绝缘栅双极晶体管(IGBT)

结果: 204
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
资格
封装
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
数据表
811库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247 Through Hole Single 600 V 2.35 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGW40V60DF Tube


STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT
数据表
226库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 120 A 470 W - 55 C + 175 C STGW80H65DFB-4 Tube

STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss
数据表
343库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 16 A 167 W - 55 C + 175 C M Tube

STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
数据表
34库存量
600预期 2026/9/7
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 80 A 468 W - 55 C + 175 C STGWA40H120DF2 Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
数据表
387库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGWA40H65DFB Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
数据表
193库存量
1,200在途量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 72 A 230 W - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
数据表
493库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 72 A 227 W - 55 C + 175 C STGWA40HP65FB2 Tube

STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss
数据表
138库存量
600预期 2026/11/16
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 80 A 468 W - 55 C + 175 C M Tube


STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
数据表
210库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 86 A 272 W - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT
数据表
14库存量
最低： 1
倍数： 1

- 20 V, 20 V HB2 AEC-Q100 Tube

STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed
数据表
571库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C STGWA60H65DFB Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB series IGBT
数据表
464库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-3P Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 40 A 168 W - 55 C + 175 C STGWT20H65FB Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 1200 V, 75 A, high-speed H series IGBT in a Max247 long l
数据表
163库存量
600预期 2026/10/23
最低： 1
倍数： 1

Si MAX257-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 150 A 750 W - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 19 A - 600 V Very fast IGBT
数据表
9,600在途量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 42 A 140 W - 55 C + 150 C STGW19NC60HD Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
数据表
177库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 40 A 167 W - 55 C + 175 C STGW20V60F Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
数据表
1,978预期 2026/10/23
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 600 V 1.7 V - 20 V, 20 V 60 A 260 W - 55 C + 175 C STGB30H60DLLFBAG AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT 1200V 7A PowerMESH Ultrafast
数据表
4,000预期 2026/9/16
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

Si D2PAK SMD/SMT Single 1.2 kV 2.3 V - 20 V, 20 V 14 A 75 W - 55 C + 150 C STGB3NC120HD Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss
数据表
4,000在途量
最低： 1
倍数： 1

Si STGP10M65DF2 Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) N-Ch 600 Volt 30 Amp
数据表
1,750在途量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 2.5 V - 20 V, 20 V 60 A 200 W - 55 C + 150 C STGP20NC60V Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
数据表
2,855在途量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 2.4 V - 20 V, 20 V 60 A 260 W - 40 C + 175 C STGP30H60DF Tube

STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A low loss M series IGBT in a TO-220 package
数据表
1,000预期 2026/9/21
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 16 A 167 W - 55 C + 175 C M Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) N Ch 500V 0.21 15A Pwr MOSFET
数据表
5,000预期 2027/1/15
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 2.2 V - 20 V, 20 V 15 A 65 W - 55 C + 150 C STGP8NC60KD Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) N-Ch 600 Volt 30 Amp
数据表
2,154预期 2026/7/13
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 2.5 V - 20 V, 20 V 60 A 200 W - 55 C + 150 C STGW20NC60VD Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss
数据表
1,593预期 2026/9/7
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 50 A 375 W - 55 C + 175 C M Tube


STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
数据表
280库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-3PF Through Hole Single 650 V 2 V - 20 V, 20 V 80 A 62.5 W - 55 C + 175 C STGFW40H65FB