Renesas Electronics TP65H070G4PS 650 V SuperGaN® GaN FET
Renesas Electronics TP65H070G4PS 650V SuperGaN®氮化镓 (GaN) FET是一款650V、70mΩ常关器件，具有优异的质量和性能。TP65H070G4PS将高压GaN HEMT和低压硅MOSFET技术合并在一个三引线TO-220封装中。该元器件在 -55 °C 至 +150 °C 温度范围内运行，最大功率耗散为 26 W、最大漏极连续电流范围为 18.4 A 至 29 A及脉冲漏极电流（最大值）为 120 A。来自 Renesas Electronics 的第四代 SuperGaN 平台使用先进的外延和专利设计技术来简化制造工艺，同时通过降低栅极电荷、输出电容、交叉损耗和反向恢复电荷，使效率优于硅。
特性
- 第四代技术
- 符合JEDEC标准的氮化镓技术
- 通过了动态RDS(on)eff生产测试
- 稳健设计，具体体现在：
- 栅极安全裕度大
- 瞬态过电压能力
- 低QRR
- 交叉损耗小
- 在硬开关和软开关电路中均可实现更高的效率
- 使用常用的栅极驱动器即可轻松驱动
- GSD引脚布局改进了高速设计
- 3-lead TO-220封装
- 无卤素，符合 RoHS 标准
应用
- 数据通信
- 广泛的工业应用
- 光伏逆变器
- 伺服电机
- 计算
- 消费电子产品
规范
- 最大源漏极电压：650V
- 最大瞬态源漏极电压：800V
- 最大栅极到源极电压：±20V
- 栅极阈值电压范围：3.2 V 至 4.7 V
- 典型漏极到源极导通电阻范围：72mΩ至148mΩ
- 典型漏极-源极漏电流范围：1.2 µA至8 µA
- 栅极到源极漏电流：±100nA
- 典型电容
- 638 pF输入
- 72 pF输出
- 反向传输：2 pF
- 典型总栅极电荷：9nC
- 典型栅极-源极电荷：3.7nC
- 栅极漏极充电/电荷：2.4nC
- 输出电荷：80nC
- 反向电流：18 A（最大值）
- 典型反向电压：1.7 V至2.4 V
- +25°C时的最大功率耗散为96W
- 最大连续漏极电流
- 29 A（+25 °C 时）
- 18.4 A（+100 °C 时）
- 最大脉冲漏极电流：120A
- 典型开启延迟：43.4 ns
- 典型上升时间：6.2 ns
- 典型关断延迟：56 ns
- 典型下降时间：7.2 ns
- 反向恢复时间：80 ns（典型值）
- 工作温度范围：-55 °C至+150 °C
- 最大焊接峰值温度：+260 °C
- 热阻
- 结温到壳温：1°C/W
- 结温到环境温度：62°C/W
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发布日期: 2023-06-01
| 更新日期: 2025-06-05