碳化硅MOSFET

结果: 59
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描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an
数据表
394库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 239 mOhms - 20 V, + 20 V 3.5 V 45 nC - 55 C + 200 C 175 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package
数据表
8库存量
1,800预期 2026/7/13
最低： 1
倍数： 1
: 1,800

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 63 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 42.5 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement


STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
数据表
7库存量
600预期 2026/10/5
最低： 1
倍数： 1

Through Hole HiP-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 72 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 32 nC - 55 C + 200 C 210 W Enhancement AEC-Q100
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H
数据表
5库存量
600预期 2026/12/18
最低： 1
倍数： 1

Through Hole HiP-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 100 mOhms - 10 V, + 22 V 4.9 V 61 nC - 55 C + 200 C 278 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package
数据表
1,197在途量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 600

SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 110 A 15 mOhms - 10 V, + 22 V 3.2 V 154 nC - 55 C + 175 C 652 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
数据表
1,997预期 2026/10/12
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 37 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 73 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A
数据表
400预期 2026/8/31
最低： 1
倍数： 1
: 600

AEC-Q100


STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package
数据表
996预期 2026/9/7
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 54 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package
数据表
1,200在途量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 600

SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 72 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 54 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
数据表
1,800在途量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 600

SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 72 mOhms - 10 V, + 22 V 4.2 V 29 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package
数据表
1,199预期 2026/9/28
最低： 1
倍数： 1
: 600

SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 87 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 37 nC - 55 C + 175 C 223 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 500 mOhm typ., 12 A in an
数据表
2,394预期 2027/6/25
最低： 1
倍数： 1

Through Hole N-Channel 1 Channel 1.2 kV 12 A 500 mOhms - 10 V, + 25 V 3.5 V 22 nC - 55 C + 200 C 150 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package
数据表
100在途量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole HiP247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 54 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 56 nC - 55 C + 200 C 312 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package
数据表
1在途量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole STPAK-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 239 A 8.5 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 304 nC - 55 C + 200 C 994 W AEC-Q100
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
数据表
无库存交货期 32 周
最低： 1
倍数： 1

Through Hole HiP247-4 N-Channel 1.2 kV 30 A 87 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 41 nC - 55 C + 200 C 236 W Enhancement
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A
数据表

AEC-Q100
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 13.5 mOhm typ., 110 A
数据表

AEC-Q100
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 13.5 mOhm typ., 110 A in a TO-LL package
数据表

STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
数据表

SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 55 A 27 mOhms -10 V, 22 V 4.2 V 79.4 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 21.5 mOhm typ., 60 A
数据表

SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 29 mOhms -10 V, 22 V 4.2 V 82.5 nC - 55 C + 175 C 388 W Enhancement AEC-Q100
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A
数据表

Through Hole HiP247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 55 A 27 mOhms -10 V, 22 V 4.2 V 76 nC - 55 C + 200 C 398 W Enhancement AEC-Q100
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in a HiP247-4 package
数据表
Through Hole HiP247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 90 A 26 mOhms - 10 V, + 22 V 4.2 V 120 nC - 55 C + 200 C 486 W AEC-Q100
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A
数据表

AEC-Q100
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
数据表

Through Hole HiP247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 37 mOhms -10 V, 22 V 4.2 V 73 nC - 55 C + 200 C 388 W Enhancement
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in a TO-LL package
数据表