Infineon Technologies CoolGaN™集成功率级 (IPS)
英飞凌CoolGaN™ 集成功率级 (IPS) 将半桥功率级与两个增强型CoolGaN HEMT（包括专用栅极驱动器）结合在一起，采用小型8mm x 8mm QFN-28封装。这些器件包括IGI60F1414A1L、IGI60F2020A1L、IGI60F2727A1L和IGI60F5050A1L，分别具有两个140mΩ 、200mΩ 、270mΩ 和500mΩ GaN开关。
英飞凌CoolGaN IPS利用中低功率区域支持高密度交流/直流充电器和适配器的设计，实现CoolGaN HEMT的出色开关性能。CoolGaN和英飞凌的其他相关电源开关可组成非常可靠的栅极结构。当由“导通”状态下几mA的连续栅极电流驱动时，持续保证最低导通电阻Rdson。
特性
- 两个GaN开关，采用半桥配置，具有专用的高侧和低侧隔离式栅极驱动器
- 拉/灌驱动电流高达1A/2A
- 可根据应用配置导通和关断速度
- 快速输入至输出传播（典型值47ns），具有极小的通道间错配
- PWM输入信号（开关频率高达3MHz）
- 与数字控制器兼容的标准逻辑输入电平
- 单栅极驱动器电源电压（典型值8V），可实现快速UVLO恢复
- 宽电源范围
- 低侧开源，用于通过外部分流电阻器进行电流检测
- 基于强大的无芯变压器技术的电流输入至输出隔离
- 栅极驱动器，具有极高的共模瞬态抑制 (CMTI) >300V/ns
- 热增强型8mm x 8mm QFN-28封装
- 完全符合JEDEC标准，用于工业应用
应用
- 充电器和适配器
- 服务器、电信和网络SMPS
- 低功耗电机驱动器
- LED照明
电源拓扑结构
• 有源钳位反激或混合反激转换器
• LLC或LCC谐振转换器
• 单或交错同步降压或升压转换器
• 单相或多相两级逆变器
规格表
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典型应用
发布日期: 2023-09-08
| 更新日期: 2023-09-18