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Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW双N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW双N沟道增强模式MOSFET
10/31/2025
将两个MOSFET集成到单个PowerDI® 5mm x 6mm封装中，具有优异的散热性能。
Diodes Incorporated 2N7002 N沟道增强模式场效应晶体管
Diodes Incorporated 2N7002 N沟道增强模式场效应晶体管
10/31/2025
具有快速开关性能和低栅极电荷特性，最大漏源电压为60V。
Diodes Incorporated DMN1057UCA3 N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMN1057UCA3 N沟道增强模式MOSFET
10/21/2025
具有卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
Diodes Incorporated DXTP80x PNP双极晶体管
Diodes Incorporated DXTP80x PNP双极晶体管
09/18/2025
PNP双极晶体管采用小尺寸、热效率高的PowerDI 3333-8封装。
Diodes Incorporated DXTN80x NPN双极晶体管
Diodes Incorporated DXTN80x NPN双极晶体管
09/17/2025
提供小尺寸、散热效率高的PowerDI 3333-8封装，适用于高密度产品。
Diodes Incorporated DXTN/P 78Q和80Q双极晶体管
Diodes Incorporated DXTN/P 78Q和80Q双极晶体管
07/24/2025
额定电压为30V、60V和100V，具有出色的导通效率和热性能。
Diodes Incorporated DXTN69060C 60V NPN超低VCE(SAT)晶体管
Diodes Incorporated DXTN69060C 60V NPN超低VCE(SAT)晶体管
11/14/2024
采用专有结构，可实现超低VCE(SAT) 性能。
Diodes Incorporated DMT31M8LFVWQ 30V N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMT31M8LFVWQ 30V N沟道增强模式MOSFET
10/01/2024
采用热效率高的小尺寸封装，具有低导通电阻特性。
Diodes Incorporated DMN2992UFA 20V N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMN2992UFA 20V N沟道增强模式MOSFET
08/01/2024
20V N沟道MOSFET专为最小化导通电阻RDS(ON)）而设计，采用X2-DFN0806-3封装。
Diodes Incorporated DMWSH120Hx 1200V N沟道功率MOSFET
Diodes Incorporated DMWSH120Hx 1200V N沟道功率MOSFET
06/24/2024
设计用于最大限度地降低导通电阻并保持出色的开关性能。
Diodes Incorporated DMP3014SFDE 30 V P-Ch增强型MOSFET
Diodes Incorporated DMP3014SFDE 30 V P-Ch增强型MOSFET
05/01/2024
在保持开关性能的同时，具有低导通电阻和低栅极阈值电压。
Diodes Incorporated BC53-16PAWQ 80V PNP中功率晶体管
Diodes Incorporated BC53-16PAWQ 80V PNP中功率晶体管
05/01/2024
采用紧凑型DFN2020-3封装，其占位面积比SOT-23封装小50%。
Diodes Incorporated DMT26M0LDG非对称双N沟道MOSFET
Diodes Incorporated DMT26M0LDG非对称双N沟道MOSFET
04/01/2024
设计用于将导通电阻[RDS(ON)]降至最低，同时保持卓越的开关性能。
Diodes Incorporated DMP68D1LV双P沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMP68D1LV双P沟道增强模式MOSFET
01/01/2024
具有低导通电阻和低输入电容，同时保持卓越的开关性能。
Diodes Incorporated DMWS120H100SM4 1200V N沟道SiC功率MOSFET
Diodes Incorporated DMWS120H100SM4 1200V N沟道SiC功率MOSFET
06/02/2023
旨在最大限度地降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
Diodes Incorporated DMTH46M7SFVWQ N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMTH46M7SFVWQ N沟道增强模式MOSFET
03/30/2023
符合AEC-Q101标准的MOSFET，具有低RDS(ON)，能够尽可能降低导通损耗。
Diodes Incorporated MJD 车规中功率晶体管
Diodes Incorporated MJD 车规中功率晶体管
03/21/2023
这些器件已通过 AEC-Q101 认证，具有 PPAP 功能，并在经过 IATF16949 认证的设施中制造。
Diodes Incorporated DMN52D0UV N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMN52D0UV N沟道增强模式MOSFET
03/06/2023
设计用于最大限度地降低RDS(ON) ，并保持出色的开关性能。
Diodes Incorporated DMN3732UFB4 N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMN3732UFB4 N沟道增强模式MOSFET
01/24/2023
设计用于最大限度地降低RDS(ON) ，并保持出色的开关性能。
Diodes Incorporated DMTH15H017LPSWQ N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMTH15H017LPSWQ N沟道增强模式MOSFET
01/18/2023
设计用于最大限度地降低RDS(ON) ，并保持出色的开关性能。
Diodes Incorporated DMTH41M2SPSQ N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMTH41M2SPSQ N沟道增强模式MOSFET
01/17/2023
符合AEC-Q101标准的MOSFET，具有低RDS(ON)，可确保最低导通状态损耗。
Diodes Incorporated DMN52D0LT N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMN52D0LT N沟道增强模式MOSFET
01/04/2023
设计用于最大限度地降低RDS(ON) ，并保持出色的开关性能。
Diodes Incorporated DMN52D0UVA N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMN52D0UVA N沟道增强模式MOSFET
01/04/2023
设计用于最大限度地降低RDS(ON) ，并保持出色的开关性能。
Diodes Incorporated FMMT411FDBWQ低电压雪崩晶体管
Diodes Incorporated FMMT411FDBWQ低电压雪崩晶体管
11/23/2022
设计用于在雪崩模式下工作的硅平面双极晶体管。
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Texas Instruments JFE2325 Dual Low-Power N-Channel JFET
Texas Instruments JFE2325 Dual Low-Power N-Channel JFET
09/09/2026
Intended for use with very high-impedance sensors such as electret condenser microphones (ECMs).
IXYS IXSH100N120L3KHV SiC MOSFET
IXYS IXSH100N120L3KHV SiC MOSFET
09/02/2026
1200V、21mΩ和102A SiC MOSFET，推荐用于工业开关电源。
IXYS IXSH150N120L3KHV SiC MOSFET
IXYS IXSH150N120L3KHV SiC MOSFET
09/02/2026
1200V、13.5mΩ和147A SiC MOSFET，推荐用于工业开关电源。
IXYS IXSH110N120L3KHV SiC MOSFET
IXYS IXSH110N120L3KHV SiC MOSFET
09/02/2026
1200V、18mΩ和112A SiC MOSFET，推荐用于工业开关电源。
IXYS IXSH65N120L3KHV SiC MOSFET
IXYS IXSH65N120L3KHV SiC MOSFET
09/02/2026
适用于工业开关电源的1200V、35mΩ和67A SiC MOSFET。
IXYS IXSH50N120L3KHV SiC MOSFET
IXYS IXSH50N120L3KHV SiC MOSFET
09/02/2026
1200V、55mΩ和48.3A SiC MOSFET，推荐用于工业开关电源。
Microchip Technology HV-D3 mSiC® Power Modules
Microchip Technology HV-D3 mSiC® Power Modules
09/01/2026
Simplifies and accelerates adoption of SSTs in data centers & other high-voltage power applications.
onsemi 80V单N沟道功率MOSFET
onsemi 80V单N沟道功率MOSFET
08/25/2026
具有低RDS(on)，可最大限度降低导通损耗，同时具备低QG和低电容，可最大限度减少驱动器损耗。
onsemi NXH011F120M3F2碳化硅MOSFET
onsemi NXH011F120M3F2碳化硅MOSFET
08/25/2026
全桥EliteSiC MOSFET模块，导通电阻为11mΩ，额定电压为1200V。
STMicroelectronics STGI15C60S三相逆变器和IGBT SLLIMM
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08/19/2026
该器件非常适用于工作频率高达20kHz的硬开关电路的电机驱动。
iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET
iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET
08/12/2026
Automotive 200V N-channel MOSFET with SuperQ technology and TO-220 packaging.
STMicroelectronics SGT1D5R10MEA PowerGaN晶体管
STMicroelectronics SGT1D5R10MEA PowerGaN晶体管
08/11/2026
具有极低的导通损耗、大电流能力和超快的开关操作速度。
STMicroelectronics STH4N150-2AG N沟道功率MOSFET
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08/10/2026
专为确保汽车应用的高电压和可靠性而设计。
STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaN晶体管
STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaN晶体管
08/10/2026
设计用于高效大功率开关应用。
onsemi NVNJWS1K6N061L N 沟道 MOSFET
onsemi NVNJWS1K6N061L N 沟道 MOSFET
07/30/2026
具有低RDS(on)和低栅极阈值，且集成ESD保护。
onsemi EMD4DXV6数字晶体管（BRT）
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07/30/2026
设计用于替代单个设备及其外部电阻偏置网络。
ROHM Semiconductor 600V超接合点（SJ）MOSFET
ROHM Semiconductor 600V超接合点（SJ）MOSFET
07/21/2026
紧凑、扁平封装选项，提供出色的散热性能。
onsemi GaNEXUS™ GaN FET
onsemi GaNEXUS™ GaN FET
07/08/2026
宽带隙材料特性，可实现低栅极和输出电荷、快速开关和效率提升。 
Vishay MXP075 MaxSiC® 750V N沟道MOSFET
Vishay MXP075 MaxSiC® 750V N沟道MOSFET
06/19/2026
具有750V漏源电压、快速开关速度以及小于3μs的短路耐受时间。
Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
06/18/2026
Based on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.
Infineon Technologies EasyPACK™ S模块
Infineon Technologies EasyPACK™ S模块
06/12/2026
紧凑型、易于集成的封装设计，适用于现代电源设计，可实现高效电源转换。
Infineon Technologies OptiMOS™ 7 100V车规级功率MOSFET
Infineon Technologies OptiMOS™ 7 100V车规级功率MOSFET
05/27/2026
先进的N沟道设备，专为高效功率开关而设计。
Texas Instruments 2N7002L 6V N沟道MOSFET
Texas Instruments 2N7002L 6V N沟道MOSFET
05/18/2026
旨在最大限度地降低导通电阻，同时保持快速的开关性能。
Infineon Technologies CIPOS™ Prime汽车级CoolSiC™电源模块
Infineon Technologies CIPOS™ Prime汽车级CoolSiC™电源模块
05/06/2026
电源模块设计用于为xEV应用提供高性能。
onsemi NVBYST0D8N08X单N沟道功率MOSFET
onsemi NVBYST0D8N08X单N沟道功率MOSFET
04/14/2026
针对高压运行进行了优化，并可承受快速开关及大电流应力。
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