碳化硅MOSFET

碳化硅MOSFET
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology
数据表
187库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole PG-TO247-4-U07 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 201 A 20 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 176 nC - 55 C + 175 C 711 W CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
数据表
140库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 42 A 50 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 156 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
数据表
66库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 45 A 50 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
数据表
133库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 64 A 31 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
140库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 36 A 65 mhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC
APC-E 碳化硅MOSFET 650V 50mR, TO-247-4L, Industrial Grade
数据表
288库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 65 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 45 nC - 55 C + 175 C 198 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
数据表
70库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 36 A 65 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC
APC-E 碳化硅MOSFET 1200V 75mR, TO-247-4L, Automotive Grade
数据表
300库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27 A 98 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 40 nC - 55 C + 175 C 151 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
数据表
28库存量
750预期 2026/3/26
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 750

SMD/SMT HD-SOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 53 A 65.6 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
数据表
118库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 50 A 41.3 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
数据表
140库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 29 A 78 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 116 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
140库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 45 A 50 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
IXYS 碳化硅MOSFET 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L
数据表
78库存量
800预期 2026/6/2
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement
APC-E 碳化硅MOSFET 1200V 75mR, TO-247-4L, Industrial Grade
数据表
300库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27 A 98 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 40 nC - 55 C + 175 C 151 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
数据表
138库存量
1,000预期 2026/2/23
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 34 A 65 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 135 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
119库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 53 A 41.3 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement CoolSiC
APC-E 碳化硅MOSFET 650V 50mR, TO-247-4L, Automotive Grade
数据表
300库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 65 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 45 nC - 55 C + 175 C 198 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
1,165库存量
1,500在途量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 154 A 13.1 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 113 nC - 55 C + 175 C 651 W Enhancement
Central Semiconductor 碳化硅MOSFET 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC
数据表
30库存量
最低： 1
倍数： 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 26 A 40 mOhms 20 V 2.4 V - 55 C + 175 C 28 W Depletion
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 21mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
数据表
243库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 248 A 35 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 169 nC - 40 C + 175 C 500 W Enhancement
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A
数据表
252库存量
600在途量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 600


onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM
数据表
2,252库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 900 V 118 A 28 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 196 nC - 55 C + 175 C 484 W Enhancement EliteSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE
数据表
799库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 60 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 31 nC - 55 C + 175 C 150 mW Enhancement CoolSiC
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/9MOSICFETG4TO263-7
数据表
688库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 106 A 9 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化硅MOSFET 750V/18MOSICFETG4TO263-7
数据表
1,247库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 72 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 259 W Enhancement SiC FET