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Nexperia MLPAK33-WF封装的BUK7Q N沟道MOSFET
Nexperia MLPAK33-WF封装的BUK7Q N沟道MOSFET
09/29/2025
采用沟槽9技术，符合AEC-Q101要求。
Nexperia BUK9Q N沟道沟槽MOSFET
Nexperia BUK9Q N沟道沟槽MOSFET
09/09/2025
逻辑级兼容，开关速度快，完全符合AEC-Q101标准，工作温度为175°C。
Nexperia BUK6Q8R2-30PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q8R2-30PJ MOSFET
08/27/2025
MLPAK33（SOT8002-3）SMD塑料封装中的P沟道 FET采用沟槽MOSFET技术。
Nexperia BUK6Q66-60PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q66-60PJ MOSFET
08/27/2025
P沟道FET搭载Trench MOSFET技术，采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装。 
Nexperia MJPEx双极结型晶体管 (BJT)
Nexperia MJPEx双极结型晶体管 (BJT)
08/26/2025
CFP15B封装为采用DPAK封装中的MJD系列提供了紧凑并且经济高效的替代方案。
Nexperia BUK6Q21-30PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q21-30PJ MOSFET
08/19/2025
30V、P沟道FET采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装，使用了沟槽MOSFET技术。 
Nexperia BUK6Q26-40PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q26-40PJ MOSFET
08/19/2025
采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装的P沟道FET，使用沟槽MOSFET技术。 
Nexperia BUK6Q12-40PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q12-40PJ MOSFET
08/19/2025
采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装的P沟道FET，使用沟槽MOSFET技术。 
Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100V GaN FET
Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100V GaN FET
07/03/2025
常闭电子模式设备，具有卓越的性能和极低的导通电阻。
Nexperia GANB1R2-040QBA和GANB012-040CBA GaN HEMT
Nexperia GANB1R2-040QBA和GANB012-040CBA GaN HEMT
07/03/2025
40V、1.2mΩ 或12mΩ 、双向氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。
Nexperia PXNx N沟道逻辑电平沟槽式MOSFET
Nexperia PXNx N沟道逻辑电平沟槽式MOSFET
04/14/2025
60V和100V MOSFET，专为各种应用中的高效电源管理而设计。
Nexperia GANB8R0-040CBA双向GaN FET
Nexperia GANB8R0-040CBA双向GaN FET
04/14/2025
40V、8.0mΩ双向GaN HEMT，采用紧凑型1.7mm x 1.7mm WLCSP封装。
Nexperia NX5020x N沟道增强模式FET
Nexperia NX5020x N沟道增强模式FET
04/01/2025
这些设备采用沟槽MOSFET技术，具有非常低的阈值电压和非常快的开关速度。
Nexperia 专用功率MOSFET
Nexperia 专用功率MOSFET
01/21/2025
综合成熟的MOSFET专业技术和对广泛的应用的理解，形成不断壮大的产品系列。
Nexperia 用于热插拔和软启动的CCPAK ASFET
Nexperia 用于热插拔和软启动的CCPAK ASFET
01/08/2025
在单个器件中提供可靠的线性模式、增强的SOA和低RDS(on) 。
Nexperia BC5xPAS-Q 1A中等功率PNP晶体管
Nexperia BC5xPAS-Q 1A中等功率PNP晶体管
12/30/2024
通过AEC-Q101认证的PNP晶体管，采用超薄的 DFN2020D-3 (SOT1061D) SMD塑料封装。
Nexperia BC869-Q功率晶体管
Nexperia BC869-Q功率晶体管
12/11/2024
PNP中等功率晶体管，采用SOT89 (SC-62) 中等功率扁平引线塑料封装。
Nexperia GANB4R8-040CBA双向GaN FET
Nexperia GANB4R8-040CBA双向GaN FET
10/01/2024
一款40V、4.8mΩ 双向GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)，采用WLCSP封装。
Nexperia BUK7J2R4-80M N沟道MOSFET
Nexperia BUK7J2R4-80M N沟道MOSFET
08/30/2024
基于沟槽14低阻值分离栅极技术，采用LFPAK56E封装。
Nexperia PBSSxx50PAS/PBSSxx50PAS-Q晶体管
Nexperia PBSSxx50PAS/PBSSxx50PAS-Q晶体管
07/04/2024
具有低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流能力。
Nexperia GANE3R9-150QBA氮化镓（GaN）FET
Nexperia GANE3R9-150QBA氮化镓（GaN）FET
07/02/2024
一款采用VQFN封装的通用150V、3.9mΩ 氮化镓 (GaN) FET。
Nexperia NSF0x0120 N通道碳化硅MOSFET
Nexperia NSF0x0120 N通道碳化硅MOSFET
07/01/2024
采用标准7引脚TO-263塑料封装，具有出色的RDS(on) 温度稳定性。
Nexperia PSMNxRx-80YSF NextPower N沟道MOSFET
Nexperia PSMNxRx-80YSF NextPower N沟道MOSFET
06/24/2024
80V、标准电平栅极驱动MOSFET，具有低Qrr，实现更高效率和更低尖峰。
Nexperia NSF0x120L4A0 N 沟道 MOSFET
Nexperia NSF0x120L4A0 N 沟道 MOSFET
04/23/2024
基于碳化硅（SiC）的1200V功率MOSFET，采用成熟的4引脚TO-247塑料封装。
Nexperia BSS138AK沟道沟槽式MOSFET
Nexperia BSS138AK沟道沟槽式MOSFET
04/04/2024
符合AEC-Q101标准的N沟道增强模式场效应晶体管(FET)，采用小型SMD封装。
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    IXYS X4-Class Power MOSFETs
    IXYS X4-Class Power MOSFETs
    02/02/2026
    Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.
    Qorvo QPD1014A GaN输入匹配晶体管
    Qorvo QPD1014A GaN输入匹配晶体管
    01/20/2026
    一款输出功率 (P3dB)为15W、输入阻抗匹配为50Ω的分立式GaN-on-SiC HEMT，其工作频率范围为30MHz至1.2GHz。
    Qorvo QPD1011A GaN输入匹配晶体管
    Qorvo QPD1011A GaN输入匹配晶体管
    01/19/2026
    一款输出功率(P3dB)为7W、输入阻抗匹配特性为50Ω的分立式GaN-on-SiC HEMT，其工作频率范围为30MHz至1.2GHz。
    Qorvo QPD1004A GaN输入匹配晶体管
    Qorvo QPD1004A GaN输入匹配晶体管
    01/19/2026
    25W、50Ω输入匹配分立式GaN-on-SiC HEMT，在50V电源轨下运行，工作频率范围为30MHz至1400MHz。
    onsemi NVBYST0D6N08X 80 V N沟道功率MOSFET
    onsemi NVBYST0D6N08X 80 V N沟道功率MOSFET
    12/26/2025
    该器件具有低QRR和软恢复体二极管，采用TCPAK1012 (TopCool) 封装。
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80V功率MOSFET
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80V功率MOSFET
    12/23/2025
    凭借广泛的产品组合确立了行业性能基准。
    Infineon Technologies CoolSiC™车规级750V G2 MOSFET
    Infineon Technologies CoolSiC™车规级750V G2 MOSFET
    12/19/2025
    专为满足电动汽车 (EV) 应用的严格要求而设计。
    onsemi NVMFD5877NL双N沟道MOSFET
    onsemi NVMFD5877NL双N沟道MOSFET
    12/19/2025
    专为紧凑高效的设计而打造，具有优异的热性能。
    STMicroelectronics SGT080R70ILB电子模式PowerGaN晶体管
    STMicroelectronics SGT080R70ILB电子模式PowerGaN晶体管
    12/04/2025
    电子模式PowerGaN晶体管设计用于高效电源转换应用。
    onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
    onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
    12/04/2025
    具有低有效输出电容和超低栅极电荷特性。
    Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7分立晶体管
    Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7分立晶体管
    12/01/2025
    DTO247封装，替代并联连接的多个TO247封装低电流晶体管。
    onsemi FDC642P-F085小信号MOSFET
    onsemi FDC642P-F085小信号MOSFET
    11/25/2025
    采用高性能沟槽技术，具备极低RDS(on)和快速开关速度。
    onsemi NTTFS007P02P8 P沟道低/中压MOSFET
    onsemi NTTFS007P02P8 P沟道低/中压MOSFET
    11/25/2025
    采用PowerTrench技术打造，具备极低RDS(on)、快速开关性能及耐用性。
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
    11/24/2025
    Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.
    Central Semiconductor 1700V N沟道碳化硅（SiC）MOSFET
    Central Semiconductor 1700V N沟道碳化硅（SiC）MOSFET
    11/20/2025
    These MOSFETS are designed for high-speed switching and fast reverse recovery applications.
    onsemi NVD6824NL单N沟道MOSFET
    onsemi NVD6824NL单N沟道MOSFET
    11/20/2025
    具备低RDS(on)，可将导通损耗降至最低，同时兼具大电流能力。
    onsemi NVD5867NL单N沟道功率MOSFET
    onsemi NVD5867NL单N沟道功率MOSFET
    11/20/2025
    具有60V漏源电压、39mΩ漏源导通电阻，并通过AEC-Q101认证。
    onsemi NVMFS5832NL单N沟道功率MOSFET
    onsemi NVMFS5832NL单N沟道功率MOSFET
    11/19/2025
    专为低电压应用设计的高性能MOSFET，可实现高效的电源切换。
    onsemi AFGB30T65RQDN IGBT
    onsemi AFGB30T65RQDN IGBT
    11/19/2025
    兼具高品质因数及低导通损耗和低开关损耗。
    onsemi NVMFS5830NL单N沟道功率MOSFET
    onsemi NVMFS5830NL单N沟道功率MOSFET
    11/19/2025
    一款高效的单N沟道功率MOSFET，专为高要求电源管理应用而设计。
    STMicroelectronics SGT070R70HTO增强模式PowerGaN晶体管
    STMicroelectronics SGT070R70HTO增强模式PowerGaN晶体管
    11/07/2025
    基于GaN技术打造，专为高要求电源转换应用而设计。
    Comchip Technology AMMBT2907AM PNP Automotive Small Signal Transistor
    Comchip Technology AMMBT2907AM PNP Automotive Small Signal Transistor
    10/31/2025
    The device has a -60V collector-base voltage rating & a -600mA collector current-continuous rating.
    Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW双N沟道增强模式MOSFET
    Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW双N沟道增强模式MOSFET
    10/31/2025
    将两个MOSFET集成到单个PowerDI® 5mm x 6mm封装中，具有优异的散热性能。
    Comchip Technology AMMBT2222AM NPN Automotive Small Signal Transistor
    Comchip Technology AMMBT2222AM NPN Automotive Small Signal Transistor
    10/31/2025
    The device has a 75V collector-base voltage rating and a 600mA collector current-continuous rating.
    Diodes Incorporated 2N7002 N沟道增强模式场效应晶体管
    Diodes Incorporated 2N7002 N沟道增强模式场效应晶体管
    10/31/2025
    具有快速开关性能和低栅极电荷特性，最大漏源电压为60V。
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