绝缘栅双极晶体管(IGBT)

结果: 204
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
资格
封装


STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
数据表
280库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-3PF Through Hole Single 650 V 2 V - 20 V, 20 V 80 A 62.5 W - 55 C + 175 C STGFW40H65FB
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pa
数据表
42库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 145 A 441 W - 55 C + 150 C HB2 Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 20 A, high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
数据表
493库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 40 A 147 W - 55 C + 175 C HB2 Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT
数据表
697预期 2026/7/9
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V - 20 V, 20 V 125 W - 55 C + 150 C STGP19NC60KD Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss
数据表
1,000预期 2027/7/16
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 40 A 166 W - 55 C + 175 C STGP20M65DF2 Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench Gate IGBT M Series 650V 4A
数据表
1,913预期 2026/10/5
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 8 A 68 W - 55 C + 175 C STGP4M65DF2 Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 40A Trench Gate Field-Stop IGBT
数据表
600预期 2026/8/24
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGW40H65FB Tube


STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
数据表
600在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 30 A 259 W - 55 C + 175 C STGWA15H120DF2 Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
数据表
1,200预期 2026/12/18
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 50 A 167 W - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 1600 V, 30 A, soft-switching IH2 series IGBT
数据表
600预期 2026/8/24
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.6 kV 1.77 V 20 V 85 A 395 W - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Reverse-conducting 650 V, 50 A, soft-switching IHR series IGBT in a TO-247 long leads package
数据表
180在途量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.75 V 20 V 97 A 306 W - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
数据表
600预期 2026/11/27
最低： 1
倍数： 1

TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 115 A 375 W - 55 C + 175 C Tube

STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss
数据表
396预期 2026/8/18
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 120 A 488 W - 55 C + 175 C STGWA75M65DF2 Tube

STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss
数据表
592预期 2026/12/21
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 16 A 167 W - 55 C + 175 C M Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1250V 20A trench gte field-stop IGBT
数据表
600预期 2026/10/26
最低： 1
倍数： 1

Si TO-3P Through Hole Single 1.25 kV 2.55 V - 20 V, 20 V 40 A 259 W - 55 C + 175 C STGWT20IH125DF Tube

STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 10 A low-loss M series IGBT in a D2PAK package
数据表
无库存交货期 15 周
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

Si STGB10M65DF2 Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Automotive-grade 450 V internally clamped IGBT ESCIS 300 mJ
数据表
交货期 14 周
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

Si D2PAK-3 SMD/SMT 475 V 1.25 V - 12 V, 16 V 25 A 150 W - 55 C + 175 C STGB20N45LZAG AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss
数据表
无库存交货期 15 周
最低： 2,000
倍数： 1,000
: 1,000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 8 A 68 W - 55 C + 175 C STGB4M65DF2 Reel

STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Automotive-grade 390 V internally clamped IGBT ESCIS 180 mJ
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
: 2,500

Si DPAK-3 (TO-252-3) SMD/SMT Single 390 V 1.35 V - 12 V, 16 V 125 W - 55 C + 175 C STGD19N40LZ AEC-Q101 Reel
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss
数据表
无库存交货期 15 周
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 12 A 88 W - 55 C + 175 C STGP6M65DF2 Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed
数据表
交货期 15 周
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.95 V - 20 V, 20 V 14 A 88 W - 55 C + 175 C STGP7H60DF Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 40 A 167 W - 55 C + 175 C STGW20H60DF Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1250V 20A trench gate field-stop IGBT
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 600
倍数： 600

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.25 kV 2.55 V - 20 V, 20 V 40 A 259 W - 55 C + 175 C STGW20IH125DF Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 60A Trench Gate Field-Stop IGBT
数据表
交货期 14 周
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 40 C + 175 C STGW60H65FB Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 50 A 375 W - 55 C + 175 C STGWA25H120DF2 Tube