Infineon Technologies CoolSiC™ 400V G2碳化硅MOSFET
英飞凌CoolSiC™ 400V G2碳化硅MOSFET 非常适合硬开关和谐振开关拓扑结构。英飞凌400V MOSFET专为AI服务器电源单元 (PSU) 的AC/DC阶段而开发，也非常适合太阳能和储能系统等应用。CoolSiC MOSFET基于先进的沟槽半导体工艺，经过优化可实现最低应用损耗和最高运行可靠性。
特性
- 非常适合用于高频开关和同步整流
- 低器件电容
- 换向坚固的快速体二极管，具有低Qfr
- 对温度的RDS(on)依赖性低
- 基准4.5V栅极阈值电压VGS(th)
- 同级别最佳的开关和传导损耗
- ）。XT互连技术，实现同类最佳的热性能
- +18V IGBT兼容型驱动
- 无阈值导通状态特性
- 效率高，可降低冷却要求
- 使用寿命长、可靠性高
- 功率密度更高
- 推荐栅极驱动电压范围：0V至18V
- 与温度无关的开关损耗
- 出色的栅极氧化物可靠性
- PG‑TO263‑7和PG‑HSOF‑8封装选项
- 工作结温范围：-55°C至+175°C
- 短路和雪崩耐受性，100%经过雪崩测试
- 无铅、无卤，符合RoHS指令
应用
- 开关模式电源 (SMPS)
- 能量存储、不间断电源 (UPS) 和电池形成
- 太阳能光伏逆变器
- D类音频
- 电机驱动器
应用笔记
- AN_1909_PL52_1910_201256 - 隔离式栅极驱动解决方案：通过隔离式栅极驱动器IC提高功率密度和稳健性
相关产品
Infineon Technologies CoolSiC™ G2碳化硅MOSFET
在AC-DC、DC-DC以及DC-AC转换中，具有高水平的碳化硅 (SiC) 性能，同时满足最高质量标准。
Infineon Technologies HybridPACK™ Drive G2模块
紧凑型电源模块，设计用于混合动力汽车和电动汽车牵引。
Infineon Technologies CoolSiC™ 650 V G2碳化硅MOSFET
利用碳化硅的性能能力，实现更低的能量损耗。
Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V G2碳化矽MOSFET
为电力电子设备应用提供高性能解决方案。
开发工具
Infineon Technologies REF-10KW-3LBUCK-SIC400参考板
可对采用TOLL和D2PAK-7封装的CoolSiC™ MOSFET 400V/650V G2进行评估。
发布日期: 2024-08-16
| 更新日期: 2025-12-15