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onsemi NVBYST0D8N08X Single N-Channel Power MOSFET
onsemi NVBYST0D8N08X Single N-Channel Power MOSFET
04/14/2026
Optimized for high‑voltage operation and withstands fast switching and high-current stresses.
ROHM Semiconductor 高密度SiC电源模块
ROHM Semiconductor 高密度SiC电源模块
04/10/2026
TRCDRIVE pack™、DOT-247及HSDIP20封装有助于实现高效能电源转换。
Vishay RS07x快速恢复型整流器
Vishay RS07x快速恢复型整流器
04/07/2026
玻璃钝化表面贴装整流器，最大重复峰值电压 (VRRM) 为100V至800V。
iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
04/07/2026
Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.
Vishay S07x-M 标准恢复型高压整流器
Vishay S07x-M 标准恢复型高压整流器
04/07/2026
玻璃钝化表面贴装整流器，最大VRRM在100V和1000V 之间。
onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
04/06/2026
一款双N沟道MOSFET，采用低Rg设计，适用于快速开关应用。
Taiwan Semiconductor SMA6FxCAH/SMA6SxCAH TVS Diodes
Taiwan Semiconductor SMA6FxCAH/SMA6SxCAH TVS Diodes
04/02/2026
AEC-Q101 qualified 600W, 12V to 60V surface-mount devices operating at 0.094%/°C maximum VBR.
Vishay VS-HOT200C080 200A 80V功率MOSFET模块
Vishay VS-HOT200C080 200A 80V功率MOSFET模块
04/02/2026
相较于标准分立式解决方案，该设备能够减少高达15%的电路板空间占位需求。
Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor Diodes
Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor Diodes
04/02/2026
High-efficiency, low-power, 400W, 5V to 75V surface-mount devices ideal for automated placement.
Toshiba N沟道/P沟道功率MOSFET
Toshiba N沟道/P沟道功率MOSFET
03/31/2026
适用于高速开关、电源管理开关、DC-DC转换器和电机驱动器。   
STMicroelectronics STL059N4S8AG功率MOSFET
STMicroelectronics STL059N4S8AG功率MOSFET
03/31/2026
一款采用Smart STripFET F8技术设计的40V N沟道增强模式功率MOSFET。
Infineon Technologies N沟道OptiMOS™ 7 25V功率MOSFET
Infineon Technologies N沟道OptiMOS™ 7 25V功率MOSFET
03/27/2026
性能针对应用而优化，可为数据中心、服务器及人工智能提供最佳性能。
Infineon Technologies 多用途ESD保护二极管
Infineon Technologies 多用途ESD保护二极管
03/27/2026
该系列二极管采用小巧封装，可提供卓越保护，具备出色的ESD性能。
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60V功率MOSFET
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60V功率MOSFET
03/27/2026
凭借强大的功率MOSFET技术，为OptiMOS 5提供卓越的性能。 
RECOM Power RVS002 Micropower Isolated Power Bridge Rectifier
RECOM Power RVS002 Micropower Isolated Power Bridge Rectifier
03/24/2026
Designed for micro-power isolated power supply applications in space-constrained environments.
iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
03/24/2026
Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.
Renesas Electronics TP65B110HRU双向开关（BDS）
Renesas Electronics TP65B110HRU双向开关（BDS）
03/20/2026
一款650V、110mΩ常关型氮化镓（GaN）双向开关（BDS），采用紧凑型TOLT封装。
Vishay T3KN12CA thru T3KN100CA PAR® TVS
Vishay T3KN12CA thru T3KN100CA PAR® TVS
03/18/2026
TVSs are bidirectional, 3000W peak-pulse-power devices ideal for automated placement.
Vishay XFD11K XClampR®瞬态电压抑制器
Vishay XFD11K XClampR®瞬态电压抑制器
03/18/2026
为高温稳定性和高可靠性而设计的表面贴装双向器件。
Infineon Technologies 中压CoolGaN™双向开关
Infineon Technologies 中压CoolGaN™双向开关
03/17/2026
该系列器件非常适合用作各种应用的电池断路开关。
Infineon Technologies OptiMOS™ 8功率MOSFET
Infineon Technologies OptiMOS™ 8功率MOSFET
03/17/2026
该系列为N沟道标准电平80V或100VMOSFET，具有极低的导通电阻（RDS(ON)）。
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™with Molded Modules
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™with Molded Modules
03/17/2026
该器件额定电压为1200V，外形尺寸为41.6mm × 52.5mm ，搭载第四代SiC MOSFET元件。
onsemi NVMFD5873NL双N沟道功率MOSFET
onsemi NVMFD5873NL双N沟道功率MOSFET
03/13/2026
专为紧凑高效的设计打造，兼具卓越的热性能。
Diodes Incorporated DTHP60B07PT 60A超快速平面整流器
Diodes Incorporated DTHP60B07PT 60A超快速平面整流器
03/13/2026
反向电压为650V，具有低正向压降和超快反向恢复时间。
Micro Commercial Components (MCC) BAT46L2 Schottky Diode
Micro Commercial Components (MCC) BAT46L2 Schottky Diode
03/12/2026
150mW small-signal Schottky diode designed for high‑speed switching applications.
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