onsemi FGHL40T65MQDT场终止型沟槽结构IGBT
安森美半导体FGHL40T65MQDT场终止沟槽型IGBT是第四代中速IGBT技术，内置额定电流二极管。 特性包括平滑、优化的开关、大电流能力和紧密的参数分布。该IGBT的最高结温为175°C。应用包括太阳能逆变器、UPS、焊机、PFC以及转换器应用。
特性
- 最高结温TJ：175°C
- 具有正温度系数，便于并联工作
- 大电流能力
- 低饱和电压:
- VCE(sat) = 1.45V（典型值）(IC = 40A)
- 零件100%经过ILM (Note 2)测试
- 顺畅和经过优化的开关
- 参数分布紧密
- 符合RoHS指令
应用
- 太阳能逆变器
- UPS与ESS
- PFC和转换器
栅极特性
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发布日期: 2022-03-29
| 更新日期: 2022-10-13