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Toshiba 车用U-MOSVI功率MOSFET

Toshiba 汽车用U-MOSVI功率MOSFET是适用于汽车 应用的-40V P沟道功率MOSFET。它们的栅极驱动电压为-4.5V，而采用DPAK+封装的 传统产品的栅极驱动电压则为-6V。因此即使在电池电压下降时系统也能使用。该MOSFET具有低导通电阻。

特性

  • 低导通电阻：
    • RDS(ON) = 1.45mΩ（最大值）(VGS = -10V) (TJ200F04M3L)
    • RDS(ON) = 2.4mΩ（最大值）(VGS = -10V） (XPH3R114MC)
    • RDS(ON) = 3.6mΩ（典型值）(VGS = -10V） (XPH4R714MC)
    • RDS(ON) = 4.0mΩ（典型值）(VGS = -10V) (TJ80S04M3L)
    • RDS(ON) = 4.3mΩ（最大值）(VGS = -10V）(TJ90S04M3L)
    • RDS(ON) = 4.8mΩ（典型值）(VGS = -10V) (TJ60S04M3L)
    • RDS(ON) = 7.0mΩ（典型值）(VGS = -10V) (TJ40S04M3L)
    • RDS(ON) = 7.4mΩ（典型值）(VGS = -10V） (XPN9R614MC)
    • RDS(ON) = 8.6mΩ（典型值）(VGS = -10V) (TJ60S06M3L)
    • RDS(ON) = 10.3mΩ（典型值）(VGS = -10V) (TJ40S04M3L)
    • RDS(ON) = 16.8mΩ（典型值）(VGS = -10V) (TJ30S06M3L)
    • RDS(ON) = 17mΩ（最大值）(VGS = - 10V） (TJ20S04M3L)
    • RDS(ON) = 33.8mΩ（典型值）(VGS = -10V) (TJ10S04M3L)
    • RDS(ON) = 38.5mΩ（最大值）(VGS = -10V) (TJ15S06M3L)
    • RDS(ON) = 80mΩ（典型值）(VGS = -10V) (TJ8S06M3L)
  • 低栅极驱动电压 (-4.5V)
  • 窄栅极阈值电压范围：Vth= -1.0至-2.0V（窄：1V范围）
  • 低热阻：Rth(ch-C)=0.83°C/W（最大值）
  • 通道额定温度：Tch=175°C
  • 切换噪音低

应用

  • 负载开关（替代机械继电器）
  • 电机驱动器

电路示例

Toshiba 车用U-MOSVI功率MOSFET

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物料编号 数据表 描述
TJ200F04M3L,LXHQ TJ200F04M3L,LXHQ 数据表 MOSFET 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ8S06M3L,LXHQ TJ8S06M3L,LXHQ 数据表 MOSFET 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ60S04M3L,LXHQ TJ60S04M3L,LXHQ 数据表 MOSFET 90W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ10S04M3L,LXHQ TJ10S04M3L,LXHQ 数据表 MOSFET 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ80S04M3L,LXHQ TJ80S04M3L,LXHQ 数据表 MOSFET 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ40S04M3L,LXHQ TJ40S04M3L,LXHQ 数据表 MOSFET 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ15S06M3L,LXHQ TJ15S06M3L,LXHQ 数据表 MOSFET 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ30S06M3L,LXHQ TJ30S06M3L,LXHQ 数据表 MOSFET 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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TJ20S04M3L,LXHQ TJ20S04M3L,LXHQ 数据表 MOSFET 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101
发布日期: 2020-04-29 | 更新日期: 2025-08-19