Renesas Electronics TP65H070G4RS 650 V SuperGaN® FET采用托尔特封装
Renesas Electronics TP65H070G4RS 650V SuperGaN® TOLT FET的RDS(on)典型值为72mΩ，采用符合JEDEC MO-332标准的顶部冷却表面贴装TOLT封装。TOLT封装提供了热管理灵活性，尤其是在不允许使用底部冷却传统表面贴装器件的系统中。TP65H070G4RS是一款常关断设备，结合了低压硅MOSFET和高压GaN HEMT技术，具有卓越的可靠性和性能。第四代SuperGaN平台利用先进的外延 (epi) 和专利设计技术来简化可制造性并提高与硅相比的效率。它通过减少栅极电荷、交叉损失、输出电容和反向恢复电荷来实现这一点。Renesas Electronics TP65H070G4RS 650V SuperGaN TOLT FET非常适合数据通信、工业、计算和其他应用。
特性
- 第四代技术
- 符合JEDEC标准的GaN技术
- 通过动态RDS(on)eff生产测试
- 顶部冷却
- 稳健设计，主要体现在：
- 栅极安全裕度大
- 瞬态过电压能力
- 超低反向恢复电荷（QRR）
- 交叉损耗小
- 在硬开关和软开关电路中均可提高效率：
- 增加功率密度
- 减小系统尺寸和重量
- 整体降低系统成本
- 使用常用的栅极驱动器即可轻松驱动
- GSD引脚布局可改进高速设计
- 符合RoHS标准，采用无卤素封装
应用
- 数据通信
- 广泛的工业应用
- 光伏逆变器
- 伺服电机
- 计算
规范
- 尺寸：10 mm x 15 mm
- 典型RDS(on)：72mΩ
- 最大RDS(on)：85mΩ
- 典型阈值电压（Vth）：4V
- 工作频率（Fsw）：≤300kHz
- VDSS(TR)：800V
- VDSS：650V
- 最大漏极连续电流（ID）：29A
- 78nC Qoss（典型值）
- QRR：0nC
- 外壳和结温工作温度范围：-55°C至+150°C
简化半桥原理图
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| 更新日期: 2025-06-05