最新RF晶体管

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Microchip Technology HV-D3 mSiC® Power Modules
Microchip Technology HV-D3 mSiC® Power Modules
09/01/2026
Simplifies and accelerates adoption of SSTs in data centers & other high-voltage power applications.
onsemi NXH011F120M3F2 SiC MOSFETs
onsemi NXH011F120M3F2 SiC MOSFETs
08/25/2026
Full-bridge EliteSiC MOSFET modules with 11mΩ on-resistance and 1200V rating.
onsemi 80V单N沟道功率MOSFET
onsemi 80V单N沟道功率MOSFET
08/25/2026
提供低RDS(on)以最大限度地减少导通损耗；提供低QG和电容以最大限度地减少驱动损耗。
STMicroelectronics STGI15C60S三相逆变器和IGBT SLLIMM
STMicroelectronics STGI15C60S三相逆变器和IGBT SLLIMM
08/19/2026
该器件非常适用于工作频率高达20kHz的硬开关电路的电机驱动。
iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET
iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET
08/12/2026
Automotive 200V N-channel MOSFET with SuperQ technology and TO-220 packaging.
STMicroelectronics SGT1D5R10MEA PowerGaN晶体管
STMicroelectronics SGT1D5R10MEA PowerGaN晶体管
08/11/2026
具有极低的导通损耗、大电流能力和超快的开关操作速度。
STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaN晶体管
STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaN晶体管
08/10/2026
设计用于高效大功率开关应用。
STMicroelectronics STH4N150-2AG N沟道功率MOSFET
STMicroelectronics STH4N150-2AG N沟道功率MOSFET
08/10/2026
专为确保汽车应用的高电压和可靠性而设计。
onsemi NVNJWS1K6N061L N 沟道 MOSFET
onsemi NVNJWS1K6N061L N 沟道 MOSFET
07/30/2026
具有低RDS(on)和低栅极阈值，且集成ESD保护。
onsemi EMD4DXV6数字晶体管（BRT）
onsemi EMD4DXV6数字晶体管（BRT）
07/30/2026
设计用于替代单个设备及其外部电阻偏置网络。
ROHM Semiconductor 600V超接合点（SJ）MOSFET
ROHM Semiconductor 600V超接合点（SJ）MOSFET
07/21/2026
紧凑、扁平封装选项，提供出色的散热性能。
onsemi GaNEXUS™ GaN FET
onsemi GaNEXUS™ GaN FET
07/08/2026
宽带隙材料特性，可实现低栅极和输出电荷、快速开关和效率提升。 
Vishay MXP075 MaxSiC® 750V N沟道MOSFET
Vishay MXP075 MaxSiC® 750V N沟道MOSFET
06/19/2026
具有750V漏源电压、快速开关速度以及小于3μs的短路耐受时间。
Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
06/18/2026
Based on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.
Infineon Technologies EasyPACK™ S模块
Infineon Technologies EasyPACK™ S模块
06/12/2026
紧凑型、易于集成的封装设计，适用于现代电源设计，可实现高效电源转换。
Infineon Technologies OptiMOS™ 7 100V车规级功率MOSFET
Infineon Technologies OptiMOS™ 7 100V车规级功率MOSFET
05/27/2026
先进的N沟道设备，专为高效功率开关而设计。
Texas Instruments 2N7002L 6V N沟道MOSFET
Texas Instruments 2N7002L 6V N沟道MOSFET
05/18/2026
旨在最大限度地降低导通电阻，同时保持快速的开关性能。
Infineon Technologies CIPOS™ Prime汽车级CoolSiC™电源模块
Infineon Technologies CIPOS™ Prime汽车级CoolSiC™电源模块
05/06/2026
电源模块设计用于为xEV应用提供高性能。
onsemi NVBYST0D8N08X单N沟道功率MOSFET
onsemi NVBYST0D8N08X单N沟道功率MOSFET
04/14/2026
针对高压运行进行了优化，并可承受快速开关及大电流应力。
ROHM Semiconductor 高密度SiC电源模块
ROHM Semiconductor 高密度SiC电源模块
04/10/2026
TRCDRIVE pack™、DOT-247及HSDIP20封装有助于实现高效能电源转换。
iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
04/07/2026
Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.
onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
04/06/2026
一款双N沟道MOSFET，采用低Rg设计，适用于快速开关应用。
Vishay VS-HOT200C080 200A 80V功率MOSFET模块
Vishay VS-HOT200C080 200A 80V功率MOSFET模块
04/02/2026
相较于标准分立式解决方案，该设备能够减少高达15%的电路板空间占位需求。
Toshiba N沟道/P沟道功率MOSFET
Toshiba N沟道/P沟道功率MOSFET
03/31/2026
适用于高速开关、电源管理开关、直流-直流转换器和电机驱动器。  
STMicroelectronics STL059N4S8AG功率MOSFET
STMicroelectronics STL059N4S8AG功率MOSFET
03/31/2026
一款采用Smart STripFET F8技术设计的40V N沟道增强模式功率MOSFET。
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