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Renesas Electronics TP65H050G4YS 650V SuperGaN® FET

Renesas Electronics TP65H050G4YS 650V SuperGaN® FET是一款50mΩ氮化镓 (GaN) 常关器件，采用4引线TO-247封装。这款Gen IV SuperGaN FET使用Gen IV平台，支持采用先进的外延和 专利设计技术简化可制造性。TP65H050G4YS 650 V FET 将最先进的高压 GaN HEMT 与低压硅 MOSFET 相结合，以实现卓越的可靠性和性能。此 SuperGaN FET 通过降低栅极充电荷、输出电容、交叉损失和反向恢复电荷，使效率优于硅。典型应用包括数据通信、广泛的工业、光伏逆变器和伺服电机。

特性

  • 符合JEDEC标准的GaN技术
  • 通过了动态RDS(on)eff生产测试
  • 稳健设计，具体体现在：
    • 栅极安全裕度大
    • 瞬态过电压能力
  • 增强了浪涌电流能力
  • 极低的QRR
  • 交叉损耗小
  • 支持 AC-DC 图腾柱无桥式 PFC 设计:
    • 增加功率密度
    • 减小系统尺寸和重量
    • 整体降低系统成本
  • 在硬开关和软开关电路中均可实现更高的效率
  • 易于使用常用的栅极驱动器进行驱动
  • GSD引脚布局可改进高速设计

规范

  • 650V漏极到源极电压 (VDSS)
  • 800V瞬态漏极到源极电压 (VDSS(TR))
  • ±20V栅极到源极电压 (VGSS)
  • 132W最大功率耗散 (PD) @TC=25°C
  • 漏极连续电流 (ID)：
    • 35A @TC=25°C
    • 22A @TC=100°C
  • 150A脉冲漏极电流 (IDM)（脉宽：10µs）
  • 3.3V至4.8V栅极阈值电压 (VGS) 范围（VDS=VGS ，ID=0.7mA）
  • 漏极-源极导通电阻
    • 50mΩ至60mΩ (VGS=10V, ID=22A)
    • 105mΩ (VGS=10V, ID=22A, TJ=150°C)
  • 典型电容 (VGS=0V, VDS=400V, f=1MHz)：
    • 1000 pF输入
    • 110 pF输出 
    • 反向传输：2.7 pF 
  • 电荷（VDS=400V，VGS=0V至10V， ID=6.5A）：
    • 16nC至24nC总栅极电荷
    • 栅极-源极电荷：6nC
    • 5nC栅极-漏极电荷
  • 112nC输出电荷（VGS=0V，VDS=0V至400V）
  • 工作频率范围：50 kHz至100 kHz

应用

  • 数据通信
  • 广泛的工业应用
  • PV 逆变器
  • 伺服电机

电路实施

原理图 - Renesas Electronics TP65H050G4YS 650V SuperGaN® FET

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发布日期: 2024-02-28 | 更新日期: 2025-06-05