晶体管类型
更改类别视图
已应用过滤器:
制造商 = IXYS 返回“产品”选项卡，以修改您的当前过滤条件。

IXYS X4级功率MOSFET
IXYS X4级功率MOSFET
02/02/2026
导通电阻和导通损耗低，效率更高。
IXYS MMIX1T500N20X4 200V X4-Class 功率MOSFET
IXYS MMIX1T500N20X4 200V X4-Class 功率MOSFET
10/08/2025
基于陶瓷的隔离封装提高了整体Rth(j-s) 和功率处理能力。
IXYS IXSxNxL2Kx碳化硅 (SiC) MOSFET
IXYS IXSxNxL2Kx碳化硅 (SiC) MOSFET
09/19/2025
这些器件具有高阻断电压和低导通电阻[RDS(ON)]。
IXYS IXSJxN120R1K 1200V SiC功率MOSFET
IXYS IXSJxN120R1K 1200V SiC功率MOSFET
08/27/2025
高达1200V的阻断电压，具有18mΩ或36mΩ低RDS(on) 。
IXYS IXFP34N65X2W功率MOSFET
IXYS IXFP34N65X2W功率MOSFET
03/17/2025
650V、100mΩ、X2级HiPerFET™ 功率MOSFET，具有N沟道增强模式。
IXYS IXSA80N120L2-7 SiC MOSFET
IXYS IXSA80N120L2-7 SiC MOSFET
03/06/2025
采用TO263-7L封装的1200V、30mΩ、79A工业级器件的单开关MOSFET。
IXYS IXSA40N120L2-7 SiC MOSFET
IXYS IXSA40N120L2-7 SiC MOSFET
03/06/2025
单开关MOSFET，设有1200V、80mΩ 、41A工业级器件，采用TO263-7L封装。
IXYS IXFH34N65X2W功率MOSFET
IXYS IXFH34N65X2W功率MOSFET
02/27/2025
650V、100mΩ、X2级HiPerFET™ 功率MOSFET，具有N沟道增强模式。
IXYS IXFH46N65X2W功率MOSFET
IXYS IXFH46N65X2W功率MOSFET
02/27/2025
650V、69mΩ、X2级HiPerFET™ 功率MOSFET，具有N沟道增强模式。
IXYS IXSH80N120L2KHV SiC MOSFET
IXYS IXSH80N120L2KHV SiC MOSFET
02/18/2025
1200V、30mΩ和79A MOSFET，建议用于工业开关模式电源。
IXYS IXSH40N120L2KHV SiC MOSFET
IXYS IXSH40N120L2KHV SiC MOSFET
02/18/2025
1200V、80mΩ和41A MOSFET，建议用于工业开关模式电源。
IXYS IXTNx00N20X4 miniBLOC MOSFET
IXYS IXTNx00N20X4 miniBLOC MOSFET
11/28/2024
提供200V额定电压、340A至500A电流范围，采用SOT-227B封装。
IXYS Gen5 XPT IGBT
IXYS Gen5 XPT IGBT
07/25/2024
具有650V额定电压、35A至220A电流范围以及低栅极电荷。 
查看：13 的 1 - 13

Texas Instruments 2N7002L 6V N沟道MOSFET
Texas Instruments 2N7002L 6V N沟道MOSFET
05/18/2026
旨在最大限度地降低导通电阻，同时保持快速的开关性能。
Infineon Technologies CIPOS™ Prime汽车级CoolSiC™功率模块
Infineon Technologies CIPOS™ Prime汽车级CoolSiC™功率模块
05/06/2026
电源模块设计用于为xEV应用提供高性能。
onsemi NVBYST0D8N08X单N沟道功率MOSFET
onsemi NVBYST0D8N08X单N沟道功率MOSFET
04/14/2026
针对高压运行进行了优化，并可承受快速开关及大电流应力。
ROHM Semiconductor 高密度SiC功率模块
ROHM Semiconductor 高密度SiC功率模块
04/10/2026
TRCDRIVE pack™、DOT-247及HSDIP20封装有助于实现高效能电源转换。
iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
04/07/2026
Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.
onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
04/06/2026
一款双N沟道MOSFET，采用低Rg设计，适用于快速开关应用。
Vishay VS-HOT200C080 200A 80V功率MOSFET模块
Vishay VS-HOT200C080 200A 80V功率MOSFET模块
04/02/2026
相较于标准分立式解决方案，该设备能够减少高达15%的电路板空间占位需求。
Toshiba N沟道/P沟道功率MOSFET
Toshiba N沟道/P沟道功率MOSFET
03/31/2026
适用于高速开关、电源管理开关、DC-DC转换器和电机驱动器。   
STMicroelectronics STL059N4S8AG功率MOSFET
STMicroelectronics STL059N4S8AG功率MOSFET
03/31/2026
一款采用Smart STripFET F8技术设计的40V N沟道增强模式功率MOSFET。
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60V功率MOSFET
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60V功率MOSFET
03/27/2026
凭借强大的功率MOSFET技术，为OptiMOS 5提供卓越的性能。 
Infineon Technologies N沟道OptiMOS™ 7 25V功率MOSFET
Infineon Technologies N沟道OptiMOS™ 7 25V功率MOSFET
03/27/2026
性能针对应用而优化，可为数据中心、服务器及人工智能提供最佳性能。
iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
03/24/2026
Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.
Renesas Electronics TP65B110HRU双向开关（BDS）
Renesas Electronics TP65B110HRU双向开关（BDS）
03/20/2026
一款650V、110mΩ常关型氮化镓（GaN）双向开关（BDS），采用紧凑型TOLT封装。
Infineon Technologies 中压CoolGaN™双向开关
Infineon Technologies 中压CoolGaN™双向开关
03/17/2026
该系列器件非常适合用作各种应用的电池断路开关。
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™with Molded Modules
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™with Molded Modules
03/17/2026
该器件额定电压为1200V，外形尺寸为41.6mm × 52.5mm ，搭载第四代SiC MOSFET元件。
Infineon Technologies OptiMOS™ 8功率MOSFET
Infineon Technologies OptiMOS™ 8功率MOSFET
03/17/2026
该系列为N沟道标准电平80V或100VMOSFET，具有极低的导通电阻（RDS(ON)）。
onsemi NVMFD5873NL双N沟道功率MOSFET
onsemi NVMFD5873NL双N沟道功率MOSFET
03/13/2026
专为紧凑高效的设计打造，兼具卓越的热性能。
Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET
Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET
03/10/2026
Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET
Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET
03/10/2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET
Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET
03/10/2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET
Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET
03/10/2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.
Qorvo QPD2560L 300W GaN/SiC HEMT
Qorvo QPD2560L 300W GaN/SiC HEMT
03/09/2026
设计用于满足L频带应用需求，工作频率范围为1.0GHz至1.5GHz。
Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET
Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET
03/06/2026
Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.
EPC EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
EPC EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03/05/2026
Offers a low-inductance 3mm x 5mm QFN package with an exposed top for excellent thermal management.
Infineon Technologies N沟道OptiMOS™ 7 80V功率MOSFET
Infineon Technologies N沟道OptiMOS™ 7 80V功率MOSFET
03/05/2026
80V N沟道标准电平设备，热阻优异，PG‑TDSON‑8封装。
查看：639 的 1 - 25