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Nexperia MLPAK33-WF封装的BUK7Q N沟道MOSFET
Nexperia MLPAK33-WF封装的BUK7Q N沟道MOSFET
09/29/2025
采用沟槽9技术，符合AEC-Q101要求。
Nexperia BUK9Q N沟道沟槽MOSFET
Nexperia BUK9Q N沟道沟槽MOSFET
09/09/2025
逻辑级兼容，开关速度快，完全符合AEC-Q101标准，工作温度为175°C。
Nexperia BUK6Q66-60PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q66-60PJ MOSFET
08/27/2025
P沟道FET搭载Trench MOSFET技术，采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装。 
Nexperia BUK6Q8R2-30PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q8R2-30PJ MOSFET
08/27/2025
MLPAK33（SOT8002-3）SMD塑料封装中的P沟道 FET采用沟槽MOSFET技术。
Nexperia MJPEx双极结型晶体管 (BJT)
Nexperia MJPEx双极结型晶体管 (BJT)
08/26/2025
CFP15B封装为采用DPAK封装中的MJD系列提供了紧凑并且经济高效的替代方案。
Nexperia BUK6Q21-30PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q21-30PJ MOSFET
08/19/2025
30V、P沟道FET采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装，使用了沟槽MOSFET技术。 
Nexperia BUK6Q26-40PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q26-40PJ MOSFET
08/19/2025
采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装的P沟道FET，使用沟槽MOSFET技术。 
Nexperia BUK6Q12-40PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q12-40PJ MOSFET
08/19/2025
采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装的P沟道FET，使用沟槽MOSFET技术。 
Nexperia GANB1R2-040QBA和GANB012-040CBA GaN HEMT
Nexperia GANB1R2-040QBA和GANB012-040CBA GaN HEMT
07/03/2025
40V、1.2mΩ 或12mΩ 、双向氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。
Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100V GaN FET
Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100V GaN FET
07/03/2025
常闭电子模式设备，具有卓越的性能和极低的导通电阻。
Nexperia ES3D超快恢复整流器
Nexperia ES3D超快恢复整流器
05/07/2025
具有高正向浪涌能力的200V、3A整流器，采用SOD1003-1 SMC封装。
Nexperia ES1D超快恢复整流器
Nexperia ES1D超快恢复整流器
05/07/2025
200V、1A整流器，具有高正向浪涌能力，采用SOD1001-1 SMA封装。
Nexperia ES2D超快恢复整流器
Nexperia ES2D超快恢复整流器
05/07/2025
200V、2A整流器，具有高正向浪涌能力，采用SOD1002-1 SMB封装。
Nexperia ES1J超快恢复整流器
Nexperia ES1J超快恢复整流器
05/02/2025
具有高正向浪涌能力的600V、1A整流器，采用SOD1001-1 SMA封装。
Nexperia ES1B超高速恢复整流器
Nexperia ES1B超高速恢复整流器
05/02/2025
具有高正向浪涌能力的100V、1A整流器，采用SOD1001-1 SMA封装。
Nexperia US1J超快恢复整流器
Nexperia US1J超快恢复整流器
04/28/2025
一款具有高正向浪涌能力的600V、1A 整流器。该器件采用SOD1001-1 SMA封装。
Nexperia FR2JA快速恢复整流器
Nexperia FR2JA快速恢复整流器
04/28/2025
具有高正向浪涌能力的600V、2A整流器，采用SOD1001-1 SMA封装。
Nexperia US3M超快恢复整流器
Nexperia US3M超快恢复整流器
04/28/2025
一款具有高正向浪涌能力的1000V、3A整流器。该器件采用SOD1003-1 SMC封装。
Nexperia MURS160B超快恢复整流器
Nexperia MURS160B超快恢复整流器
04/28/2025
一款具有高正向浪涌能力的600V、1A整流器。该器件采用SOD1002-1 SMB封装。
Nexperia GS10M恢复整流器
Nexperia GS10M恢复整流器
04/28/2025
1000V、10A整流器，具有高正向浪涌能力，采用SOD1003-1 SMC封装。
Nexperia FR2M快速恢复整流器
Nexperia FR2M快速恢复整流器
04/28/2025
具有高正向浪涌能力的1000V、2A整流器，采用SOD1002-1 SMB封装。
Nexperia MURS160A超快恢复整流器
Nexperia MURS160A超快恢复整流器
04/28/2025
具有高正向浪涌能力的600V、1A整流器，采用SOD1001-1 SMA封装。
Nexperia US1M超快恢复整流器
Nexperia US1M超快恢复整流器
04/28/2025
一款具有高正向浪涌能力的1000V、1A整流器。该器件采用SOD1001-1 SMA封装。
Nexperia GS1M恢复整流器
Nexperia GS1M恢复整流器
04/28/2025
具有高正向浪涌能力的1000V、1A整流器，采用SOD1001-1 SMA封装。
Nexperia GS5MB恢复整流器
Nexperia GS5MB恢复整流器
04/28/2025
具有高正向浪涌能力的1000V、5A整流器，采用SOD1002-1 SMB封装。
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    Vishay 功率碳化矽肖特基二极管
    Vishay 功率碳化矽肖特基二极管
    02/03/2026
    可在要求苛刻的电力电子设备应用中提供卓越的效率、坚固性和可靠性。
    Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    02/03/2026
    Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.
    Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
    Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
    02/03/2026
    Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.
    Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode
    Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode
    02/03/2026
    Offers a sharp zener voltage breakdown and a low leakage current.
    Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    02/03/2026
    Designed for demanding power conversion applications
    IXYS X4-Class Power MOSFETs
    IXYS X4-Class Power MOSFETs
    02/02/2026
    Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.
    Qorvo QPD1014A GaN输入匹配晶体管
    Qorvo QPD1014A GaN输入匹配晶体管
    01/20/2026
    一款输出功率 (P3dB)为15W、输入阻抗匹配为50Ω的分立式GaN-on-SiC HEMT，其工作频率范围为30MHz至1.2GHz。
    IXYS DP高压快速恢复二极管
    IXYS DP高压快速恢复二极管
    01/20/2026
    600V或1200V SCHOTTKY二极管，具有低反向漏电流和快速恢复时间。
    Qorvo QPD1011A GaN输入匹配晶体管
    Qorvo QPD1011A GaN输入匹配晶体管
    01/19/2026
    一款输出功率(P3dB)为7W、输入阻抗匹配特性为50Ω的分立式GaN-on-SiC HEMT，其工作频率范围为30MHz至1.2GHz。
    Qorvo QPD1004A GaN输入匹配晶体管
    Qorvo QPD1004A GaN输入匹配晶体管
    01/19/2026
    25W、50Ω输入匹配分立式GaN-on-SiC HEMT，在50V电源轨下运行，工作频率范围为30MHz至1400MHz。
    Littelfuse SM15KPA-HRA与SM30KPA-HRA高可靠性二极管
    Littelfuse SM15KPA-HRA与SM30KPA-HRA高可靠性二极管
    01/13/2026
    保护航空电子设备、航空和eVTOL应用中的I/O接口、VCC总线和其他电路。
    Littelfuse SP432x-01WTGTVS二极管
    Littelfuse SP432x-01WTGTVS二极管
    01/08/2026
    提供超低电容、双向传输和电平保护。
    onsemi NVBYST0D6N08X 80 V N沟道功率MOSFET
    onsemi NVBYST0D6N08X 80 V N沟道功率MOSFET
    12/26/2025
    该器件具有低QRR和软恢复体二极管，采用TCPAK1012 (TopCool) 封装。
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80V功率MOSFET
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80V功率MOSFET
    12/23/2025
    凭借广泛的产品组合确立了行业性能基准。
    onsemi NVMFD5877NL双N沟道MOSFET
    onsemi NVMFD5877NL双N沟道MOSFET
    12/19/2025
    专为紧凑高效的设计而打造，具有优异的热性能。
    Infineon Technologies CoolSiC™车规级750V G2 MOSFET
    Infineon Technologies CoolSiC™车规级750V G2 MOSFET
    12/19/2025
    专为满足电动汽车 (EV) 应用的严格要求而设计。
    onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
    onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
    12/04/2025
    具有低有效输出电容和超低栅极电荷特性。
    STMicroelectronics SGT080R70ILB电子模式PowerGaN晶体管
    STMicroelectronics SGT080R70ILB电子模式PowerGaN晶体管
    12/04/2025
    电子模式PowerGaN晶体管设计用于高效电源转换应用。
    Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7分立晶体管
    Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7分立晶体管
    12/01/2025
    DTO247封装，替代并联连接的多个TO247封装低电流晶体管。
    onsemi FDC642P-F085小信号MOSFET
    onsemi FDC642P-F085小信号MOSFET
    11/25/2025
    采用高性能沟槽技术，具备极低RDS(on)和快速开关速度。
    onsemi NTTFS007P02P8 P沟道低/中压MOSFET
    onsemi NTTFS007P02P8 P沟道低/中压MOSFET
    11/25/2025
    采用PowerTrench技术打造，具备极低RDS(on)、快速开关性能及耐用性。
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
    11/24/2025
    Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.
    Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode
    Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode
    11/24/2025
    Offers 6600 W peak power, fast response, and ISO-16750-2 load-dump test compliance.
    Bourns SMLJ-R瞬态电压抑制器二极管
    Bourns SMLJ-R瞬态电压抑制器二极管
    11/24/2025
    设计用于在紧凑型芯片封装DO-214AB（SMC）尺寸格式中提供浪涌和ESD保护。
    onsemi NVD5867NL单N沟道功率MOSFET
    onsemi NVD5867NL单N沟道功率MOSFET
    11/20/2025
    具有60V漏源电压、39mΩ漏源导通电阻，并通过AEC-Q101认证。
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