Infineon Technologies IGBT7 E7 TRENCHSTOP™双配置模块
Infineon Technologies IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ 双配置模块基于微图案沟槽技术，可减少损耗，提供高可控性。与方形沟槽单元格相比，该单元格概念的特点是可实现由亚微米台面分隔的平行沟槽单元格。专门优化的芯片，用于工业驱动应用和太阳能系统，具有低静态损耗、高功率密度和软开关特性。该模块的最高工作温度为+175°C，可显著提高功率密度。
特性
- 过载能力
- 导通电压低
- 增强可控性
- 改进二极管
- 互连可靠性高
- 简化逆变器系统
- 增加功率
- 帧大小跳跃
- 低损耗
- 优化型驱动
应用
- 电机控制和驱动器
- 商用、建筑和农用车辆
- 光伏能源系统解决方案
- 不间断电源 (UPS)
规范
- 1200V或2300V电压等级
- 集电极连续电流：300A至1800A
- 1.5V至1.8V的典型集电极-发射极饱和电压范围
- 100nA栅极-射极漏电流
- 工作温度范围：-40°C至+175°C
视频
特色模块
Infineon Technologies FF900R12ME7_B11双IGBT模块
采用EconoDUAL™ 3、双TRENCHSTOP™ IGBT7模块、NTC和PressFIT触点技术。
Infineon Technologies FF1800R23IE7 PrimePACK™3+ B系列模块
采用 TRENCHSTOP™ IGBT7技术。
相关模块
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支持100A至600A的电流范围和600V/650V/1200V和1700V的电压。
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EconoDUAL™ 3 TRENCHSTOP™ IGBT7模块，采用发射器控制的7二极管和PressFIT触点技术。
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采用NTC和PressFIT触点技术，具有高电流密度和低电感设计。
发布日期: 2023-05-02
| 更新日期: 2024-01-30