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Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW双N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW双N沟道增强模式MOSFET
10/31/2025
将两个MOSFET集成到单个PowerDI® 5mm x 6mm封装中，具有优异的散热性能。
Diodes Incorporated 2N7002 N沟道增强模式场效应晶体管
Diodes Incorporated 2N7002 N沟道增强模式场效应晶体管
10/31/2025
具有快速开关性能和低栅极电荷特性，最大漏源电压为60V。
Diodes Incorporated DMN1057UCA3 N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMN1057UCA3 N沟道增强模式MOSFET
10/21/2025
具有卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
Diodes Incorporated DMT31M8LFVWQ 30V N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMT31M8LFVWQ 30V N沟道增强模式MOSFET
10/01/2024
采用热效率高的小尺寸封装，具有低导通电阻特性。
Diodes Incorporated DMN2992UFA 20V N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMN2992UFA 20V N沟道增强模式MOSFET
08/01/2024
20V N沟道MOSFET专为最小化导通电阻RDS(ON)）而设计，采用X2-DFN0806-3封装。
Diodes Incorporated DMP3014SFDE 30 V P-Ch增强型MOSFET
Diodes Incorporated DMP3014SFDE 30 V P-Ch增强型MOSFET
05/01/2024
在保持开关性能的同时，具有低导通电阻和低栅极阈值电压。
Diodes Incorporated DMT26M0LDG非对称双N沟道MOSFET
Diodes Incorporated DMT26M0LDG非对称双N沟道MOSFET
04/01/2024
设计用于将导通电阻[RDS(ON)]降至最低，同时保持卓越的开关性能。
Diodes Incorporated DMP68D1LV双P沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMP68D1LV双P沟道增强模式MOSFET
01/01/2024
具有低导通电阻和低输入电容，同时保持卓越的开关性能。
Diodes Incorporated DMTH46M7SFVWQ N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMTH46M7SFVWQ N沟道增强模式MOSFET
03/30/2023
符合AEC-Q101标准的MOSFET，具有低RDS(ON)，能够尽可能降低导通损耗。
Diodes Incorporated DMN52D0UV N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMN52D0UV N沟道增强模式MOSFET
03/06/2023
设计用于最大限度地降低RDS(ON) ，并保持出色的开关性能。
Diodes Incorporated DMN3732UFB4 N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMN3732UFB4 N沟道增强模式MOSFET
01/24/2023
设计用于最大限度地降低RDS(ON) ，并保持出色的开关性能。
Diodes Incorporated DMTH15H017LPSWQ N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMTH15H017LPSWQ N沟道增强模式MOSFET
01/18/2023
设计用于最大限度地降低RDS(ON) ，并保持出色的开关性能。
Diodes Incorporated DMTH41M2SPSQ N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMTH41M2SPSQ N沟道增强模式MOSFET
01/17/2023
符合AEC-Q101标准的MOSFET，具有低RDS(ON)，可确保最低导通状态损耗。
Diodes Incorporated DMN52D0LT N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMN52D0LT N沟道增强模式MOSFET
01/04/2023
设计用于最大限度地降低RDS(ON) ，并保持出色的开关性能。
Diodes Incorporated DMN52D0UVA N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMN52D0UVA N沟道增强模式MOSFET
01/04/2023
设计用于最大限度地降低RDS(ON) ，并保持出色的开关性能。
Diodes Incorporated DMTH8001STLWQ汽车增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMTH8001STLWQ汽车增强模式MOSFET
05/11/2022
符合AEC-Q101标准的80V、270A N沟道增强模式MOSFET，采用PowerDI®1012-8 (TOLL) 封装。
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IXYS X4-Class Power MOSFETs
IXYS X4-Class Power MOSFETs
02/02/2026
Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.
onsemi NVBYST0D6N08X 80 V N沟道功率MOSFET
onsemi NVBYST0D6N08X 80 V N沟道功率MOSFET
12/26/2025
该器件具有低QRR和软恢复体二极管，采用TCPAK1012 (TopCool) 封装。
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80V功率MOSFET
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80V功率MOSFET
12/23/2025
凭借广泛的产品组合确立了行业性能基准。
onsemi NVMFD5877NL双N沟道MOSFET
onsemi NVMFD5877NL双N沟道MOSFET
12/19/2025
专为紧凑高效的设计而打造，具有优异的热性能。
onsemi FDC642P-F085小信号MOSFET
onsemi FDC642P-F085小信号MOSFET
11/25/2025
采用高性能沟槽技术，具备极低RDS(on)和快速开关速度。
onsemi NTTFS007P02P8 P沟道低/中压MOSFET
onsemi NTTFS007P02P8 P沟道低/中压MOSFET
11/25/2025
采用PowerTrench技术打造，具备极低RDS(on)、快速开关性能及耐用性。
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
11/24/2025
Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.
onsemi NVD5867NL单N沟道功率MOSFET
onsemi NVD5867NL单N沟道功率MOSFET
11/20/2025
具有60V漏源电压、39mΩ漏源导通电阻，并通过AEC-Q101认证。
onsemi NVD6824NL单N沟道MOSFET
onsemi NVD6824NL单N沟道MOSFET
11/20/2025
具备低RDS(on)，可将导通损耗降至最低，同时兼具大电流能力。
onsemi NVMFS5832NL单N沟道功率MOSFET
onsemi NVMFS5832NL单N沟道功率MOSFET
11/19/2025
专为低电压应用设计的高性能MOSFET，可实现高效的电源切换。
onsemi NVMFS5830NL单N沟道功率MOSFET
onsemi NVMFS5830NL单N沟道功率MOSFET
11/19/2025
一款高效的单N沟道功率MOSFET，专为高要求电源管理应用而设计。
Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW双N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW双N沟道增强模式MOSFET
10/31/2025
将两个MOSFET集成到单个PowerDI® 5mm x 6mm封装中，具有优异的散热性能。
Diodes Incorporated 2N7002 N沟道增强模式场效应晶体管
Diodes Incorporated 2N7002 N沟道增强模式场效应晶体管
10/31/2025
具有快速开关性能和低栅极电荷特性，最大漏源电压为60V。
Diodes Incorporated DMN1057UCA3 N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMN1057UCA3 N沟道增强模式MOSFET
10/21/2025
具有卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
Toshiba TPH2R70AR5 N沟道MOSFET
Toshiba TPH2R70AR5 N沟道MOSFET
10/17/2025
该器件适用于高功效的直流-直流转换器，采用SOP Advance (N)封装。
ROHM Semiconductor RD3x汽车N沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RD3x汽车N沟道功率MOSFET
10/16/2025
AEC-Q101 MOSFET具有正向电压低、恢复时间快、浪涌能力高等特性。
onsemi NTK3139P P沟道单通道功率MOSFET
onsemi NTK3139P P沟道单通道功率MOSFET
10/14/2025
封装占位面积比SC-89小44%，厚度比SC-89薄38%。
onsemi NVNJWS200N031L单N沟道功率MOSFET
onsemi NVNJWS200N031L单N沟道功率MOSFET
10/14/2025
该器件具有低RDS(on) 和低栅极阈值特性，采用可湿性侧翼封装。
IXYS MMIX1T500N20X4 200V X4-Class 功率MOSFET
IXYS MMIX1T500N20X4 200V X4-Class 功率MOSFET
10/08/2025
基于陶瓷的隔离封装提高了整体Rth(j-s) 和功率处理能力。
onsemi T10低/中压MOSFET
onsemi T10低/中压MOSFET
10/06/2025
40V和80V单通道N沟道MOSFET，具备更优性能与更高系统效率。 
Infineon Technologies OptiMOS™ 7优化40V功率MOSFET
Infineon Technologies OptiMOS™ 7优化40V功率MOSFET
10/02/2025
为驱动器、电源和园艺工具中的高效电源转换提供定制解决方案。
Infineon Technologies N沟道OptiMOS™ 7功率MOSFET
Infineon Technologies N沟道OptiMOS™ 7功率MOSFET
09/30/2025
高性能N沟道晶体管专为要求苛刻的电源转换应用而设计。
Nexperia MLPAK33-WF封装的BUK7Q N沟道MOSFET
Nexperia MLPAK33-WF封装的BUK7Q N沟道MOSFET
09/29/2025
采用沟槽9技术，符合AEC-Q101要求。
Nexperia BUK9Q N沟道沟槽MOSFET
Nexperia BUK9Q N沟道沟槽MOSFET
09/09/2025
逻辑级兼容，开关速度快，完全符合AEC-Q101标准，工作温度为175°C。
onsemi NTK3134N单N沟道功率MOSFET
onsemi NTK3134N单N沟道功率MOSFET
09/08/2025
优化用于高效开关应用的强大20V、890mA N沟道功率MOSFET。
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