Littelfuse 最新晶体管

晶体管类型
更改类别视图

已应用过滤器:

制造商 = Littelfuse 返回“产品”选项卡，以修改您的当前过滤条件。

Littelfuse IXSJxN120R1 1200 V SiC功率MOSFET
Littelfuse IXSJxN120R1 1200 V SiC功率MOSFET
06/23/2025
专为要求苛刻的电源转换应用而设计的高性能器件。
Littelfuse 1200V Trench XPT™ IGBT（带Sonic二极管）
Littelfuse 1200V Trench XPT™ IGBT（带Sonic二极管）
10/18/2023
采用XPT薄晶圆技术和沟槽式IGBT工艺以及反向并联Sonic二极管进行开发。
Littelfuse IXTY2P50PA PolarP™ MOSFET
Littelfuse IXTY2P50PA PolarP™ MOSFET
09/15/2023
易于安装、符合AEC-Q101标准的MOSFET，具有低封装电感。
Littelfuse CPC3981Z 800V、45Ω N沟道MOSFETT
Littelfuse CPC3981Z 800V、45Ω N沟道MOSFETT
07/20/2023
为高压应用提供更大的漏极和源极引线分离。
Littelfuse MXB12R600DPHFC X2级功率MOSFET
Littelfuse MXB12R600DPHFC X2级功率MOSFET
07/17/2023
具有18A额定电流、600V额定电压以及2190pF输入电容。
查看：5 的 1 - 5

onsemi NVMTS1D1N08X N通道功率 MOSFET
onsemi NVMTS1D1N08X N通道功率 MOSFET
09/17/2026
80V汽车级MOSFET，具有低导通电阻和软恢复本体二极管。
Vishay SQD50P04-09L 40V汽车级P沟道功率MOSFET
Vishay SQD50P04-09L 40V汽车级P沟道功率MOSFET
09/16/2026
该器件非常适合汽车、电源分配和工业功率控制应用。
Texas Instruments JFE2325双低功耗N沟道JFET
Texas Instruments JFE2325双低功耗N沟道JFET
09/09/2026
旨在与驻极体电容器麦克风 (ECM)等极高阻抗传感器配合使用。
IXYS IXSH110N120L3KHV SiC MOSFET
IXYS IXSH110N120L3KHV SiC MOSFET
09/02/2026
1200V、18mΩ和112A SiC MOSFET，推荐用于工业开关电源。
IXYS IXSH100N120L3KHV SiC MOSFET
IXYS IXSH100N120L3KHV SiC MOSFET
09/02/2026
1200V、21mΩ和102A SiC MOSFET，推荐用于工业开关电源。
IXYS IXSH50N120L3KHV SiC MOSFET
IXYS IXSH50N120L3KHV SiC MOSFET
09/02/2026
1200V、55mΩ和48.3A SiC MOSFET，推荐用于工业开关电源。
IXYS IXSH65N120L3KHV SiC MOSFET
IXYS IXSH65N120L3KHV SiC MOSFET
09/02/2026
适用于工业开关电源的1200V、35mΩ和67A SiC MOSFET。
IXYS IXSH150N120L3KHV SiC MOSFET
IXYS IXSH150N120L3KHV SiC MOSFET
09/02/2026
1200V、13.5mΩ和147A SiC MOSFET，推荐用于工业开关电源。
Microchip Technology HV-D3 mSiC®功率模块
Microchip Technology HV-D3 mSiC®功率模块
09/01/2026
简化并加速数据中心和其他高压电源应用中采用固态变压器（SST）。
onsemi 80V单N沟道功率MOSFET
onsemi 80V单N沟道功率MOSFET
08/25/2026
具有低RDS(on)，可最大限度降低导通损耗，同时具备低QG和低电容，可最大限度减少驱动器损耗。
onsemi NXH011F120M3F2碳化硅MOSFET
onsemi NXH011F120M3F2碳化硅MOSFET
08/25/2026
全桥EliteSiC MOSFET模块，导通电阻为11mΩ，额定电压为1200V。
STMicroelectronics STGI15C60S三相逆变器和IGBT SLLIMM
STMicroelectronics STGI15C60S三相逆变器和IGBT SLLIMM
08/19/2026
该器件非常适用于工作频率高达20kHz的硬开关电路的电机驱动。
iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET
iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET
08/12/2026
Automotive 200V N-channel MOSFET with SuperQ technology and TO-220 packaging.
STMicroelectronics SGT1D5R10MEA PowerGaN晶体管
STMicroelectronics SGT1D5R10MEA PowerGaN晶体管
08/11/2026
具有极低的导通损耗、大电流能力和超快的开关操作速度。
STMicroelectronics STH4N150-2AG N沟道功率MOSFET
STMicroelectronics STH4N150-2AG N沟道功率MOSFET
08/10/2026
专为确保汽车应用的高电压和可靠性而设计。
STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaN晶体管
STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaN晶体管
08/10/2026
设计用于高效大功率开关应用。
onsemi NVNJWS1K6N061L N 沟道 MOSFET
onsemi NVNJWS1K6N061L N 沟道 MOSFET
07/30/2026
具有低RDS(on)和低栅极阈值，且集成ESD保护。
onsemi EMD4DXV6数字晶体管（BRT）
onsemi EMD4DXV6数字晶体管（BRT）
07/30/2026
设计用于替代单个设备及其外部电阻偏置网络。
ROHM Semiconductor 600V超接合点（SJ）MOSFET
ROHM Semiconductor 600V超接合点（SJ）MOSFET
07/21/2026
紧凑、扁平封装选项，提供出色的散热性能。
onsemi GaNEXUS™ GaN FET
onsemi GaNEXUS™ GaN FET
07/08/2026
宽带隙材料特性，可实现低栅极和输出电荷、快速开关和效率提升。 
Vishay MXP075 MaxSiC® 750V N沟道MOSFET
Vishay MXP075 MaxSiC® 750V N沟道MOSFET
06/19/2026
具有750V漏源电压、快速开关速度以及小于3μs的短路耐受时间。
Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
06/18/2026
Based on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.
Infineon Technologies EasyPACK™ S模块
Infineon Technologies EasyPACK™ S模块
06/12/2026
紧凑型、易于集成的封装设计，适用于现代电源设计，可实现高效电源转换。
Infineon Technologies OptiMOS™ 7 100V车规级功率MOSFET
Infineon Technologies OptiMOS™ 7 100V车规级功率MOSFET
05/27/2026
先进的N沟道设备，专为高效功率开关而设计。
Texas Instruments 2N7002L 6V N沟道MOSFET
Texas Instruments 2N7002L 6V N沟道MOSFET
05/18/2026
旨在最大限度地降低导通电阻，同时保持快速的开关性能。
查看：625 的 1 - 25