碳化硅MOSFET

碳化硅MOSFET
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名

onsemi 碳化硅MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L
数据表
1,824库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 66 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 291 W Enhancement EliteSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE
数据表
837库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 52 A 59 mOhms - 7 V, + 20 V 5.7 V 57 nC - 55 C + 175 C 228 W Enhancement CoolSiC
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO247 750V 56A N-CH SIC
数据表
635库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 750 V 56 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 176 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO247 750V 56A N-CH SIC
数据表
375库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 56 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 176 W Enhancement
Toshiba 碳化硅MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm
数据表
131库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 57 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
数据表
1,613库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 28.8 mOhms - 4 V, + 15 V 1.8 V 160 nC - 40 C + 175 C 469 W Enhancement
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/53MOSICFETG4TO247-3
数据表
678库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 A 67 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 263 W SiC FET
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A
数据表
969库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 40 mOhms - 10 V, + 22 V 4.2 V 39.5 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO247 1.2KV 26A N-CH SIC
数据表
830库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 26 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 64 nC + 175 C 115 W Enhancement
onsemi 碳化硅MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO247-4
数据表
3,300库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 43 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 12 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L
数据表
3,923库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 800
SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement EliteSiC

IXYS 碳化硅MOSFET 1200V 80mOhm SiC MOSFET
数据表
4,196库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 80 mOhms - 5 V, + 20 V 2.8 V 95 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V
数据表
1,511库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 58 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
数据表
1,014库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET 20MW 1200V
数据表
996库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 103 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 203 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET 60MOHM
数据表
265库存量
最低： 1
倍数： 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247-4
数据表
150库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 700 V 112 A 19 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V 215 nC - 55 C + 175 C 524 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
865库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 6 A 346 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement CoolSiC
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4
数据表
258库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 103 A 31 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V 232 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement
SemiQ 碳化硅MOSFET 1200V, 18mOhm, TO-247-4L MOSFET
数据表
48库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 119 A 18 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 216 nC - 55 C + 175 C 564 W Enhancement
SemiQ 碳化硅MOSFET 1200V, 40mOhm, TO-263-7L MOSFET
数据表
25库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 66 A 38 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 112 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO263 750V 31A N-CH SIC
数据表
51库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 31 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 93 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET Transistor SiC MOSFET 1200V 80mO 3rd Gen TO-247-4L
数据表
18库存量
450预期 2026/8/4
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 80 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 60 nC + 175 C 165 W Enhancement
Toshiba 碳化硅MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 48mohm
数据表
83库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 65 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 41 nC - 55 C + 175 C 132 W Enhancement
onsemi 碳化硅MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO263-7
数据表
781库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 28.8 A 85 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement SiC FET