RF晶体管

结果: 919
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数量 RoHS 产品类型
安装风格
封装 / 箱体
晶体管类型
技术
工作频率
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
增益
资格
封装
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 无库存
最低： 50
倍数： 50
: 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT H-37248-4 Si 1.88 GHz to 1.92 GHz, 2.01 GHz to 2.025 GHz 140 W + 225 C 17.7 dB Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250

RF MOSFET Transistors SMD/SMT H-37248-4 Si 1.88 GHz to 1.92 GHz, 2.01 GHz to 2.025 GHz 140 W + 225 C 17.7 dB Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
数据表
无库存
最低： 50
倍数： 50
: 50

RF MOSFET Transistors Screw Mount HB2SOF-8-1 Si 2.62 GHz to 2.69 GHz 400 W + 225 C 13.5 dB Reel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 80 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 160
倍数： 160
: 160

RF MOSFET Transistors SMD/SMT A2-3 Si 1.625 GHz 80 W + 200 C 18 dB Reel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 8 W, 28 V, 0.7 to 4.2 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 300
倍数： 300
: 300

RF MOSFET Transistors SMD/SMT E2-3 Si 3.6 GHz 8 W + 200 C 14.5 dB Reel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 250 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 100
倍数： 100
: 100

RF MOSFET Transistors SMD/SMT LBB-5 Si 1 MHz 250 W + 200 C 18 dB Reel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 50
倍数： 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M243-3 Si 1.5 GHz 80 W + 200 C 17.3 dB Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 26dB 123MHz N-Ch
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 80
倍数： 80

RF MOSFET Transistors SMD/SMT STAC244F Si 250 MHz 1 kW - 65 C + 150 C 24.6 dB Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 10
倍数： 10

RF MOSFET Transistors Die GaAs 12 GHz 26 dBm + 150 C 10 dB Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Die GaAs 12 GHz 22 dBm + 150 C 12 dB Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 10
倍数： 10

RF MOSFET Transistors Die GaAs 26 GHz 21 dBm + 150 C 15 dB Bulk
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Die GaAs 18 GHz 26.5 dBm + 150 C 11 dB Bulk
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 无库存
最低： 50
倍数： 50
: 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT H-37248-4 Si 2.3 GHz to 2.4 GHz 50 W + 225 C 14.3 dB Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250

RF MOSFET Transistors SMD/SMT H-37248-4 Si 2.3 GHz to 2.4 GHz 50 W + 225 C 14.3 dB Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 无库存
最低： 50
倍数： 50
: 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT H-37248-4 Si 1.8 GHz to 2.2 GHz 28 W + 225 C 21 dB Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250

RF MOSFET Transistors SMD/SMT H-37248-4 Si 1.8 GHz to 2.2 GHz 28 W + 225 C 21 dB Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 500W, Si LDMOS, 48V, 859-960MHz TO288 无库存
最低： 500
倍数： 500
: 500

RF MOSFET Transistors Si Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
数据表
无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250

RF MOSFET Transistors SMD/SMT H-36265-2 Si 390 MHz to 450 MHz 12 W + 225 C 25 dB Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
数据表
无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250

RF MOSFET Transistors SMD/SMT H-36275-4 Si 390 MHz to 450 MHz 500 W + 225 C 18 dB Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 500W, Si LDMOS, 50V, 390-450MHz, Flange
数据表
无库存
最低： 50
倍数： 50
: 50
RF MOSFET Transistors Si Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
数据表
无库存
最低： 50
倍数： 50
: 50

RF MOSFET Transistors Si Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
数据表
无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250

RF MOSFET Transistors Si Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
数据表
无库存
最低： 50
倍数： 50
: 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT H-36275-4 Si 1.03 GHz/1.09 GHz 25 W + 225 C 18 dB Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
数据表
无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250

RF MOSFET Transistors SMD/SMT H-36275-4 Si 1.03 GHz/1.09 GHz 25 W + 225 C 18 dB Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
数据表
无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250

RF MOSFET Transistors SMD/SMT H-36265-2 Si 960 MHz to 1.6 GHz 200 W + 225 C 18.5 dB Reel