RF晶体管

结果: 919
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数量 RoHS 产品类型
安装风格
封装 / 箱体
晶体管类型
技术
工作频率
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
增益
资格
封装
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 15 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 300
倍数： 300
: 300

RF MOSFET Transistors SMD/SMT E2-3 Si 2.7 GHz 15 W + 200 C 19 dB Reel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 25 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 300
倍数： 300
: 300

RF MOSFET Transistors SMD/SMT E2-3 Si 2.7 GHz 25 W + 200 C 18 dB Reel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 40 W, 28 V, 2.7 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 160
倍数： 160
: 160

RF MOSFET Transistors SMD/SMT A2-3 Si 3.6 GHz 40 W + 200 C 14 dB Reel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
交货期 52 周
最低： 1
倍数： 1
: 100

RF MOSFET Transistors Through Hole LBB-4 Si 945 MHz 150 W + 200 C 16 dB Reel, Cut Tape
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 50
倍数： 50

RF MOSFET Transistors Si Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 50
倍数： 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M174 Si 150 MHz 175 W - 65 C + 150 C 21.3 dB Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 50
倍数： 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M177 Si 200 MHz 350 W - 65 C + 150 C 29 dB Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Trans 200V 150W 14.8 dB at 175MHz
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M174 Si 250 MHz 150 W + 150 C 14.8 dB Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Trans 200V 300W 24 dB at 30 MHz
数据表
交货期 28 周
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M177 Si 100 MHz 300 W + 150 C 24 dB Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 60 W, 28 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 60
倍数： 60

RF MOSFET Transistors Screw Mount M246 Si 60 W - 65 C + 200 C Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 4 Amp
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 50
倍数： 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M243-3 Si 1 GHz 30 W - 65 C + 150 C 13 dB Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 4 Amp
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 50
倍数： 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M250 Si 1 GHz 30 W - 65 C + 150 C 13 dB Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 5 Amp
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M250 Si 1 GHz 45 W - 65 C + 150 C 13 dB Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 250 W, 28/32 V RF Power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 120
倍数： 120
: 120

RF MOSFET Transistors SMD/SMT B4E-5 Si 945 MHz 250 W + 200 C 13.4 dB Reel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 10 W, 28 V, HF to 1.6 GHz RF Power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 300
倍数： 300
: 300

RF MOSFET Transistors SMD/SMT MM-2 Si 930 MHz 12 W + 200 C 21 dB Reel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 80
倍数： 80

RF MOSFET Transistors SMD/SMT STAC-244B Si 250 MHz 580 W - 65 C + 150 C 24.6 dB Bulk
Toshiba 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 0.25W 20V
数据表
无库存
最低： 3,000
倍数： 3,000
: 3,000

RF MOSFET Transistors SMD/SMT SOT-343-4 Si 520 MHz 200 mW 13 dB Reel
Toshiba 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 4A 20W 20V
数据表
无库存
最低： 1,000
倍数： 1,000
: 1,000

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PW-X-4 Si 520 MHz 12 W 10.8 dB Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,120W,2-175MHz,28V
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 40
倍数： 40

RF MOSFET Transistors SMD/SMT Si 2 MHz to 175 MHz 120 W 13 dB
MACOM 射频(RF)双极晶体管 1025-1150MHz 500W Gain 8.5dB
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 500
倍数： 500

RF Bipolar Transistors 355J-2 Bipolar Power Si 1.15 GHz - 65 C + 200 C
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-150MHz 150Watts 50Volt Gain 17dB
数据表
交货期 36 周
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT 221-11-3 Si 150 MHz 150 W - 65 C + 150 C 17 dB Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 150Watts 50Volt Gain 18dB
数据表
无库存交货期 36 周
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT 221-11-3 Si 175 MHz 150 W - 65 C + 150 C 13 dB Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 300Watts 50Volt Gain 14dB
数据表
交货期 28 周
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT Si 175 MHz 300 W - 65 C + 150 C 14 dB Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 100Watts 28Volt Gain 8.8dB
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 80
倍数： 80

RF MOSFET Transistors SMD/SMT 333-04 Si 500 MHz 100 W - 65 C + 150 C 8.8 dB Tray
MACOM 射频(RF)双极晶体管 Transistor,20-500MHz,28V,10W
数据表
无库存交货期 36 周
最低： 80
倍数： 80

RF Bipolar Transistors Si