ROHM Semiconductor 第四代N沟道SiC功率MOSFET
ROHM Semiconductor第四代N沟道碳化硅 (SiC) 功率MOSFET具有低导通电阻，改进了短路耐受时间。第四代SiC MOSFET易于并联、驱动简单。此系列MOSFET具有快速开关和快速反向恢复特性，开关损耗低，最大工作温度为+175°C。ROHM第四代N沟道SiC功率MOSFET支持15V栅源电压，有助于降低器件功耗。
特性
- 低导通电阻，提高短路耐受性
- 通过大幅降低寄生电容最大限度地降低开关损耗
- 支持15V栅极-源极电压，提高应用设计自由度
- 开关速度快
- 快速反向恢复
- 易于并联
- 易于驱动
- 碳化硅 (SiC) 技术
- N通道晶体管极性
- 单通道
- 通孔安装
- 增强模式
- 最高工作温度：+175°C
- 提供符合AEC-Q101标准的选项
- 无铅，符合RoHS指令和REACH标准
应用
- 汽车
- 开关模式电源
- 太阳能逆变器
- 直流/直流转换器
- 感应加热
- 电机驱动器
规范
- 3至7个引脚
- 栅极-源极电压范围：-4V至+21V，阈值：4.8V
- 栅极充电范围：63nC至170nC
- 连续漏极电流范围：26A至105A
- 13mΩ至62mΩ漏极-源极导通电阻
- 漏源击穿电压：750V或1.2kV
- 上升时间：11ns至57ns
- 下降时间：9.6ns至21ns
- 典型延迟时间
- 导通范围：4.4ns至20ns
- 关断范围：22ns至83ns
- 功率耗散范围：93W至312W
- 采用以下封装
- TO-247-4L
- TO-247N-3
- TO-263-7L
视频
性能
特色MOSFET
ROHM Semiconductor SCT4013DR N沟道SiC功率MOSFET
漏源电压额定值为750V，漏极连续电流为105A（+25°C时）。
ROHM Semiconductor SCT4013DW7 N沟道SiC功率MOSFET
750V、13mΩ低导通电阻MOSFET，设计用于快速开关。
ROHM Semiconductor SCT4018KR N沟道SiC功率MOSFET
漏源电压额定值为1200V，漏极连续电流为81A（25°时）。
ROHM Semiconductor SCT4018KW7 N沟道SiC功率MOSFET
易于驱动和并联，具有低导通电阻和快速开关速度。
ROHM Semiconductor SCT4036KW7 N沟道SiC功率MOSFET
一款1200V、36mΩ MOSFET，采用TO-263-7L封装，易于驱动和并联。
ROHM Semiconductor SCT4045DWAHR AEC-Q101 N沟道SiC功率MOSFET
漏源电压额定值为750V，漏极连续电流为31A（+25°C时）。
ROHM Semiconductor SCT4062KWAHR AEC-Q101 N沟道SiC功率MOSFET
具有1200V高漏源电压额定值和24A漏极连续电流（+25°C时）。
ROHM Semiconductor N沟道SiC功率MOSFET
在开关期间不会产生尾电流，因此动作较快，开关损耗更低。
ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC Power MOSFETs
Can be used to boost switching frequency, reducing the size of the external components.
发布日期: 2023-03-15
| 更新日期: 2025-06-18