STMicroelectronics SGT 系列 GaN 场效应晶体管

结果: 8
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
STMicroelectronics GaN 场效应晶体管 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
数据表
364库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,800

SMD/SMT TO-LL-11 700 V 26 A 70 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 231 W Enhancement
STMicroelectronics GaN 场效应晶体管 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
数据表
695库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

SMD/SMT DPAK-3 700 V 6 A 350 mOhms - 1.4 V, + 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement
STMicroelectronics GaN 场效应晶体管 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
数据表
1,000预期 2026/5/11
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 29 A 80 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement
STMicroelectronics GaN 场效应晶体管 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 3,000
倍数： 3,000
卷轴: 3,000

SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 65 mOhms + 6 V 1.8 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 305 W
STMicroelectronics GaN 场效应晶体管 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor
数据表

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 21.7 A 105 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 4.8 nC - 55 C + 150 C 158 W Enhancement
STMicroelectronics GaN 场效应晶体管 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
数据表

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 17 A 140 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
STMicroelectronics GaN 场效应晶体管 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
数据表

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 11.5 A 190 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement
STMicroelectronics GaN 场效应晶体管 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
数据表

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 10 A 240 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement