Infineon Technologies CoolSiC™ 440V G2碳化硅MOSFET
英飞凌CoolSiC™ 440VG2碳化硅MOSFET旨在填补200V Si沟槽型MOSFET与600V Si超结 (SJ) MOSFET之间的空白。这些MOSFET在采用硬开关和软开关拓扑结构的2电平和3电平应用中，能够提供出色的功率密度和系统效率。CoolSiC™ MOSFET具有440V阻断电压、4.5V栅极阈值电压和低RDS(ON) 温度依赖性。这些MOSFET兼具高稳健性与超低开关损耗和导通电阻。CoolSiC™ MOSFET非常适合应用于为AI计算平台供电的应用定制电源设计，以及服务器、数据中心和通信整流系统中的大功率SMPS。
特性
- 440 V 的闭塞电压
- 栅极阈值电压：4.5V
- 支持单极驱动 (VGSoff=0)
- 与650V SiC MOSFET相比具有更低的FOM
- 系统效率高
- 大功率密度设计
- 高设计稳健性
- 减少EMI滤波
- 具有低Qfr的耐换流快速体二极管
- 低RDS(on) 温度依赖性
- 高度可控
- 高dV/dt运行期间的低Voff过冲
- 用于硬开关拓扑
应用
- 专为AI供电而设计的特定应用型MOSFET
- 用于服务器的大功率SMPS
- 数据中心
- 电信用整流器
单元结构
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发布日期: 2026-02-26
| 更新日期: 2026-03-10