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Nexperia MLPAK33-WF封装的BUK7Q N沟道MOSFET
Nexperia MLPAK33-WF封装的BUK7Q N沟道MOSFET
09/29/2025
采用沟槽9技术，符合AEC-Q101要求。
Nexperia BUK9Q N沟道沟槽MOSFET
Nexperia BUK9Q N沟道沟槽MOSFET
09/09/2025
逻辑级兼容，开关速度快，完全符合AEC-Q101标准，工作温度为175°C。
Nexperia BUK6Q66-60PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q66-60PJ MOSFET
08/27/2025
P沟道FET搭载Trench MOSFET技术，采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装。 
Nexperia BUK6Q8R2-30PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q8R2-30PJ MOSFET
08/27/2025
MLPAK33（SOT8002-3）SMD塑料封装中的P沟道 FET采用沟槽MOSFET技术。
Nexperia MJPEx双极结型晶体管 (BJT)
Nexperia MJPEx双极结型晶体管 (BJT)
08/26/2025
CFP15B封装为采用DPAK封装中的MJD系列提供了紧凑并且经济高效的替代方案。
Nexperia BUK6Q12-40PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q12-40PJ MOSFET
08/19/2025
采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装的P沟道FET，使用沟槽MOSFET技术。 
Nexperia BUK6Q21-30PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q21-30PJ MOSFET
08/19/2025
30V、P沟道FET采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装，使用了沟槽MOSFET技术。 
Nexperia BUK6Q26-40PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q26-40PJ MOSFET
08/19/2025
采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装的P沟道FET，使用沟槽MOSFET技术。 
Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100V GaN FET
Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100V GaN FET
07/03/2025
常闭电子模式设备，具有卓越的性能和极低的导通电阻。
Nexperia GANB1R2-040QBA和GANB012-040CBA GaN HEMT
Nexperia GANB1R2-040QBA和GANB012-040CBA GaN HEMT
07/03/2025
40V、1.2mΩ 或12mΩ 、双向氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。
Nexperia PSC20120x碳化硅 (SiC) 肖特基二极管
Nexperia PSC20120x碳化硅 (SiC) 肖特基二极管
06/02/2025
设计用于超高性能、低损耗、高效率的电源转换应用。
Nexperia ES1D超快恢复整流器
Nexperia ES1D超快恢复整流器
05/07/2025
200V、1A整流器，具有高正向浪涌能力，采用SOD1001-1 SMA封装。
Nexperia ES3D超快恢复整流器
Nexperia ES3D超快恢复整流器
05/07/2025
具有高正向浪涌能力的200V、3A整流器，采用SOD1003-1 SMC封装。
Nexperia ES2D超快恢复整流器
Nexperia ES2D超快恢复整流器
05/07/2025
200V、2A整流器，具有高正向浪涌能力，采用SOD1002-1 SMB封装。
Nexperia ES1B超高速恢复整流器
Nexperia ES1B超高速恢复整流器
05/02/2025
具有高正向浪涌能力的100V、1A整流器，采用SOD1001-1 SMA封装。
Nexperia ES1J超快恢复整流器
Nexperia ES1J超快恢复整流器
05/02/2025
具有高正向浪涌能力的600V、1A整流器，采用SOD1001-1 SMA封装。
Nexperia GS10M恢复整流器
Nexperia GS10M恢复整流器
04/28/2025
1000V、10A整流器，具有高正向浪涌能力，采用SOD1003-1 SMC封装。
Nexperia US1M超快恢复整流器
Nexperia US1M超快恢复整流器
04/28/2025
一款具有高正向浪涌能力的1000V、1A整流器。该器件采用SOD1001-1 SMA封装。
Nexperia FR2JA快速恢复整流器
Nexperia FR2JA快速恢复整流器
04/28/2025
具有高正向浪涌能力的600V、2A整流器，采用SOD1001-1 SMA封装。
Nexperia MURS160A超快恢复整流器
Nexperia MURS160A超快恢复整流器
04/28/2025
具有高正向浪涌能力的600V、1A整流器，采用SOD1001-1 SMA封装。
Nexperia GS1M恢复整流器
Nexperia GS1M恢复整流器
04/28/2025
具有高正向浪涌能力的1000V、1A整流器，采用SOD1001-1 SMA封装。
Nexperia GS5MB恢复整流器
Nexperia GS5MB恢复整流器
04/28/2025
具有高正向浪涌能力的1000V、5A整流器，采用SOD1002-1 SMB封装。
Nexperia US3M超快恢复整流器
Nexperia US3M超快恢复整流器
04/28/2025
一款具有高正向浪涌能力的1000V、3A整流器。该器件采用SOD1003-1 SMC封装。
Nexperia GS8M恢复整流器
Nexperia GS8M恢复整流器
04/28/2025
1000V、8A整流器，具有高正向浪涌能力，采用SOD1003-1 SMC封装。
Nexperia US1J超快恢复整流器
Nexperia US1J超快恢复整流器
04/28/2025
一款具有高正向浪涌能力的600V、1A 整流器。该器件采用SOD1001-1 SMA封装。
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    Infineon Technologies OptiMOS™ 7 100V车规级功率MOSFET
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    05/27/2026
    先进的N沟道设备，专为高效功率开关而设计。
    Texas Instruments 2N7002L 6V N沟道MOSFET
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    05/18/2026
    旨在最大限度地降低导通电阻，同时保持快速的开关性能。
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    05/12/2026
    为数据端口提供保护，符合IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4和IEC 61000-4-5标准。
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    05/06/2026
    电源模块设计用于为xEV应用提供高性能。
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    05/04/2026
    轴向引线式、FlatSuppressX™扁平低钳位双向TVS二极管。
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    05/04/2026
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    05/04/2026
    使用10/1000µs波形提供5000W峰值脉冲功率能力，耗散功率为6.5W。
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    04/24/2026
    额定电流为35A，提供TO-220AB、TO-220隔离型及TO-263封装。
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    04/24/2026
    电压高达800V，浪涌电流能力高达100A，额定温度为+150°C。
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    04/24/2026
    提供适用于能源、工业和医疗应用的理想元器件。
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    04/16/2026
    Designed for high‑speed switching and voltage clamping in space‑constrained applications.
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    04/14/2026
    针对高压运行进行了优化，并可承受快速开关及大电流应力。
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    04/10/2026
    TRCDRIVE pack™、DOT-247及HSDIP20封装有助于实现高效能电源转换。
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    04/07/2026
    玻璃钝化表面贴装整流器，最大VRRM在100V和1000V 之间。
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    04/07/2026
    Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.
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    04/07/2026
    玻璃钝化表面贴装整流器，最大重复峰值电压 (VRRM) 为100V至800V。
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    一款双N沟道MOSFET，采用低Rg设计，适用于快速开关应用。
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    相较于标准分立式解决方案，该设备能够减少高达15%的电路板空间占位需求。
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    04/02/2026
    AEC-Q101 qualified 600W, 12V to 60V surface-mount devices operating at 0.094%/°C maximum VBR.
    Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor Diodes
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    04/02/2026
    High-efficiency, low-power, 400W, 5V to 75V surface-mount devices ideal for automated placement.
    STMicroelectronics STL059N4S8AG功率MOSFET
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    03/31/2026
    一款采用Smart STripFET F8技术设计的40V N沟道增强模式功率MOSFET。
    Toshiba N沟道/P沟道功率MOSFET
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    03/31/2026
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    Infineon Technologies 多用途ESD保护二极管
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    该系列二极管采用小巧封装，可提供卓越保护，具备出色的ESD性能。
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60V功率MOSFET
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    03/27/2026
    凭借强大的功率MOSFET技术，为OptiMOS 5提供卓越的性能。 
    Infineon Technologies N沟道OptiMOS™ 7 25V功率MOSFET
    Infineon Technologies N沟道OptiMOS™ 7 25V功率MOSFET
    03/27/2026
    性能针对应用而优化，可为数据中心、服务器及人工智能提供最佳性能。
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