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Nexperia MLPAK33-WF封装的BUK7Q N沟道MOSFET
Nexperia MLPAK33-WF封装的BUK7Q N沟道MOSFET
09/29/2025
采用沟槽9技术，符合AEC-Q101要求。
Nexperia BUK9Q N沟道沟槽MOSFET
Nexperia BUK9Q N沟道沟槽MOSFET
09/09/2025
逻辑级兼容，开关速度快，完全符合AEC-Q101标准，工作温度为175°C。
Nexperia BUK6Q66-60PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q66-60PJ MOSFET
08/27/2025
P沟道FET搭载Trench MOSFET技术，采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装。 
Nexperia BUK6Q8R2-30PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q8R2-30PJ MOSFET
08/27/2025
MLPAK33（SOT8002-3）SMD塑料封装中的P沟道 FET采用沟槽MOSFET技术。
Nexperia MJPEx双极结型晶体管 (BJT)
Nexperia MJPEx双极结型晶体管 (BJT)
08/26/2025
CFP15B封装为采用DPAK封装中的MJD系列提供了紧凑并且经济高效的替代方案。
Nexperia BUK6Q26-40PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q26-40PJ MOSFET
08/19/2025
采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装的P沟道FET，使用沟槽MOSFET技术。 
Nexperia BUK6Q12-40PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q12-40PJ MOSFET
08/19/2025
采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装的P沟道FET，使用沟槽MOSFET技术。 
Nexperia BUK6Q21-30PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q21-30PJ MOSFET
08/19/2025
30V、P沟道FET采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装，使用了沟槽MOSFET技术。 
Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100V GaN FET
Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100V GaN FET
07/03/2025
常闭电子模式设备，具有卓越的性能和极低的导通电阻。
Nexperia GANB1R2-040QBA和GANB012-040CBA GaN HEMT
Nexperia GANB1R2-040QBA和GANB012-040CBA GaN HEMT
07/03/2025
40V、1.2mΩ 或12mΩ 、双向氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。
Nexperia GANB8R0-040CBA双向GaN FET
Nexperia GANB8R0-040CBA双向GaN FET
04/14/2025
40V、8.0mΩ双向GaN HEMT，采用紧凑型1.7mm x 1.7mm WLCSP封装。
Nexperia PXNx N沟道逻辑电平沟槽式MOSFET
Nexperia PXNx N沟道逻辑电平沟槽式MOSFET
04/14/2025
60V和100V MOSFET，专为各种应用中的高效电源管理而设计。
Nexperia NX5020x N沟道增强模式FET
Nexperia NX5020x N沟道增强模式FET
04/01/2025
这些设备采用沟槽MOSFET技术，具有非常低的阈值电压和非常快的开关速度。
Nexperia 专用功率MOSFET
Nexperia 专用功率MOSFET
01/21/2025
综合成熟的MOSFET专业技术和对广泛的应用的理解，形成不断壮大的产品系列。
Nexperia 热插拔和软起动专用CCPAK ASFET
Nexperia 热插拔和软起动专用CCPAK ASFET
01/08/2025
单个器件具有可靠线性模式、增强SOA和低RDS(on)。
Nexperia BC5xPAS-Q 1A中等功率PNP晶体管
Nexperia BC5xPAS-Q 1A中等功率PNP晶体管
12/30/2024
通过AEC-Q101认证的PNP晶体管，采用超薄的 DFN2020D-3 (SOT1061D) SMD塑料封装。
Nexperia BC869-Q功率晶体管
Nexperia BC869-Q功率晶体管
12/11/2024
PNP中等功率晶体管，采用SOT89 (SC-62) 中等功率扁平引线塑料封装。
Nexperia GANB4R8-040CBA双向GaN FET
Nexperia GANB4R8-040CBA双向GaN FET
10/01/2024
一款40V、4.8mΩ 双向GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)，采用WLCSP封装。
Nexperia BUK7J2R4-80M N沟道MOSFET
Nexperia BUK7J2R4-80M N沟道MOSFET
08/30/2024
基于沟槽14低阻值分离栅极技术，采用LFPAK56E封装。
Nexperia PBSSxx50PAS/PBSSxx50PAS-Q晶体管
Nexperia PBSSxx50PAS/PBSSxx50PAS-Q晶体管
07/04/2024
具有低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流能力。
Nexperia GANE3R9-150QBA氮化镓（GaN）FET
Nexperia GANE3R9-150QBA氮化镓（GaN）FET
07/02/2024
一款采用VQFN封装的通用150V、3.9mΩ 氮化镓 (GaN) FET。
Nexperia NSF0x0120 N通道碳化硅MOSFET
Nexperia NSF0x0120 N通道碳化硅MOSFET
07/01/2024
采用标准7引脚TO-263塑料封装，提供出色的RDS(on)温度稳定性。
Nexperia PSMNxRx-80YSF NextPower N沟道MOSFET
Nexperia PSMNxRx-80YSF NextPower N沟道MOSFET
06/24/2024
80V、标准电平栅极驱动MOSFET，具有低Qrr，实现更高效率和更低尖峰。
Nexperia NSF0x120L4A0 N 沟道 MOSFET
Nexperia NSF0x120L4A0 N 沟道 MOSFET
04/23/2024
基于碳化硅（SiC）的1200V功率MOSFET，采用成熟的4引脚TO-247塑料封装。
Nexperia PSMN047-100NSE N沟道ASFET
Nexperia PSMN047-100NSE N沟道ASFET
04/04/2024
100V、53mΩ ASFET将增强SOA结合在紧凑的2mmx2mm占位面积中，
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    onsemi GaNEXUS™ GaN FETs
    onsemi GaNEXUS™ GaN FETs
    07/08/2026
    Wide-bandgap material properties for low gate & output charge, fast switching & enhanced efficiency.
    Vishay MXP075 MaxSiC® 750V N沟道MOSFET
    Vishay MXP075 MaxSiC® 750V N沟道MOSFET
    06/19/2026
    具有750V漏源电压、快速开关速度以及小于3μs的短路耐受时间。
    Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
    Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
    06/18/2026
    Based on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.
    Infineon Technologies EasyPACK™ S模块
    Infineon Technologies EasyPACK™ S模块
    06/12/2026
    紧凑型、易于集成的封装设计，适用于现代电源设计，可实现高效电源转换。
    Infineon Technologies OptiMOS™ 7 100V车规级功率MOSFET
    Infineon Technologies OptiMOS™ 7 100V车规级功率MOSFET
    05/27/2026
    先进的N沟道设备，专为高效功率开关而设计。
    Texas Instruments 2N7002L 6V N沟道MOSFET
    Texas Instruments 2N7002L 6V N沟道MOSFET
    05/18/2026
    旨在最大限度地降低导通电阻，同时保持快速的开关性能。
    Infineon Technologies CIPOS™ Prime汽车级CoolSiC™电源模块
    Infineon Technologies CIPOS™ Prime汽车级CoolSiC™电源模块
    05/06/2026
    电源模块设计用于为xEV应用提供高性能。
    onsemi NVBYST0D8N08X单N沟道功率MOSFET
    onsemi NVBYST0D8N08X单N沟道功率MOSFET
    04/14/2026
    针对高压运行进行了优化，并可承受快速开关及大电流应力。
    ROHM Semiconductor 高密度SiC功率模块
    ROHM Semiconductor 高密度SiC功率模块
    04/10/2026
    TRCDRIVE pack™、DOT-247及HSDIP20封装有助于实现高效能电源转换。
    iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
    iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
    04/07/2026
    Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.
    onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
    onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
    04/06/2026
    一款双N沟道MOSFET，采用低Rg设计，适用于快速开关应用。
    Vishay VS-HOT200C080 200A 80V功率MOSFET模块
    Vishay VS-HOT200C080 200A 80V功率MOSFET模块
    04/02/2026
    相较于标准分立式解决方案，该设备能够减少高达15%的电路板空间占位需求。
    Toshiba N沟道/P沟道功率MOSFET
    Toshiba N沟道/P沟道功率MOSFET
    03/31/2026
    适用于高速开关、电源管理开关、直流-直流转换器和电机驱动器。  
    STMicroelectronics STL059N4S8AG功率MOSFET
    STMicroelectronics STL059N4S8AG功率MOSFET
    03/31/2026
    一款采用Smart STripFET F8技术设计的40V N沟道增强模式功率MOSFET。
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60V功率MOSFET
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60V功率MOSFET
    03/27/2026
    凭借强大的功率MOSFET技术，为OptiMOS 5提供卓越的性能。 
    Infineon Technologies N沟道OptiMOS™ 7 25V功率MOSFET
    Infineon Technologies N沟道OptiMOS™ 7 25V功率MOSFET
    03/27/2026
    性能针对应用而优化，可为数据中心、服务器及人工智能提供最佳性能。
    iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
    iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
    03/24/2026
    Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.
    Renesas Electronics TP65B110HRU双向开关（BDS）
    Renesas Electronics TP65B110HRU双向开关（BDS）
    03/20/2026
    一款650V、110mΩ常关型氮化镓（GaN）双向开关（BDS），采用紧凑型TOLT封装。
    Infineon Technologies 中压CoolGaN™双向开关
    Infineon Technologies 中压CoolGaN™双向开关
    03/17/2026
    该系列器件非常适合用作各种应用的电池断路开关。
    Infineon Technologies OptiMOS™ 8功率MOSFET
    Infineon Technologies OptiMOS™ 8功率MOSFET
    03/17/2026
    N沟道、标准电平80V或100V MOSFET，具有非常低的导通电阻（RDS(ON)）。
    ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™with Molded Modules
    ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™with Molded Modules
    03/17/2026
    该器件额定电压为1200V，外形尺寸为41.6mm × 52.5mm ，搭载第四代SiC MOSFET元件。
    onsemi NVMFD5873NL双N沟道功率MOSFET
    onsemi NVMFD5873NL双N沟道功率MOSFET
    03/13/2026
    专为紧凑高效的设计打造，兼具卓越的热性能。
    Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET
    Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET
    03/10/2026
    Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.
    Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET
    Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET
    03/10/2026
    Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.
    Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET
    Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET
    03/10/2026
    Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.
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