- BLF2425M9LS30U
- Ampleon
-
1:
¥1,069.1834
-
无库存交货期 16 周
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
94-BLF2425M9LS30U
Mouser 的新产品
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor
|
|
无库存交货期 16 周
|
|
|
¥1,069.1834
|
|
|
¥901.1863
|
|
|
¥828.3126
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
SOT1135B-3
|
|
LDMOS
|
2.4 GHz to 2.5 GHz
|
30 W
|
|
+ 225 C
|
18.5 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Broadband pwr LDMOS transistor
- BLF647PSJ
- Ampleon
-
100:
¥1,540.416
-
无库存交货期 16 周
|
Mouser 零件编号
94-BLF647PSJ
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Broadband pwr LDMOS transistor
|
|
无库存交货期 16 周
|
|
|
¥1,540.416
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 100
倍数： 100
:
100
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
SOT1121B-5
|
|
LDMOS
|
1.5 GHz
|
200 W
|
|
+ 225 C
|
17.5 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLL9G1214LS-600/SOT502/TRAY
- BLL9G1214LS-600U
- Ampleon
-
1:
¥2,480.237
-
无库存交货期 16 周
-
Mouser 的新产品
|
Mouser 零件编号
94-BLL9G1214LS-600U
Mouser 的新产品
|
Ampleon
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLL9G1214LS-600/SOT502/TRAY
|
|
无库存交货期 16 周
|
|
|
¥2,480.237
|
|
|
¥2,069.143
|
|
|
¥2,032.4971
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
RF MOSFETs
|
SMD/SMT
|
SOT502B-3
|
|
LDMOS
|
1.2 GHz to 1.4 GHz
|
600 W
|
|
+ 225 C
|
19 dB
|
|
Tray
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PTAB182002FC-V1-R0
- MACOM
-
50:
¥965.1782
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTAB182002FC1R0
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
|
|
¥965.1782
|
|
|
¥879.1965
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 50
倍数： 50
:
50
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
H-37248-4
|
|
Si
|
1.805 GHz to 1.88 GHz
|
190 W
|
|
+ 200 C
|
15.5 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PTAB182002FC-V1-R250
- MACOM
-
250:
¥879.2869
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTAB182002FC1R2
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
|
|
¥879.2869
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 250
倍数： 250
:
250
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
H-37248-4
|
|
Si
|
1.805 GHz to 1.88 GHz
|
190 W
|
|
+ 200 C
|
15.5 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PTAC260302FC-V1-R0
- MACOM
-
50:
¥683.6952
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTAC260302FC1R0
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
|
|
¥683.6952
|
|
|
¥615.8613
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 50
倍数： 50
:
50
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
H-37248H-4
|
|
Si
|
2.62 GHz to 2.69 GHz
|
30 W
|
|
+ 225 C
|
15.5 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
- PTAC260302FC-V1-R250
- MACOM
-
250:
¥615.9517
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTAC260302FC1R2
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
|
|
无库存
|
|
|
¥615.9517
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 250
倍数： 250
:
250
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
H-37248H-4
|
|
Si
|
2.62 GHz to 2.69 GHz
|
30 W
|
|
+ 225 C
|
15.5 dB
|
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Si LDMOS
- PTFA211801E-V5-R0
- MACOM
-
50:
¥1,544.5744
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTFA211801EV5R0
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Si LDMOS
|
|
无库存
|
|
|
¥1,544.5744
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 50
倍数： 50
:
50
|
|
RF MOSFET Transistors
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Si LDMOS
- PTFA211801E-V5-R250
- MACOM
-
250:
¥1,442.9535
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTFA211801EV5R25
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Si LDMOS
|
|
无库存
|
|
|
¥1,442.9535
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 250
倍数： 250
:
250
|
|
RF MOSFET Transistors
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
Reel
|
|
