Texas Instruments 最新分立半导体

分离式半导体类型

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Texas Instruments TSDx-Q1单向TVS二极管
Texas Instruments TSDx-Q1单向TVS二极管
10/10/2025
设计用于汽车应用,钳制ESD和浪涌等有害瞬变。
Texas Instruments MMBZxxVAL-Q1共阳极齐纳二极管
Texas Instruments MMBZxxVAL-Q1共阳极齐纳二极管
08/21/2025
采用共阳极配置的双通道单向或单通道双向ESD。
Texas Instruments MMBZ30VCL/MMBZ30VCL-Q1 ESD保护二极管
Texas Instruments MMBZ30VCL/MMBZ30VCL-Q1 ESD保护二极管
03/18/2025
一款双通道单向或单通道双向ESD,采用共阴极配置。
Texas Instruments ESD501/ESD501-Q1低电容ESD二极管
Texas Instruments ESD501/ESD501-Q1低电容ESD二极管
03/18/2025
采用行业标准0402封装,根据IEC 61000-4-2标准,保护等级为15kV。
Texas Instruments BZX84Cx/BZX84Cx-Q1齐纳稳压二极管
Texas Instruments BZX84Cx/BZX84Cx-Q1齐纳稳压二极管
03/11/2025
这些器件的总功耗为250mW(最大值),容差为 ±5%。
Texas Instruments ESD801/ESD801-Q1 ESD保护二极管
Texas Instruments ESD801/ESD801-Q1 ESD保护二极管
01/29/2025
采用行业标准0402封装,具有15kV IEC 61000-4-2保护等级。
Texas Instruments ESD701/ESD701-Q1 ESD 保护二极管
Texas Instruments ESD701/ESD701-Q1 ESD 保护二极管
01/29/2025
采用行业标准0402封装,具有15kV IEC 61000-4-2保护等级。
Texas Instruments TSDxxC/TSDxxC-Q1双向TVS二极管
Texas Instruments TSDxxC/TSDxxC-Q1双向TVS二极管
12/23/2024
这些器件设计用于钳位ESD和浪涌等有害瞬态电压。
Texas Instruments ESD601/ESD601-Q1 ESD 保护二极管
Texas Instruments ESD601/ESD601-Q1 ESD 保护二极管
11/05/2024
采用行业标准0402封装,具有15kV IEC 61000-4-2保护等级。
Texas Instruments ESD851/ESD851-Q1 ESD保护二极管
Texas Instruments ESD851/ESD851-Q1 ESD保护二极管
11/05/2024
该器件设计用于钳位ESD和浪涌等有害瞬态。
Texas Instruments TSM36CA 36V、双向TVS保护二极管
Texas Instruments TSM36CA 36V、双向TVS保护二极管
09/17/2024
该器件专为钳制ESD和浪涌等有害瞬变而设计。
Texas Instruments ESDS452/ESDS452-Q1双向ESD和TVS二极管
Texas Instruments ESDS452/ESDS452-Q1双向ESD和TVS二极管
06/17/2024
额定功率能够消散超过IEC 61000-4-2国际标准规定最大水平的ESD冲击
Texas Instruments ESD652/ESD652-Q1 ESD 保护二极管
Texas Instruments ESD652/ESD652-Q1 ESD 保护二极管
05/07/2024
双通道、双向二极管,采用小型引线SOT-23(DBZ)封装。
Texas Instruments ESD2CANx-Q1 ESD 保护二极管
Texas Instruments ESD2CANx-Q1 ESD 保护二极管
05/06/2024
汽车用双通道双向二极管,用于控制器局域网(CAN)的接口保护。
Texas Instruments ESD562/ESD562-Q1 ESD保护二极管
Texas Instruments ESD562/ESD562-Q1 ESD保护二极管
04/23/2024
额定ESD消散能力超过IEC 61000-4-2标准规定的最高水平。
Texas Instruments ESDS552双向ESD/浪涌保护二极管
Texas Instruments ESDS552双向ESD/浪涌保护二极管
04/23/2024
额定ESD消散能力超过IEC 61000-4-2标准规定的最大水平。
Texas Instruments TSM24B单向浪涌保护二极管
Texas Instruments TSM24B单向浪涌保护二极管
12/19/2023
该器件可将高达20A的IEC 61000-4-5故障电流进行可靠分流。
Texas Instruments TSM24A/TSM24A-Q1 24V单向TVS二极管
Texas Instruments TSM24A/TSM24A-Q1 24V单向TVS二极管
11/13/2023
分流高达60A的IEC 61000-4-5故障电流,从而保护系统免受大功率瞬变或雷击。
Texas Instruments TSM24CA/TSM24CA-Q1 24V双向TVS二极管
Texas Instruments TSM24CA/TSM24CA-Q1 24V双向TVS二极管
11/13/2023
分流高达30A的IEC 61000-4-5故障电流,从而保护系统免受雷击或大功率瞬变。
Texas Instruments TSD05/TSD05C/TSD36C浪涌保护装置
Texas Instruments TSD05/TSD05C/TSD36C浪涌保护装置
09/19/2023
这些设备专为箝位有害瞬态(如ESD和浪涌)而设计。
Texas Instruments ESD451 ±30kV ESD保护二极管
Texas Instruments ESD451 ±30kV ESD保护二极管
08/10/2023
双向ESD保护二极管,用于保护数据线路和其他I/O端口。
Texas Instruments ESD441 ±30kV ESD保护器件
Texas Instruments ESD441 ±30kV ESD保护器件
08/10/2023
一款单向ESD保护二极管,用于保护数据线路和其他I/O端口。
Texas Instruments ESD1LIN24/ESD1LIN24-Q1 ESD保护二极管
Texas Instruments ESD1LIN24/ESD1LIN24-Q1 ESD保护二极管
02/09/2023
单通道低电容双向ESD保护器件,用于本地互连网络 (LIN)。
Texas Instruments ULN2803C 50V 500mA 8通道达林顿阵列
Texas Instruments ULN2803C 50V 500mA 8通道达林顿阵列
02/06/2023
具有高电压输出,以及用于切换电感负载的共阴极钳位二极管。
Texas Instruments ESD751/Q1与ESD761/Q1 ESD保护二极管
Texas Instruments ESD751/Q1与ESD761/Q1 ESD保护二极管
02/02/2023
适用于USB电力输送 (USB-PD) 的单通道低电容双向ESD保护器件。
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    Vishay SE050N6/SE080N6/SE100N6/SE120N6 SMD整流器
    Vishay SE050N6/SE080N6/SE100N6/SE120N6 SMD整流器
    02/10/2026
    这些设备采用高度仅为0.88mm的薄型封装。
    Littelfuse CMA160E1600HF单晶闸管
    Littelfuse CMA160E1600HF单晶闸管
    02/06/2026
    高性能160A、1600V设备,采用平面钝化芯片结构,PLUS247封装。 
    TDK-Lambda i1R ORing MOSFET模块
    TDK-Lambda i1R ORing MOSFET模块
    02/05/2026
    高效低损耗的功率设备,旨在取代传统的二极管。
    Vishay 功率碳化矽肖特基二极管
    Vishay 功率碳化矽肖特基二极管
    02/03/2026
    可在要求苛刻的电力电子设备应用中提供卓越的效率、坚固性和可靠性。
    Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    02/03/2026
    Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.
    Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode
    Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode
    02/03/2026
    Offers a sharp Zener voltage breakdown and a low leakage current.
    Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    02/03/2026
    Designed for demanding power conversion applications
    Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
    Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
    02/03/2026
    Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.
    IXYS X4级功率MOSFET
    IXYS X4级功率MOSFET
    02/02/2026
    导通电阻和导通损耗低,效率更高。
    IXYS DP高压快速恢复二极管
    IXYS DP高压快速恢复二极管
    01/20/2026
    600V或1200V SCHOTTKY二极管,具有低反向漏电流和快速恢复时间。
    Qorvo QPD1014A GaN输入匹配晶体管
    Qorvo QPD1014A GaN输入匹配晶体管
    01/20/2026
    一款输出功率 (P3dB)为15W、输入阻抗匹配为50Ω的分立式GaN-on-SiC HEMT,其工作频率范围为30MHz至1.2GHz。
    Qorvo QPD1011A GaN输入匹配晶体管
    Qorvo QPD1011A GaN输入匹配晶体管
    01/19/2026
    一款输出功率(P3dB)为7W、输入阻抗匹配特性为50Ω的分立式GaN-on-SiC HEMT,其工作频率范围为30MHz至1.2GHz。
    Qorvo QPD1004A GaN输入匹配晶体管
    Qorvo QPD1004A GaN输入匹配晶体管
    01/19/2026
    25W、50Ω输入匹配分立式GaN-on-SiC HEMT,在50V电源轨下运行,工作频率范围为30MHz至1400MHz。
    Littelfuse SM15KPA-HRA与SM30KPA-HRA高可靠性二极管
    Littelfuse SM15KPA-HRA与SM30KPA-HRA高可靠性二极管
    01/13/2026
    保护航空电子设备、航空和eVTOL应用中的I/O接口、VCC总线和其他电路。
    Littelfuse SP432x-01WTGTVS二极管
    Littelfuse SP432x-01WTGTVS二极管
    01/08/2026
    提供超低电容、双向传输和电平保护。
    onsemi NVBYST0D6N08X 80 V N沟道功率MOSFET
    onsemi NVBYST0D6N08X 80 V N沟道功率MOSFET
    12/26/2025
    该器件具有低QRR和软恢复体二极管,采用TCPAK1012 (TopCool) 封装。
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80V功率MOSFET
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80V功率MOSFET
    12/23/2025
    凭借广泛的产品组合确立了行业性能基准。
    onsemi NVMFD5877NL双N沟道MOSFET
    onsemi NVMFD5877NL双N沟道MOSFET
    12/19/2025
    专为紧凑高效的设计而打造,具有优异的热性能。
    Infineon Technologies CoolSiC™车规级750V G2 MOSFET
    Infineon Technologies CoolSiC™车规级750V G2 MOSFET
    12/19/2025
    专为满足电动汽车 (EV) 应用的严格要求而设计。
    onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
    onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
    12/04/2025
    具有低有效输出电容和超低栅极电荷特性。
    STMicroelectronics SGT080R70ILB电子模式PowerGaN晶体管
    STMicroelectronics SGT080R70ILB电子模式PowerGaN晶体管
    12/04/2025
    电子模式PowerGaN晶体管设计用于高效电源转换应用。
    Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7分立晶体管
    Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7分立晶体管
    12/01/2025
    DTO247封装,替代并联连接的多个TO247封装低电流晶体管。
    onsemi NTTFS007P02P8 P沟道低/中压MOSFET
    onsemi NTTFS007P02P8 P沟道低/中压MOSFET
    11/25/2025
    采用PowerTrench技术打造,具备极低RDS(on)、快速开关性能及耐用性。
    onsemi FDC642P-F085小信号MOSFET
    onsemi FDC642P-F085小信号MOSFET
    11/25/2025
    采用高性能沟槽技术,具备极低RDS(on)和快速开关速度。
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
    11/24/2025
    Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.
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