STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

结果: 205
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封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
资格
封装
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) N Ch 500V 0.21 15A Pwr MOSFET
数据表
2,000库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 2.2 V - 20 V, 20 V 15 A 65 W - 55 C + 150 C STGP8NC60KD Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
数据表
610库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 30 A 259 W - 55 C + 175 C STGW15H120DF2 Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1250V 25A trench gate field-stop IGBT
数据表
560库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.25 kV 2.65 V - 20 V, 20 V 60 A 375 W - 55 C + 175 C STGW28IH125DF Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT
数据表
90库存量
600预期 2026/8/24
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.75 V - 20 V, 20 V 30 A 260 W - 55 C + 175 C STGW30H65FB Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) PowerMESH&#34 IGBT
数据表
419库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 2.1 V - 20 V, 20 V 60 A 200 W - 55 C + 150 C STGW30NC60WD Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) N-CHANNEL MFT
数据表
560库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 80 A 250 W - 55 C + 150 C STGW39NC60VD Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
数据表
452库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 80 A 468 W - 55 C + 175 C STGW40H120F2 Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 40A trench gate field-stop IGBT
数据表
161库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGW40H60DLFB Tube

STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss
数据表
产品评论
414库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 80 A 468 W - 55 C + 175 C M Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 60A trench gate field-stop IGBT
数据表
6库存量
1,200预期 2026/2/17
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C STGW60H65DFB Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 60A Trench Gate 1.8V Vce IGBT
数据表
268库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 2.35 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C STGW60V60F Tube

STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss
数据表
344库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 16 A 167 W - 55 C + 175 C M Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss
数据表
产品评论
467库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 30 A 283 W - 55 C + 175 C M Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
数据表
406库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 50 A 167 W - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 1600 V, 30 A, soft-switching IH2 series IGBT
数据表
3库存量
600在途量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.6 kV 1.77 V 20 V 85 A 395 W - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
数据表
437库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGWA40H65DFB Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
数据表
496库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 72 A 227 W - 55 C + 175 C STGWA40HP65FB2 Tube

STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss
数据表
180库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 80 A 468 W - 55 C + 175 C M Tube


STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
数据表
598库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 86 A 272 W - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, 650 V, 50 A soft switching IH series in a TO-247 lo
数据表
410库存量
600预期 2026/4/13
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.5 V - 20 V, 20 V 100 A 300 W - 55 C + 175 C HB2 Tube

STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed
数据表
1库存量
600预期 2026/4/1
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C STGWA60H65DFB Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB series IGBT
数据表
470库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-3P Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 40 A 168 W - 55 C + 175 C STGWT20H65FB Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1250V 20A trench gte field-stop IGBT
数据表
613库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-3P Through Hole Single 1.25 kV 2.55 V - 20 V, 20 V 40 A 259 W - 55 C + 175 C STGWT20IH125DF Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT
数据表
848库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-3P-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 30 V, 30 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGWT40HP65FB Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT
数据表
311库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-3P Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C STGWT60H65DFB Tube