onsemi FGHL75T65LQDT沟槽式IGBT
安森美FGHL75T65LQDT沟槽式IGBT具有大电流能力，最高工作温度为175°C。这些IGBT具有平滑、优化的开关和紧密的参数分布。FGHL75T65LQDT场终止型IGBT由软恢复和快速恢复二极管组成，符合RoHS指令。应用包括太阳能逆变器、UPS、焊机、PFC以及转换器应用。
特性
- 最高结温TJ：175°C
- 具有正温度系数，便于并联工作
- 大电流能力
- 低饱和电压:
- VCE(sat)=1.15V（典型值） (IC = 75A)
- 零件100%经过ILM测试
- 顺畅和经过优化的开关
- 参数分布紧密
- 符合RoHS指令
应用
- 太阳能逆变器
- UPS与ESS
- PFC和转换器
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发布日期: 2022-04-10
| 更新日期: 2022-11-13