Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V G2碳化矽MOSFET

英飞凌CoolSiC™ 1200V G2碳化矽MOSFET为电力电子设备应用提供高性能解决方案。这些MOSFET具有出色的电气特性，且开关损耗极低，可实现高效运行。该1200V G2 MOSFET设计适合过载条件，支持温度高达200°C的工作条件，并可承受长达2μs的短路。这些设备具有4.2V基准栅极阈值电压_VGS(th)，可实现精确控制。CoolSiC MOSFET 1200V G2提供三种封装形式，在第一代技术优势的基础上进一步优化，面向更具成本效益、高效率、紧凑型、易于设计且可靠性更高的系统提供先进解决方案。第2代显著提高了硬/软开关拓扑的关键性能指标，非常适合所有常见的DC-DC、AC-DC和DC-AC级组合。

CoolSiC™ G2 MOSFET有两种 TO-247 4引脚封装版本可供选择。用户可以根据要求选择标准TO-247 4引脚封装或TO-247 4引脚HC封装。TO-247 4引脚封装在关键引线之间具有更长的爬电距离，可实现更顺畅的波峰焊和更低的板产出损耗。标准化引脚与大多数市场上的产品兼容。

CoolSiC™分立1200V TO-263-7 (D2PAK-7L) 封装适用于大功率应用，设计用于低导通电阻和高速开关MOSFET。该封装提供 >7mm 爬电距离和电气间隙，最大限度地减少了PCB设计中的隔离工作量。

采用Q-DPAK封装的CoolSiC™ MOSFET分立1200V G2通过实现更容易的组装和出色的散热性能降低了系统成本。与底部冷却解决方案相比，顶部冷却器件可实现更优化的PCB布局，降低寄生元件和杂散电感的影响。另外，该器件还具有更高的热管理能力。顶部冷却Q-DPAK设计广泛应用在工业应用中。Q-DPAK封装提供有双半桥和单开关MOSFET形式。