onsemi FGHL50T65MQDTx场终止沟槽型IGBT
安森美半导体FGHL50T65MQDTx场终止沟槽型IGBT是第4代中速IGBT技术，内置额定电流二极管。这些IGBT的最高工作结温为+175°C。特性包括大电流能力、平滑和优化的开关以及紧密的参数分布。典型应用包括太阳能逆变器、UPS、ESS、转换器和FPS。
特性
- 最高结温TJ：175°C
- 具有正温度系数，便于并联工作
- 大电流能力
- 低饱和电压:
- VCE(sat)=1.45V（典型值）（IC=50A时）
- 零件100%经过ILM测试
- 顺畅和经过优化的开关
- 参数分布紧密
- 符合RoHS指令
应用
- 太阳能逆变器
- UPS与ESS
- PFC和转换器
机械图纸 (mm)
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发布日期: 2022-04-07
| 更新日期: 2022-07-22