氮化镓高电子迁晶体管

科锐 与硅和砷化镓晶体管相比，氮化镓(GaN)高电子迁晶体管(HEMT)具有更高的功率密度和更宽的带宽。与硅或砷化镓相比，氮化镓具有出色的性能，包括更高的击穿电压、更高的饱和电子漂移速度和更高的导热性。
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-4.0GHz, 320 Watt
数据表
产品评论
30库存量
最低： 10
倍数： 10

SMD/SMT Die N-Channel 50 V
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 Watt
数据表
产品评论
70库存量
最低： 10
倍数： 10

SMD/SMT Die N-Channel 1 Channel 100 V 6 A 200 mOhms - 3 V + 225 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt
数据表
748预期 2026/3/16
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最低： 1
倍数： 1
卷轴: 250

SMD/SMT DFN-12 N-Channel 100 V 2 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 120 Watt
数据表
产品评论
无库存交货期 26 周
最低： 10
倍数： 10

SMD/SMT Die N-Channel 8 Channel 120 V 12 A 100 mOhms - 3 V
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 170 Watt
数据表
产品评论
无库存交货期 26 周
最低： 10
倍数： 10

SMD/SMT Die N-Channel 8 Channel 50 V 12.6 A
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt
数据表
无库存
最低： 50
倍数： 1

Screw Mount 440210 N-Channel 100 V 6 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt
数据表
交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440210 N-Channel 100 V 6 A 2.3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 100 Watt
数据表
交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

Screw Mount 440210 N-Channel 100 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C