Infineon Technologies CoolSiC™ 650 V G2碳化硅MOSFET
英飞凌科技CoolSiC™ 650V G2碳化硅MOSFET利用 碳化硅的性能能力，降低能量损耗，从而在电源转换过程中实现更高的效率。 英飞凌CoolSiC 650V G2 MOSFET为光伏、储能、直流电动汽车充电、电机驱动器和工业电源等各种功率半导体应用带来优势。配备CoolSiC G2的电动汽车DC快速充电站与上一代产品相比，功率损耗可减少10%，同时在不影响外形因子的前提下，实现更高的充电容量。
特性
- 灵活的驱动电压，兼容双极驱动方案
- 基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5V
- 即使在0V关断栅极电压下，也能稳健地防止寄生导通。
- 灵活的驱动电压，兼容双极驱动方案
- 超低开关损耗
- 在硬换向事件下，体二极管仍能可靠工作
- ）。XT互联技术实现卓越的散热性能
应用
- SMPS
- 太阳能光伏逆变器
- 能量存储和电池形成
- UPS
- 电动汽车充电基础设施
- 电机驱动器
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发布日期: 2024-04-05
| 更新日期: 2025-12-15