STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

结果: 205
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
资格
封装
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT 1200V 7A PowerMESH Ultrafast
数据表
1,783库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

Si D2PAK SMD/SMT Single 1.2 kV 2.3 V - 20 V, 20 V 14 A 75 W - 55 C + 150 C STGB3NC120HD Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed
数据表
722库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGB40H65FB Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) N Ch 600V 10A
数据表
1,305库存量
2,500预期 2026/6/15
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

Si DPAK-3 (TO-252-3) SMD/SMT Single 600 V 2.2 V - 20 V, 20 V 20 A 62 W - 55 C + 150 C STGD10NC60KDT4 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) EAS 180 mJ-400 V clamped IGBT
数据表
1,889库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

Si DPAK-3 (TO-252-3) SMD/SMT Single 420 V 1.35 V - 12 V, 16 V 10 A 150 W - 55 C + 175 C STGD18N40LZ AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel


STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Automotive-grade 360 V internally clamped IGBT ESCIS 300 mJ
数据表
2,490库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

- 12 V, 16 V AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
数据表
2,897库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

Si DPAK-3 (TO-252-3) SMD/SMT Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 10 A 83 W - 55 C + 175 C STGD5H60DF Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) PowerMESH&#34 IGBT
数据表
2,192库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

Si DPAK-3 (TO-252-3) SMD/SMT Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 15 A 63 W - 55 C + 150 C STGD6NC60HDT4 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate H series 600V 10A HiSpd
数据表
844库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 FP Through Hole Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 20 A 30 W - 55 C + 175 C STGF10H60DF Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) PowerMESH&#34 IGBT
数据表
270库存量
2,000预期 2026/2/13
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 FP Through Hole Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 9 A 25 W - 55 C + 150 C STGF10NC60KD Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) PowerMESH&#34 IGBT
数据表
1,005库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 FP Through Hole Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 11 A 28 W - 55 C + 150 C STGF14NC60KD Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss
数据表
140库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220FP-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 30 A 31 W - 55 C + 175 C STGF15M65DF2 Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
数据表
688库存量
2,000预期 2026/7/20
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 FP Through Hole Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 40 A 37 W - 55 C + 175 C STGF20H60DF Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss
数据表
478库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220FP-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 40 A 32.6 W - 55 C + 175 C STGF20M65DF2 Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
数据表
1,131库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220FP-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 60 A 38 W - 55 C + 175 C STGF30M65DF2 Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) PowerMESH&#34 IGBT
数据表
1,022库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 FP Through Hole Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 6 A 20 W - 55 C + 150 C STGF6NC60HD Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBT
数据表
1,004库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 FP Through Hole Single 600 V 1.2 V - 20 V, 20 V 15 A 25 W - 55 C + 150 C STGF7NB60SL Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss
数据表
447库存量
2,000预期 2026/11/9
最低： 1
倍数： 1

Si STGP10M65DF2 Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate H series 600V 15A HiSpd
数据表
459库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 30 A 115 W - 55 C + 175 C STGP15H60DF Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss
数据表
747库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 40 A 166 W - 55 C + 175 C STGP20M65DF2 Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) N-Ch 600 Volt 30 Amp
数据表
403库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 2.5 V - 20 V, 20 V 60 A 200 W - 55 C + 150 C STGP20NC60V Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
数据表
1,076库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 2.3 V - 20 V, 20 V 40 A 167 W - 55 C + 175 C STGP20V60DF Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
数据表
218库存量
2,000预期 2026/5/18
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 2.4 V - 20 V, 20 V 60 A 260 W - 40 C + 175 C STGP30H60DF Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 7A 1200 V Very Fast IGBT Power Bipolar
数据表
22库存量
3,000预期 2026/2/17
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.2 V - 20 V, 20 V 14 A 75 W - 55 C + 150 C STGP3NC120HD Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
数据表
931库存量
1,000预期 2026/4/3
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 10 A 88 W - 55 C + 175 C STGP5H60DF Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) N-channel 600 V, 7 A very fast IGBT
数据表
2,912库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 15 A 56 W - 55 C + 150 C STGP6NC60HD Tube